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ASSUNTO

1- IMPERFEIES CRISTALINAS

- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
-Defeitos de interface (gro e
maclas)
-Defeitos volumtricos (incluses,
precipitados)

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O QUE UM DEFEITO?
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uma imperfeio ou um "erro" no arranjo


peridico regular dos tomos em um cristal.
Pode envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem do


material, do meio ambiente, e das circunstncias
sob as quais o material foi processado.

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
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Apenas uma pequena frao dos stios


(ou posies) atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam
muito as propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
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- IMPORTNCIA-

DEFEITOS

INTRODUO CONTROLE
ARRANJO
SELETIVA DO NMERO

Permite desenhar e criar novos materiais


com a combinao desejada de propriedades
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Exemplos de efeitos da presena
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de imperfeies
o O processo de dopagem em semicondutores visa
criar imperfeies para mudar o tipo de
condutividade em determinadas regies do material
o A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que gera um aumento na
resistncia (processo conhecido como encruamento)
o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo
discordncias) apresentam resistncia maior que
70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a
aproximadamente 270MPa.
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
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So classificados de acordo com sua


geometria ou dimenses

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
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Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2


posies atmicas

Defeitos lineares uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas


dimenses

Defeitos volumtricos trs dimenses

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1- DEFEITOS PONTUAIS
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Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Ocorrem em slidos inicos
Frenkel

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1- DEFEITOS PONTUAIS
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influem principalmente as propriedades


pticas e eltricas dos materiais;
influem em processos como difuso,
transformao de fases, fluncia, etc
tomos de soluto geram defeitos
ponstuais

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VACNCIAS OU VAZIOS
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Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
material cristalino ou
como resultado das
vibraes atmicas (os
tomos deslocam-se de
suas posies normais)
A energia livre do
material depende do
nmero ou
concentrao de
vacncias presentes
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VACNCIAS OU VAZIOS EM
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EQUILBRIO
O nmero de vacncias aumenta
exponencialmente com a temperatura

Nv= N exp (-Qv/KT)


Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios atmicos
Qv= energia requerida para formao de vacncias
K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou
8,62x10-5 eV/ at.K

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INTERSTICIAIS
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Envolve um tomo extra no


interstcio (do prprio
cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma vacncia,
por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia

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INTERSTICIAIS devido a adio
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de soluto

tomo intersticial grande


tomo intersticial pequeno
Gera maior distoro na rede

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FRENKEL
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Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio

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SCHOTTKY
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Presentes em
compostos que tem
que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction

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CONSIDERAES GERAIS
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Vazios e Schottky favorecem a difuso


Estruturas de empacotamento fechado tem
um menor nmero intersticiais e Frenkel
que de vazios e Schottky

Porque necessria energia adicional para


forar os tomos para novas posies

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IMPUREZAS NOS SLIDOS
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Um metal considerado puro sempre


tem impurezas (tomos estranhos)
presentes

99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a


formao de defeitos pontuais
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LIGAS METLICAS
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Algumas impurezas (chamadas


elementos de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica
- Etc.
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A ADIO DE ELEMENTOS
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DE LIGA PODE FORMAR


Solues slidas % elemento < limite de
solubilidade
Segunda fase % elemento > limite de
solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de elemento (ou impureza)
Concentrao do elemento (ou impureza)
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Termos usados
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Elemento de liga ou Impureza


soluto (< quantidade)

Matriz ou solvente
Hospedeiro (>quantidade)
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SOLUES SLIDAS
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A estrutura cristalina do material que


atua como matriz mantida

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SOLUES SLIDAS
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Nas solues slidas as impurezas ou


elementos de liga podem ser do tipo:

- Intersticial
Ordenada
- Substitucional
Desordenada

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INTERSTICIAL
SOLUES SLIDAS
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INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de
liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios
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EXEMPLO DE SOLUO
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SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atmico bastante pequeno
se comparado com o Fe

rC= 0,071 nm= 0,71 A


rFe= 0,124 nm= 1,24 A

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INTERSTICIAIS NA CCC E
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CFC
Nessas estruturas existem 2 tipos de
intersticiais, um stio menor e um maior
A impureza geralmente ocupa o stio
maior

