MEMORIA RAM

HISTORIA Y
EVOLUCIN

FUNC
IN

TIPOS

CONTENID
O

HISTOR
IA

PART
ES

FUNCION
La memoria principal o RAM, es el
dispositivo donde se almacenan
temporalmente tanto los datos como
los programas que la CPU est
procesando o va a procesar en un
determinado momento. Por su
funcin, es una amiga inseparable del
microprocesador, con el cual se
comunica a travs de los buses de
datos.
La memoria RAM se encuentra en la
placa base, su ubicacin es interna y
su mtodo de acceso es aleatorio en
ella puedes escribir o leer informacin
que permite el acceso para lectura y
escritura.

CARACTERISTICAS
Las caractersticas principales de las memorias RAM son:
la capacidad de almacenamiento, medida en bytes.
La frecuencia de trabajo, medida en Hertz.
El tiempo de acceso, medido en sub-mltiplos del segundo
el tipo de almacenamiento, ste ltimo determina si la memoria es
esttica SRAM o dinmica DRAM.
Son voltiles (trabajan con voltaje)
Es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y
guarda los resultados.
Es el rea de trabajo para la mayor parte del software de un
computador.
Son memorias de acceso aleatorio.
No son medios de almacenamiento, las memorias RAM le dan
velocidad a una computadora para ejecutar programas ms
rpidamente, si es que se la ampla (ejemplo: tengo una memoria
RAM de 1 GB y la cambio por una de 2 GB, mi computadora
funcionar mas rpido).

 SRAM (memoria de acceso sincronizada

esttica aleatoria) es un tipo de
almacenamiento de datos del equipo,
que no necesita de frecuentes
actualizaciones. Lo que significa que la
informacin de un rea de memoria del
equipo no tiene que ser leda y
reescrita, a la misma rea, cada cierto
tiempo, de ah su nombre esttica.
SDRAM (memoria de acceso
sincronizada dinmica aleatoria), es un
tipo de almacenamiento del equipo que
necesita frecuentes actualizaciones
pero cuenta con una interfaz sincrnica.
Lo que significa que se refiere al reloj
del microprocesador antes de que
responda y a continuacin, sincroniza
con el bus del sistema del equipo.

Lamemoria RAMfue originalmente

pensada para utilizarse en ordenadores o
computadoras con procesadores 286. Estas
tenan una velocidad de 120 ns o 8.33 MHz,
algo realmente asombroso en su momento.
Estas memorias se instalaban directamente
sobre ranuras en la placa madre, de manera
que conformaranbancos de memoria. Por
supuesto
un proceso complicado,
que
El
inicio deera
la granevolucin
de las memorias
incluso podra
daar
el equipo
se haca de
RAMvino
con la
generacin
desicomputadoras
manera
errnea.
386
y 486,
las cuales utilizaban memorias con
velocidades de 80 ns 12.5 MHz. La gran ventaja
de estas memorias es que venan agrupadas en
mdulos, tenan por nombrememorias SIMMy
contaban con contactos de 30 pines. Estas
memorias eran sensiblemente ms baratas que la
generacin anterior y mucho ms simple de
instalarlas en la placa madre, lo que facilitaba su
mantenimiento. Contaban con 8 bits de ancho de
banda, lo nico malo es que eran mucho ms
lentas que la velocidad del procesador, lo que

HISTORIA

En 1968 Dennard, Robert de Estados unidos creo la memoria RAM.

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo
magntico, desarrollada entre 1949 y 1952
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en
semiconductores de silicio por parte de intel. para el siguiente ao se
present una memoria DRAM. Fue comercializada con xito.

En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin y

se convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplexacin en
tiempo de la direccin de memoria. mostek lanz la referencia MK4096
de 4 Kb.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el

aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las
memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se
realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento.

En1990 aparece la FPM RAM actualmente con dos velocidades de

acceso, 60 y 70 nanosegundos.

En 1997 introducen SDRAM la cual tenia velocidad de transferencia de

bus de memoria es de 66 MHz, temporizacin de 15 ns y ofrece tasas de
transferencia de hasta 533 MB/s.

 En 2004 esta tecnologa de memoria RAM

DDR que trabaja a una frecuencia de 400
MHz con un bus de 200MHz y ofrece una
tasa de transferencia mxima de 3.2
GB/s.
En el ao 2014 fueron lanzadas al
mercado las memorias DDR4, junto a
motherboards con chipsets y zcalos
compatibles con dicha memoria. El chip
DDR4 posee 288 pines o contactos, a
diferencia de su antecesora que posea
240. Con este tipo de memorias se
logran tasas de transferencia muy
superiores, ya que con un bus a 2133Mhz
ejecuta 4266 MT/s (millones de
transferencias por segundo). El problema
es que no son compatibles con las DDR3,
no solo por su zcalo, sino tambin por
que su tensin de alimentacin es menor.

DE QUE ESTA HECHA?

