Materia: Fsica 4.

Docente: Ing. Christian Aldaco Gonzlez.

Horario: 3:00 a 4:00 pm
Aula: R-9

2.1 SEMICONDUCTOR P Y SEMICONDUCTOR N

2.2 UNION P.N EN ESTADO DE EQUILIBRIO
2.2.1 POTENCIAL DE CONTACTO
2.2.2 CAMPO ELECTRICO
2.2.3 ZONA DE VACIAMIENTO
2.2.4 CARGA ALMACENADA
2.2.5 CAPACITANCIA EN UNA UNION P.N.
2.3 CONDICIONES DE POLARIZACION
2.3.1 POLARIZACION DIRECTA
2.3.2 POLARIZACION INVERSA
2.4 FENOMENOS DE RUPTURA
2.4.1 RUPTURA POR MULTIPLICACION O AVALANCHA
2.4.2 RUPTURA ZENER
2.5 TECNICAS DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE
UNION.

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un

proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de compuesto,
normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa
de valencia, al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos,
huecos). N abCuando el material dopante es aadido, ste
libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptador. El propsito del dopaje
tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, una impureza trivalente deja un enalace covalente
incompleto, haciendo que, por difusin, uno de los tomos
vecinos le ceda un electrn completando as sus cuatro
enlaces. As los dopantes crean los huecos. Cada hueco
est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por
lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro
en general.

SEMICONDUCTOR TIPO N:
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a
cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto
tipo de compuesto, normalmente pentavalente,es
decir con 5 electrones en la capa de valencia, al
semiconductor para poder aumentar el nmero
de portadores de carga libres (en este caso,
negativos, electrones libres). Cuando el material
dopante es aadido, ste aporta sus electrones
ms dbilmente vinculados a los tomos del
semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donanador ya
que cede uno de sus electrones al semiconductor.
El propsito del dopaje tipo N es el de producir
abundancia de electrones libres en el material.

Una unin p-n se encuentra en equilibrio

termodinmico cuando se encuentra a una
temperatura uniforme y no actan sobre ella
factores externos que aporten energa.
En este caso las corrientes de electrones y huecos
deben anularse en cada punto del semiconductor
y, desde un punto de vista termodinmico, el nivel
de Fermi ha de ser el mismo para ambos tipos de
portadores. Con ello tendremos:

Antes de producirse el equilibrio y desde el

instante del contacto, existen unas corrientes de

Es ocacionado por el salto de los

electrones libres que se encuntran
cerca de la juntura metalurgica
provocado en el bloque N hacia los
iones positivos que se encuentran en
el bloque P. Este salto se lleva a cabo
sin necesidad de aplicar energia
electrica. El potencial de contacto se
puede considerar despresiable para
fines practicos.

la intensidad de campo elctrico en un punto se

define como la fuerza que acta sobre la unidad de
carga situada en l. si e es la intensidad de campo,
sobre una carga q actuar una fuerza
f=qe
la direccin del campo elctrico en cualquier punto
viene dada por la de la fuerza que acta sbre una
carga positiva unidad colocada en dicho punto.
las lneas de fuerza en un campo elctrico estn
trazadas de modo que son, en todos sus puntos,
tangentes a la direccin del campo, y su sentido
positivo se considera que es el que partiendo de
las cargas positivas termina en las negativas.
la intensidad de un campo elctrico creado por
varias cargas se obtiene sumando vectorialmente
las. intensidades de los campos creados por cada
carga de forma individual
.

CARGA ALMACENADA:
El condensador almacena carga elctrica, debido a
la presencia de un campo elctrico en su interior,
cuando aumenta la diferencia de potencial en sus
terminales, devolvindola cuando sta disminuye.
Matemticamente se puede obtener que la
energa , almacenada por un condensador con
capacidad C, que es conectado a una diferencia de
potencial V1 V2, viene dada por:
Este hecho es aprovechado para la fabricacin de
memorias, en las que se aprovecha la capacidad
que aparece entre la puerta y el canal de los
transistores MOS para ahorrar componentes.

CAPACITANCIA EN UNA UNION P N

Una unin p-n y un capacitor cargado, son cosas
parecidas. Como se menciono anteriormente, la
carga almacenada en la regin de la unin
proviene del movimiento de los electrones de la
regin n, lo cual ocasiona donadores.
Similarmente, al completarse los enlaces
covalentes de los tomos aceptores de un
material tipo p se producen cargas negativas
permanentes. El que exista un movimiento de
portadores libres cerca de la unin provoca una
regin desrtica la cual tolera un exceso de
cargas y un campo elctrico.

Si el terminal positivo de la fuente est

conectado al material tipo p y el terminal
negativo de la fuente est conectado al
material tipo n, diremos que estamos en
"Polarizacin Directa".
La conexin en polarizacin directa tendra
esta forma:

Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo

se polariza en inversa, el terminal negativo de la batera
conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin se
denomina "Polarizacin Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexin en inversa:
El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el
terminal positivo atrae a los electrones libres, as los
huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la
z.c.e. se ensancha.

Por multiplicacin de portadores queremos

decir que el nmero de electrones y huecos que
pueden participar en el flujo de corriente se
incrementa.
Por supuesto el nmero total de electrones se
conserva siempre.

En conexin inversa de los diodos

ocurre el efecto por avalancha o
tambin llamado por multiplicacin.
Los diodos admiten unos valores
mximos en las tensiones, existe un
lmite para la tensin mxima en
inversa con que se puede polarizar
un diodo sin correr el riesgo de
destruirlo.

La Ruptura Zener ocurre cuando los

electrones de valencia son liberados de
sus enlaces debido al gran campo
elctrico sin alcanzar un nivel al que se
produzcan colisiones de gran energa.