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INTERSTICIAIS NA CFC
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Existem 13 posies
intersticiais
(octaedros- formados
por 6 tomos) e 8
posies intersticiais
(tetraedros formados
por 4 tomos)= 21

O Stio maior o
octadrico 26
INTERSTICIAIS (octaedros)
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NA CFC
Existem 13 posies intersticiais
(octaedros)
1 Centro do octaedro
de coordenadas (, , )

12 localizado no centro
das arestas (, 0,0)

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INTERSTICIAIS (tetraedros)
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

NA CFC
Existem 8 posies intersticiais
(tetraedros)
1 Centro do tetraedro
de coordenadas (1/4, 1/4, 1/4)

28
Calcule o raio da impureza que se ajusta
perfeitamente no stio intersticial maior
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(octadrico) para a estrutura cfc

r= 0,41R 29
INTERSTICIAIS NA CCC
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Existem 18
posies
intersticiais
(octaedros) e 24
posies
intersticiais
(tetraedros)= 42
O Stio maior o
tetradrico
30
INTERSTICIAIS (octaedro)
NA CCC
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Existem 18 posies
intersticiais (octaedro)

6 Centro das faces


posies (, , 0)

12 Centro
de arestas (, 0,0)

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INTERSTICIAIS (tetraedros)
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

NA CCC
Existem 24 posies
intersticiais
(tetraedros)

4 tetraedros
Para cada uma das seis faces
(1/2, 1/4, 0)

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Calcule o raio da impureza que se ajusta
perfeitamente no stio maior (tetradrico) para a
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estrutura ccc

r= 0,29R 33
Carbono intersticial no Ferro
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

O carbono mais
solvel no Ferro ccc
CCC ou CFC,
considerando a
temperatura
prxima da
transformao
alotrpica?
cfc

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Carbono intersticial no Ferro ccc-
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ferrita
rFe= 0,124 nm
Na ferrita os rC= 0,071 nm
espaos intersticiais Espao intersticial octradrico= 0,019 nm
- 0,052 nm
so menores

rFe= 0,124 nm
rC= 0,071 nm ccc
Espao intersticial tetradrico= 0,035 nm
- 0,036 nm

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Carbono intersticial no Ferro cfc-
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austenita

rFe= 0,124 nm cfc


rC= 0,071 nm
Espao intersticial octradrico= 0,052 nm
- 0,019 nm

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SOLUBILIDADE DO CARBONO
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NO FERRO
Apesar da clula unitria CCC
apresentar diversas posies
intersticiais, a solubilidade de carbono
no Fe maior em clulas CFC, pois as
mesmas concentram o espao vazio da
clula, nas posies intersticiais
octadricas.

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INTERSTICIAIS NA HC
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Existem 6 posies
intersticiais
(octaedros) e 8
posies
intersticiais
(tetraedros)= 14
O Stio maior o
octadrico
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INTERSTICIAIS (octaedros)
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NA HC
Existem 6 posies intersticiais (octaedros)

39
INTERSTICIAIS (tetraedros)
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

NA HC
Existem 8 posies intersticiais (tetraedros)

40
SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
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(TIPOS)
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA

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SOLUES SLIDAS
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SUBSTITUCIONAIS

As solues slidas substitucionais


formam-se mais facilmente quando o
elemento de liga (impureza) e matriz
apresentam estrutura cristalina e
dimenses eletrnicas semelhantes

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FATORES QUE DETERMINAM A FORMAO
DE SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS
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REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma
diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na
rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina mesma
Eletronegatividade prximas
Valncia mesma ou maior que a
do hospedeiro
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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA
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SUBSTICIONAL
Cu + Ni so solveis em todas as
propores
Cu Ni