Los mdulos de memoria RAM
son tarjetas de circuito impreso
que tienen soldados
semiconductores de silicio, en el
caso del tipo SIMM en adelante,
se emplea cobre para el rea en
donde se enchufan (sus pines).
Fsicamente son pequeas
lminas finas de materiales
sintticoscompuestas de
varios chips soldados.

PARTES

RANURAS DE
MEMORIA
RAM
Se le llama Ranura
de memoria al
lugar de la placa
donde se colocan
las memorias. Este
numero de ranuras
no es fijo ya que
cada tarjeta cuenta
con diferentes

TIPOS
MEMORIA SIP (Single In-line Package)
(SOPORTE EN SIMPLE LNEA)

son los primeros tipos de

memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de
capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios
mdulos de memoria TSOP, logrndose comercializar
mayores capacidades en una sola placa. Las
terminales se concentraron en la parte baja en forma
de pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras
especiales de la tarjeta principal (motherboard)

1.- Tarjeta: es una placa plstica

sobre la cul estn soldadas los
componentes de la memoria.
2.-Chips: son mdulos de memoria
voltil.
3.- Conector (30 pines): son
terminales tienen forma de pin, que se
insertan en el mdulo especial para
memoria SIP

MEMORIA SIMM
es un formato para que consiste en placas de circuito
impreso sobre las que se montan los integrados de
memoria DRAM. Estos mdulos se insertan en zcalos
sobre la motherboard que pueden tener 30 72
contactos. Los contactos en ambas caras estn
interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de
sus sucesores los mdulos DIMM. Este tipo de memorias
fueron muy populares desde principios de los 80 hasta
finales de los 90. Las diferencias entre ambas radica en
los tiempos de acceso, y la capacidad de
almacenamiento, siendo esta ltima para los SIMM de 30
pines: 256kB, 1MB, 4MB, 16MB las cuales deban
colocarse de a pares. Las capacidades de los SIMM de 72
pines eran: 1MB, 2MB, 4MB, 8MB, 16MB, 32MB, 64 MB.

1.- Tarjeta: es una placa plstica

sobre la cul estn soldadas los
componentes de la memoria.
2.-Chips: son mdulos de
memoria voltil.
3.- Conector (30 terminales):
base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para
memoria SIMM.

MEMORIA
DIMM
Los mdulos DIMM son reconocibles externamente
por poseer sus contactos, o pines separados en
ambos lados de la plaqueta, a diferencia de los
SIMM que poseen los contactos de modo que los
de un lado estn unidos con los del otro. Las
frecuencias tpicas de stos mdulos son: PC66,
66Mhz, PC100, 100Mhz y PC133 a 133Mhz. stos
mdulos de memoria pueden transmitir hasta 64
bits, y en algunos casos 72 bits. Poseen 168 pines.

1.- Tarjeta: es una placa plstica

sobre la cul estn soldadas los
componentes de la memoria.
2.-Chips: son mdulos de
memoria voltil.
3.- Conector (168 terminales):
base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para
memoria DIMM - SDRAM en la
tarjeta principal (Motherboard).
4.- Muesca: indica la posicin
correcta dentro de la ranura de
memoria.

MEMORIA RIMM
RIMM proviene de (mdulo
de memoria de lnea con
bus integrado) este nombre
es debido a que incorpora
su propio bus de datos,
direcciones y control de
gran velocidad en la propia
tarjeta de memoria que
tienen circuitos integrados y
en uno de sus lados tienen
las terminaciones, que
sirven para ser insertadas
dentro de las ranuras
especiales para memoria de

Desarrollada
por
Rambus
Inc.
a
mediados de los aos
1990 con el fin de
introducir un mdulo de
memoria con niveles de
rendimiento
muy
superiores
a
los
mdulos de memoria
SDRAM de 100 MHz y
133 MHz disponibles en
aquellos aos.
A pesar de que su
rendimiento era muy

1.- Disipador: es una placa metlica

que cubre la tarjeta plstica y los
chips, ya que tienden a
sobrecalentarse y de este modo
absorbe el calor y lo transmite al
ambiente.
2.- Conector (184 terminales):
base de la memoria que se inserta en
la ranura especial para memoria
RIMM.
3.- Muescas: son 2 hendiduras
caractersticas de la memoria RIMM y

MEMORIA DDR
Acrnimo de Double Data Rate, significa
doble tasa de transferencia de datos.
Disponibles en encapsulado DIMM, que
permite la transferencia de datos por dos
canales distintos simultneamente en un
mismo ciclo de reloj. La nomenclatura
estndar para este tipo de memorias iba
desde DDR-200 a 100Mhz, hasta DDR-533 a
266Mhz. Poseen 184 contactos o pines,
pueden ser diferenciados fcilmente con los
mdulos DIMM por las muescas de insercin
en el zcalo de la motherboard.

1.- Tarjeta: es una placa plstica

sobre la cul estn soldadas los
componentes de la memoria.
2.-Chips: son mdulos de
memoria voltil.
3.- Conector (184 terminales):
base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para
memoria DDR.
4.- Muesca: indica la posicin
correcta dentro de la ranura de
memoria DDR.

