Proyecto de simulacin de un microdispositivo

para medicin de campo magntico

1
 Agenda

Definicin del problema.

Objetivo general y objetivos especficos.
Evaluacin de soluciones.
Principio fsico.
Diagrama de bloques de la solucin.
Modelado fsico del micro sensor de efecto Hall.
Posibles tecnologas de fabricacin.
Referencias

2
Definicin del problema
El grado de exposicin a las radiaciones electromagnticas en diferentes
sitios de trabajo es hoy un problema de salud pblica que hace
indispensable conocer con anticipacin tanto la magnitud del campo
magntico al que estn expuestos ciertos puntos clave del cuerpo humano
as como el tiempo de exposicin ante la fuente.

(Tomada de: Medicin de Campos magnticos en el

rea Metropolitana. Por: Juan Pablo Mass Mesn)
3
Definicin del problema (cont.)
Tabla #1: Niveles mximos de exposicin permitida: exposicin de cabeza y dorso.

Nota: Las restricciones bsicas son referidas como las limitaciones en la intensidad del campo
magntico con el fin de evadir efectos nocivos en los tejidos expuestos conforme el estndar
de la IEEE C95.6-2002. La IEEE llama a estas restricciones como Exposicin Mxima Permisible
MPE (Maximum Permissible Exposure).

4
Objetivo general
Desarrollar el modelado, la simulacin y el posible empaquetado de un
micro dispositivo de medicin de campo magntico mediante una sonda de
efecto Hall ordinario para hacer mediciones unidimensionales en alguna de
las zonas crticas de un cuerpo irradiado por un campo magntico natural o
artificial. (para un rango de trabajo entre 0.1 mT y 100 mT).

5
Objetivos especficos
1. Hacer una investigacin bibliogrfica respecto de las tcnicas de medicin de
campo magntico disponibles.
2. Definir un concepto de solucin que incluya todos los bloques necesarios de un
posible dispositivo de medicin de campo magntico: sensor, control
electrnico, empaquetado, materiales, etc.
3. Describir el fenmeno fsico relacionado con el efecto Hall y las tcnicas de
medicin del campo magntico en una dimensin.
4. Definir la configuracin, el arreglo geomtrico, los materiales y la arquitectura
de un dispositivo de medicin de campo magntico que cumpla con las
especificaciones bsicas del problema y la factibilidad de fabricacin.
5. Desarrollar el diseo para el modelado y la simulacin por etapas de un micro
dispositivo de medicin de campo magntico.
6. Definir y conceptualizar un posible empaquetado del dispositivo de medicin
de campo magntico.

6
Evaluacin de soluciones
Tabla #2: Factores para escoger sensores para magnetometra.

7
Evaluacin de soluciones

Figura #2: Vista general de las tecnologas de medicin de campo magntico

("Technologies for Precision Magnetic Field Mapping by Philip Keller Metrolab Instruments, Geneva Switzerland.
www.metrolab.com)
8
Principio fsico
El efecto Hall fue descubierto por el fsico estadounidense Edwin T. Hall en 1879 .
Este fenmeno consiste en que si una corriente elctrica fluye por una lmina de material
(conductor, semiconductor) de forma rectangular, y si dicho material se sita en el seno de un
campo magntico aplicado de manera perpendicular al plano de la lmina, una fuerza (fuerza de
Lorentz) acta sobre los portadores de carga del material.

Esta fuerza hace que los portadores de carga se acumulen en el extremo de +x o -x de la lmina
(de acuerdo con el sentido de la corriente y del campo aplicado), de tal forma que aparece un
voltaje, llamado voltaje Hall, entre dos puntos situados a un lado y a otro de la lmina . El
estudio del Efecto Hall se utiliza para obtener informacin sobre el tipo y nmero de portadores
de carga, movilidad y mecanismos de dispersin de materiales conductores .
Efecto Hall (ordinario)

Donde
N nmero de portadores por centmetro cbico
NA contante de Avogadro (6.02 x 1023 mol-1)
Mm masa molar (gmol-1)
D gravedad especfica (g/cm3)

La diferencia de potencial que aparece entre los bordes denominado voltaje Hall VH, si I es la
Intensidad de corriente, B el campo magntico, N la densidad de portadores, q0 su carga y d el
ancho de la lmina, el potencial VH se puede escribir como:

La expresin del voltaje de Hall tambin se expresa como:

Donde RH = 1/(q0N) es el coeficiente Hall, el cual depende de la concentracin densidad de

portadores N, con carga q0.
Diagramas de bloques general

Figura #6: Diagrama de bloques general de un sistema de medicin

Consideraciones especficas
Factor de escala: en el rango de los micrmetros para medicin del gradiente.
Resolucin y sensibilidad conforme el rango de medicin.
Linealidad.
Acondicionamiento del offset.
Compensacin de la medicin por efecto de la temperatura.
Atenuacin del ruido.
Materiales de fabricacin de la sonda de efecto Hall.
Salidas y presentacin de la medicin.
11
11
Diagrama de bloques del microdispositivo

12
Diagrama de bloques funcional

13
Diagrama de bloques del circuito interno

14
Posible geometra del sensor

Figura 10 : Geometra plana por utilizar como sonda Hall.

(DOI: 10.12693/APhysPolA.131.1177)

15
Modelado fsico del sensor de efecto Hall

Figura 11: Distribucin potencial dentro del dispositivo Hall (a) sin y (b) con aplicacin
de un campo magntico. La barra de colores indica la intensidad del potencial de
voltaje (V). El flujo de corriente es de izquierda a derecha. (Integrated CMOS Hall Microsystems
and Application for Current Sensors)

16
Posibles tecnologas de fabricacin

Figura 12: Sensor de campo magntico utilizando el efecto Hall en tecnologa CMOS
("CMOS Compatible 3-Axis Magnetic Field Sensor using Hall Effect Sensing" (2015). Thesis. Rochester Institute of
Technology.)