Raio atmico 0,128nm=1,28 A 0,125 nm=1,25A

Estrutura CFC CFC

Eletronegatividade 1,9 1,8

Valncia +1(asvezes+2) +2
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2- DEFEITOS LINEARES:
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DISCORDNCIAS

As discordncias esto associadas com a


cristalizao e a deformao (origem: trmica,
mecnica e supersaturao de defeitos
pontuais)
A presena deste defeito a responsvel pela
deformao, falha e ruptura dos materiais

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2- DEFEITOS LINEARES:
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DISCORDNCIAS
Podem ser:

- Cunha
- Hlice
- Mista

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VETOR DE BURGER (b)
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D a magnitude e a direo de
distoro da rede

Corresponde distncia de
deslocamento dos tomos ao redor da
discordncia

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2.1- DISCORDNCIA EM
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CUNHA
Envolve um SEMI-
plano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia
Envolve zonas de
trao e compresso

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DISCORDNCIAS EM
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CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 49


DISCORDNCIAS EM
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CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 50


2.2- DISCORDANCIA EM
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

CUNHA (Tenses)

Campo de tenses envolve


componentes de trao e
compresso

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2.2- DISCORDANCIA EM
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HLICE

Produz distoro na
rede
O vetor de burger
paralelo direo
da linha de
discordncia

52
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DISCORDANCIA EM HLICE

53
2.2- DISCORDANCIA EM
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HLICE

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE


UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).

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2.2- DISCORDANCIA EM
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HLICE (Tenses)
Campo de tenses simtrico e
paralelo ao vetor de burger (no
envolve componentes de trao ou
compresso)

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Energia e Discordncias
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

A energia associada a uma discordncia


depende do vetor de Burger (varia com o
quadrado do vetor de Burger)
Discordncia com alto vetor de Burger tende
a se dissociar em duas ou mais
discordncias de menor vetor de Burger
(como o vetor menor que o vetor da rede
chamado de falha de empilhamento-stacking
fault)
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Dissociao de Discordncias
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stacking fault

A reao de dissociao energeticamente favorvel se:


b12 > b22 + b32

57
Exerccio 15
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O vetor de Burger (b) para estruturas cbicas de


face centrada (CFC) e cbica de corpo centrado
(CCC) pode ser expresso como:
b= a/2 [hkl]
onde [hkl] a direo cristalogrfica de maior
densidade atmica.
Quais so as representaes para o vetor de
Burgers para as estruturas CFC e CCC?
Se a magnitude do vetor de de Burges b igual
a a/2 (h2+k2+l2)1/2, determine o valor de b para o
Alumnio.
58
OBSERVAO DAS
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DISCORDANCIAS

Diretamente TEM ou HRTEM

Indiretamente SEM e
microscopia ptica (aps ataque
qumico seletivo)

59
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DISCORDNCIAS NO TEM

60
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

HRTEM
DISCORDNCIAS NO

61
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HRTEM
DISCORDNCIAS NO

62
FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA
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NA DISCORDNCIA VISTA NO SEM

Plano (111) do GaSb


Plano (111) do InSb
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MOVIMENTO DE
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

DISCORDNCIAS
GLIDE: ocorre a
baixas temperaturas
e envolve quebra de
ligaes localizadas.
A discordncia se
move no plano que
contm a linha de
discordncia e o
vetor de burger

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MOVIMENTO DE
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

DISCORDNCIAS
CLIMB: ocorre a altas
temperaturas (pois
ocorre por difuso e
migrao de vacncias)
e envolve adio e
remoo de tomos do
semi-plano extra. A
discordncia se move
perpendicular ao plano
que contm a linha de
discordncia e o vetor
de burger
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CONSIDERAES GERAIS
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A quantidade e o movimento das discordncias


podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas

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CONSIDERAES GERAIS
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A densidade das discordncias depende da


orientao cristalogrfica, pois o
cisalhamento se d mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica
As discordncias geram vacncias
As discordncias influem nos processos de
difuso
A formao de discordncias contribuem
para a deformao plstica

