Anda di halaman 1dari 31

Teknik Oksidasi

Mengapa lapisan oksida penting


Karena beberapa divais semikonduktor
membutuhkan lapisan dengan
ketebalan tertentu
Silicon
Applications
dioxide
thickness,
60-100

Tunneling gates

150-500

Gates oxides, capacitor dielectrics

200-500

LOCOS pad oxide

2000-5000

Masking oxides, surface passivation

3000-10000

Field oxides

Metal
layer
Oxide layer
Wafer

Dielectric use of SiO2


layer
source

Drain
S

Field oxide

MOS gate

Apa yang dimaksud teknik Oxidasi


Thermal?
Teknik penumbuhan lapisan oksida dengan cara
pemanasan permukaan subtrat .
SiO2
passivatio
n layer
Si

Si

Bagaimana mekanisme terjadinya oksidasi


termal

Si wafer ditempatkan pada


chamber di aliri gas oksigen
Temperatur oksidasi 900-1200C
Reaksi kimia pada oksidasi termal
Si (solid) + O2 (gas) SiO2 (solid)
Pada permukaan silikon akan muncul
lapisan SiO2

Bentuk tiga dimensi SiO2 akibat oksidasi termal dan


kinematika penumbuhan

Original SiO2
surface

SiO2 surface

SiO2

Si substrate

Reaksi kimia
Si (solid) + O2 (gas) SiO2 (solid) (dry oxidation)
Si (solid) + 2H2O (gas) SiO2 (solid) + 2H2(gas)
(wet oxidatio)

Transmission Electron Micrograph of Si/SiO2


Interface
Amorpho
us
SiO2

Crystalline
Si

Contoh soal
Pada teknik oksidasi termal
menggunakan subtrat silikon tumbuh
silkon oksida. Berapa persen tebal
lapisan oksida tersebut?
(diket BM Si =28.09g/mole,BM SiO2
=60.08 g/mole, si=2.33 g/cm3,
SiO2=2.21 g/cm3

Tebal oksida

X ox

A

2

t
1 2

A
4B

(kondisi khusus 1) jika t besar maka Xox

X ox Bt
(Kondisi ) nilai t mengecil maka nilai Xox ]

X ox

B
t
A

Tebal lapisan oksidasi


A
tox
2

(t )

1 2
.................5.12
1
A / 4B

Tebal lapisan linier

tox

B
t ...........5.13

Ketergantungan terhadap
temperatur

Bentuk permukaan lapisan oksida


Linear oxidation

B
X t
A
X

B
t
A

Parabolic oxidation of silicon


X

Bt

dimana X = tebal oxide ts, B = konstanta kecepatan


parabolik , B/A = konstanta keceptan linier, t = lama
oksida

Parabolic relationship of SiO2 growth


2
X
parameters
R
t

where R = SiO2 growth rate, X = oxide thickness, t =


oxidation time

Thermal Oxidation on
<100> Silicon

Thermal Oxidation on <111>


Silicon

EE143 - Ali Javey

Soal 02
Sebuah wafer silikon dengan orentasi <100>
memiliki tebal silion oksida 2000- pada
permukaan.
(a) berapa lama penumbuhan oksida tertsebut
menggunakan suhu 1100o C menggunakan
oxygen kering?
(b)Jika menggunakan temperatur 1000o C dan
oksigen basah. Dan berapa lama jika
menumbuhakan oksida tebal 3000 ?

Solusi

(Berdasarkan grafik waktu yang diperlukan 2,8 jam dan


ketebalan 2000A.
EE143 - Ali Javey

Solusi grafik

(b) The total oksida


0.5 m dengan
waktu 1.5 hr
.dan unutuk
tebal tambahan
3000 A = 1.1
hr.

Bagaimana penumbuhan material


dilektrik diatas subtrat tekanan rendah)?

Low Pressure Chemical Vapor


Deposition (LPCVD

Low Pressure Chemical Vapor


Deposition (LPCVD)

SiH4 (silane) + O2 (gas)

450C
SiO2

+ 2H2

4PH3 (phosphorus) + 5O2 (gas) 2P2O5 + 6H2


Si(OC2H5)4( tetraethylorthosilicate)
produk laian

700C

SiO2 +

Material apa saja yang bisa


ditumbuhkan

450C
SiH4 (silane) + O2 (gas)
SiO2

4PH3 (phosphorus) + 5O2 (gas)

6H2

Si(OC2H5)4( tetraethylorthosilicate)

700C

+ 2H2
450C
2P2O5 +

SiO2 +

produk

750 C

3SiCl2H2 (silikon nitrit) + $NH3


+ 6HCl + 6H2
SiH4

600C

Si + 2H2

Si3N4

Metalisasi
Apa yang dimaksud metalisasi
Proses pelapisan divais
semikonduktor dengan
menggunakan logam

METALLIZATION
Metal Deposition System
Evaporation
Sputtering
Metal CVD
Copper electroplate

Teknik Evaporasi
Apa yang dimaksud teknik Evaporasi
Proses penguapan material dengan cara
memanaskan didalam chamber yang
telah divakumkan

Evaporasi
Evaporation
Wafer carrier
Evaporating metal
Crucible

Process chamber
(bell jar)

Hi-Vac valve

Hi-Vac pump

Roughing
pump

SPUTTERING
Merupakan metode
pelapisan lapisan
tipis (thin film)
dengan cara
memindahkan atom
atom dipermukaan
target dengan
menembakkan ion
partikel berenergi
tinggi.

Magneton Sputtering
Magneton
sputtering
merupakan
metode
pelapisan film
tipis yang paling
banyak
digunakan.
Karena metode
ini dapat

DC magnetron sputtering

DC magnetron sputtering terdapat target


yang diletakkan dibawahnya kutub magnet
untuk menjebak partikel bermuatan
(seperti argon
Atom atom di menumbuk permukaan target
oleh ion ion sputtering. Atom atom tidak
bermuatan positip atau negatip sehingga
dapat menempel pada substrat.

lanjutan

Ada erosi pada target disekitar


medan magnet, akibatnya kurang
efisien untuk target bahan
ferolectric

lanjutan
Untuk bahan dielectric menghasilkan ion
bermuatan oleh karena itu diperlukan medan
listrik untuk mempertahankan agar plasma
tetap besar
Solusinya adalah menggunakan RF sputtering

Contoh peralatan sputtering


Peralatan
sputtering terdiri
atas pompa
vakum ,
chember tempat
subtrat,
pemegang alat
penembah
magnetron ,
sumber gas dan
komputer
sebagai
pengontrol

Faktor Faktor yang mempengaruhi


kwalitas film
Tekanan
Temperatur
Substarat
Jarak target dan
subtrat
Daya plasma

Tingkat
Tekanan
kevakuma (Tor)
n
Tinggi
10-6
Sangat
10-10
tinggi