Estructura de los transistores de efecto de

campo de unin, JFET (canal N)

P+
N-

Fuente
(S)

Canal

Drenador (D)

P+
Puerta (G)
D
G

JFET (canal N)
Smbolo

D
G

Otros smbolos
S

G
canal N

S canal P

D
S

JFET (canal P)
Smbolo

Principio de funcionamiento de los

transistores de efecto de campo de unin,
JFET (I)

P+
Fuente
(S)

N-

Drenador (D)

P+
Puerta (G)
Zona de transicin en zona muy dopada
Zona de transicin en zona poco dopada

estrecha
ancha

Principio de funcionamiento de los

transistores de efecto de campo de unin,
JFET (II)

P+
(S)

(D)

NP+

VV12

(G)

V1 < V 2

Segn aumenta la tensin drenador-fuente, aumenta la resistencia

del canal, ya que aumenta la zona de transicin, que es una zona de
pocos portadores.

Principio de funcionamiento de los

transistores de efecto de campo de unin,
JFET (III)
ID
G

D
+

Evolucin si la resistencia
cambiara con la tensin.

VDS
S

no

ID

VDS
Evolucin real en un JFET (la
resistencia cambia con la tensin
aplicada).

V1

V2

Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

P+
(S)

N-

VPO

(D)
VDS

P+
(G)

VDS=VPO > V2

Si se aumenta ms la tensin drenador-fuente, la zona de

transicin llega a dejar una parte del canal con muy pocos
portadores. La corriente de drenador no cesa (si cesara no se
formara el perfil de zona de transicin que provoca esta
situacin). La tensin VDS a la que se produce la contraccin total
del canal recibe el nombre de tensin de contraccin (pinch-

Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
(S)

N-

LZTC

LC

(D)
VDS

P+
(G)

VDS=V3 > VPO

Si se aumenta la tensin drenador-fuente por encima de V PO, va

aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos
portadores, LZTC (longitud de la zona de transicin en el canal). Sin
embargo, el aumento de LZTC al aumentar VDS es pequeo
comparado con la longitud del canal, LC.

Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+
-

VPO

LZTC
+ L
ZTC

(S)

N-

(D)
VDS

P+
(G)

VDS=V4 > V3

Si LZTC << LC (hiptesis de canal largo) y admitimos que el perfil

de portadores en la parte no contrada del canal no ha cambiado,
tenemos que admitir que la tensin en dicha parte es V PO.
Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma
cada de tensin sobre el mismo perfil de canal misma corriente
que cuando aplicbamos VPO corriente constante por el canal
cuando VDS>VPO.

Resumen del principio de funcionamiento de

los JFET cuando VGS = 0
VDS=0
ID
VDS=V1

Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente

VDS=V2
VDS

VDS=VPO
V1 V2 VPO
VDS=V3

VDS=V4

V3

V4

Qu pasa si VGS 0?

P+

VPO

(S)
N-

(D)

+
-

P+

Con VGS=0, la
contraccin ocurre
cuando VDS = VDSPO
VDS=V
=VPOPO.

(G)

N-

VPO

(S)
P+
(G)

UB

+
-

VGS

+
-

(D)

VDS
-

El canal es siempre
ms estrecho, al
estar polarizado ms
inversamente
mayor resistencia
UA La contraccin se
produce cuando:
VDS=VDSPO=VPO + VGS
Es decir:
VDSPO = UA = VPO - UB

Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la contraccin se

produce a una VDS menor.