SDRAM:
Las memorias SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) son las
utilizadas actualmente.
Son un tipo de memorias sncronizadas, es decir, que van a la
misma velocidad del sistema, con unos tiempos de acceso que en
los tipos ms recientes de DDR3 son inferiores a los 10ns,
llegando a los 5ns en los ms rpidos.
Las memorias SDRAM se dividen a su vez en:

SDR

DDR

DDR 2

DDR 3

DDR4

En todos los casos de memorias del tipo SDRAM (SDR, DDR, DDR2
y DDR3) se trata de mdulos de 133mm de longitud, pero no son
compatibles entre s.

SDR (Single Data Rate):

Son mdulos del tipo DIMM, de 168
contactos, y con una velocidad de
bus de memoria que va desde los
66MHz a los 133MHz. Estos mdulos
realizan un acceso por ciclo de
reloj.
Empezaron a utilizarse con los
Pentium II y su utilizacin lleg hasta
la salida de los Pentium 4 de Intel y
DDR
(Double
Data
los procesadores
Athlon
XP deRate):
AMD
son una evolucin de los mdulos SDR.
Se trata de mdulos del tipo DIMM, de
184 contactos y 64 bits, con una
velocidad de bus de memoria de entre
100MHz y 200MHz.
Realiza dos accesos por ciclo de reloj
Comenzaron a utilizarse con la salida
de los Pentium 4 y Athlon XP, tras el
fracasado intento por parte de Intel de
imponer para los P4 la memoria RIMM.
Estas memorias tienen un consumo de

DDR2 .

Se trata de mdulos del tipo DIMM con 240

contactos y 64 bits. Tienen unas velocidades de bus de
memoria real de entre 100MHz y 266MHz.
La principal caracterstica de estos mdulos es que son
capaces de realizar cuatro accesos por ciclo de reloj (dos
de ida y dos de vuelta), lo que hace que su velocidad de bus
de memoria efectiva sea el resultado de multiplicar su
velocidad de bus de memoria real por 4.
Esto duplica la velocidad en relacin a una memoria del tipo
DDR, pero tambin hace que los tiempos de latencia sean
bastante ms altos (pueden llegar a ser el doble que en una
memoria DDR).
El consumo de estas memorias es aproximadamente la mitad
que una memoria DDR.

DDR 3
Este tipo de memorias ya han empezado a comercializarse, y
estn llamadas a sustituir a las DDR2.
Son tambin memorias del tipo SDRAM DIMM, de 64bits y 240
contactos, aunque no son compatibles con las memorias
DDR2, ya que se trata de otra tecnologa y adems
fsicamente llevan la muesca de colocacin en otra posicin.
Se trata de memorias con una velocidad de bus de memoria
real de entre 100MHz y 250MHz, lo que da una velocidad de
bus de memoria efectiva de entre 800MHz y 2000MHz (el
doble que una memoria DDR2 a la misma velocidad de bus de
memoria real), con un consumo de entre un 16% y un 25%
menor que una DDR2, y una capacidad mxima de
transferencia de datos de 15.0GB/s.

RELACIN ENTRE MHZ Y NS

Un milisegundo (10-6 segundos), es equivalente al tiempo

que un megahercio tarda en completar un ciclo de reloj.
Un nanosegundo (10-9 segundos), es equivalente al tiempo
que un gigahercio tarda en completar un ciclo de reloj.
Por lo tanto, obtenemos que un nanosegundo equivale al
tiempo que un megahercio tarda en completar 1000 ciclos
de reloj.

MODOS DE DIRECCIONAMIENTO
Son procedimientos que permiten
determinar un operando, o la
ubicacin de un operando o una
instruccin.
Las ventajas principales que
ofrecen los distintos modos de
direccionamiento son:

Ahorro de espacio

Capacidad
de
reubicar
el
cdigo en diversas zonas de
memoria sin que afecte a su
buen funcionamiento

Facilidad
para
estructuras de datos.

manejar

CAPACIDAD DE DIRECCIONAMIENTO
Sistemas de 32 bits

En un registro de 32 bits
se pueden referenciar 232
direcciones,
lo
que
equivale a 4 gigabytes de
RAM.
En los aos en que fueron
concebidos
estos
sistemas, esa cantidad de
memoria se consideraba
ms que suficiente. Sin
embargo, en los aos 90
surge la necesidad de
superar ese lmite, con lo
que se comienzan a
investigar los sistemas de
64 bits.

Sistemas de 64 bits
La aparicin de las
arquitecturas de 64 bits
incrementa el citado lmite
hasta las 264 direcciones,
equivalente a la enorme
cantidad de 17 179 869
184 gigabytes, 16
exabytes de RAM.
Para ver este dato con
perspectiva es suficiente
con pensar que 1 exabyte
equivale a mil millones de
gigabytes.

WEBGRAFIA

http://www.alegsa.com.ar/Diccionario/C/2687.
http://www.monografias.com/trabajos21/partescomputadora/partes-computadora.shtml#memoriaphp
http://www.informaticamoderna.com/Memoria_SIP.htm