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3- DEFEITOS PLANOS
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OU INTERFACIAIS

Envolvem fronteiras (defeitos em duas


dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas

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3- DEFEITOS PLANOS
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OU INTERFACIAIS

Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento

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3.1- DEFEITOS NA
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SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto

completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na

superfcie maior que no interior do cristal


Os materiais tendem a minimizar esta

energia
A energia superficial expressa em erg/cm2

ou J/m2)
70
3.2- CONTORNO DE GRO
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Corresponde regio que separa dois ou


mais cristais de orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto
arranjados segundo um nico modelo e nica
orientao, caracterizada pela clula unitria 71
Monocristal e Policristal
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Monocristal:Materialcomapenasumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmapenasumgro

Policristal:Materialcommaisdeumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmvriosgros

72
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POLICRISTALINO
LINGOTE DE ALUMNIO

73
GRO
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A forma do gro controlada:


controlada
- pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado


- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
74
FORMAO DOS GROS
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS

A forma do gro controlada:


controlada
- pela presena dos gros
circunvizinhos

O tamanho de gro
controlado
- Composio
- Taxa de cristalizao ou
solidificao

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CONSIDERAES GERAIS SOBRE
CONTORNO DE GRO
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H um empacotamento ATMICO menos


eficiente
H uma energia mais elevada
Favorece a nucleao de novas fases
(segregao)
Favorece a difuso
O contorno de gro ancora o movimento das
discordncias
76
Discordncia e Contorno de Gro
A passagem de uma discordncia atravs do
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contorno de gro requer energia

DISCORDNCIA

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois


constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO
.........A RESISTNCIA DO MATERIAL
77
CONTORNO DE PEQUENO
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NGULO
Ocorre quando a
desorientao dos
cristais pequena
formado pelo
alinhamento de
discordncias

78
OBSERVAO DOS GROS
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E CONTORNOS DE GRO

Por microscopia (TICA OU ELETRNICA)


utiliza ataque qumico especfico para
cada material

O contorno geralmente mais reativo

79
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GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO

80
TAMANHO DE GRO
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O tamanho de gro influi nas propriedades dos


materiais
Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se
cartas padres

ASTM
ou
ABNT

81
DETERMINAO DO
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TAMANHO DE GRO (ASTM)


Quanto maior o nmero menor o
Tamanho: 1-10 tamanho de gro da amostra
Aumento: 100 X

N= 2 n-1

N= nmero mdio de gros por polegada


quadrada
n= tamanho de gro

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Existem vrios softwares comerciais
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de simulao e determinao do
tamanho de gro

83
CRESCIMENTO DO GRO
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com a temperatura

Em geral, por questes termodinmicas (energia)


os gros maiores crescem em
detrimento dos menores 84
3.3- TWINS
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MACLAS OU CRISTAIS GMEOS


um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado
do contorno so imagens
especulares dos tomos
do outro lado do
contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina
85
ORIGENS DOS TWINS
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MACLAS OU CRISTAIS GMEOS


O seu aparecimento
est geralmente
associado com A
PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.

86
4- IMPERFEIES
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VOLUMTRICAS

So introduzidas no processamento do
material e/ou na fabricao do
componente

87
4- IMPERFEIES
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VOLUMTRICAS
- Incluses Impurezas estranhas
- Precipitados so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases forma-se devido presena de
impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite
de solubilidade ultrapassado)
- Porosidade origina-se devido a presena ou
formao de gases

88
Incluses
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INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)


LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.

89
Incluses
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SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.


90
Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu
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processamento por metalurgia do


p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade
de poros bem como melhorado
sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma
porosidade residual.

COMPACTADO DE P DE FERRO
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO APS SINTERIZAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE A 1150oC, POR 120min EM
DUPLO EFEITO, A 550 MPa ATMOSFERA DE HIDROGNIO
91
EXEMPLOS DE SEGUNDA
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FASE

A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.


CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).
92
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microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases


precipitadas

93
Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso
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