Figura 13. Capas de fabricacin de un proceso de integracin SOI XFAB XI10.

(http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2015.04.113 )
17
Referencias
[1] C. Liu, J.-G. Liu, and Q. Zhang, A Novel Method of Zero Offset Reduction in Hall Effect Sensors with Applications to Magnetic Field
Measurement, J. Phys. Conf. Ser., vol. 588, no. September, p. 12022, 2015.
[2] A. Mulloni, (19) United States (12), vol. 1, no. 19, 2014.
[3] A. Bilotti, G. Monreal, and R. Vig, Monolithic magnetic hall sensor using dynamic quadrature offset cancellation, IEEE J. Solid-State Circuits, vol.
32, no. 6, pp. 829835, 1997.
[4] Health Canada, Limits of Human Exposure to Radiofrequency Electromagnetic Energy in the Frequency Range from 3 kHz to 300 GHz, vol. 6,
2014.
[5] AllegroMicroSystems.Inc., Application Information: Hall-effect IC applications guide, pp. 140, 2011.
[6] Magnetic Fields Produced by Coils Using Hall Probe Lab.pdf. .
[7] G. S. Keller, Philip(Metrolab Instruments, Technologies for Precision Magnetic Field Mapping, Www.Metrolabs.Com, pp. 116.
[8] M.-A. Paun, J.-M. Sallese, and M. Kayal, Comparative Study on the Performance of Five Different Hall Effect Devices, Sensors, vol. 13, no. 2, pp.
20932112, 2013.
[9] C. Paper, Hall Effect Sensor Performance Assessment, no. February, 2017.
[10] F. Lyu, X. Liu, Y. Ding, E. H. Toh, Z. Zhang, Y. Pan, Z. Wang, C. Li, L. Li, J. Sha, and H. Pan, Influences of an Aluminum covering layer on the
performance of cross-like Hall devices, Sensors (Switzerland), vol. 16, no. 1, pp. 19, 2016.
[11] M. A. Paun, Three-dimensional simulations in optimal performance trial between two types of hall sensors fabrication technologies, J. Magn.
Magn. Mater., vol. 391, pp. 122128, 2015.
[12] J. R. Locke, CMOS Compatible 3-Axis Magnetic Field Sensor using Hall Effect Sensing, 2015.
[13] T. S. Introduccin, Tema 5 : Sensores . Introduccin, pp. 125.
[14] M. V. Gaud, Diseo y fabricacin de sistemas micro / nano electromecnicos integrados monolticamente para aplicaciones de sensores de
masa y sensores biolgicos con palancas como elementos transductores, pp. 2729, 2005.
[15] A. Output and A. O. Linearization, A1340, pp. 142.
[16] A. Microsystems, A1324, A1325, and A1326: Low Noise, Linear Hall Effect Sensor ICs with Analog Output.
[17] Y.-M. Gimm, S. Nam, O. Kim, Y. Kwon, and G.-W. Gimm, Conceptual Design of a Miniature High Frequency Magnetic Fields Measurement
System in a Human Body Phantom, EMC 09 Kyoto, pp. 7376, 2009.
[18] G. Texts, No Title. .
[19] J. P. Bentley, Principles of measurement systems. 2005.
[20] D. K. Schroder, MATERIAL AND DEVICE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE Third Edition, vol. 44, no. 4. 2006.

18
Referencias
[21] P. E. Gil-loyzaga, A. beda Maeso, and F. C. Orejana, Ondas electromagnticas y salud, Medicina (B. Aires)., pp. 1431, 2001.
[22] U. D. C. Rica, IE 0502 Proyecto Elctrico Medicin de Campos magnticos en el rea Metropolitana Por : Juan Pablo Mass Mesn Ciudad
Universitaria Rodrigo Facio Julio del 2007 Medicin de Campos magnticos en el rea Metropolitana Por : Juan Pablo Mass Mesn, 2007.
[23] P. By, World TM s largest Science , Technology & Medicine Open Access book publisher Magnetic Field Sensors Based on
Microelectromechanical Systems ( MEMS ) Technology.
[24] L. Rosa, Estimation of Magnetic Fields Generated by Overhead Transmission Lines , in Locations of Continuous Exposure.
[25] International Commission on non-ionizing radiation protection, Fact sheet on the guidelines for limiting exposure to electric fields induced by
momevent of the human body in a static magnetic field and by time-varying magnetic fields below 1Hz, Heal. Phys, vol. 106 (3), no. March, pp.
418425, 2014.
[26] F. O. R. Limiting, E. To, E. Fields, I. By, M. Of, T. H. E. Human, B. In, and A. S. Magnetic, Guidelines for Limiting Exposure to Electric Fields
Induced by Movement of the Human Body in a Static Magnetic Field and by Time-Varying Magnetic Fields below 1 Hz, Health Phys., vol. 106,
no. 3, pp. 418425, 2014.
[27] M. Aller, No Title. .
[28] P. P. Freitas, R. Ferreira, S. Cardoso, and F. Cardoso, Magnetoresistive sensors, J. PhysicsCondensed Matter, vol. 19, no. 16, p. 165221, 2007.
[29] 5 . Measurement of a magnetic field.
[30] J. D. March, Hall-effect sensors measure fields and detect, 2014.
[31] Alecro Microsystems Inc., Hall Effect Linear Current Sensor with Overcurrent Fault Output for < 100 V Isolation Applications ACS711, pp. 1
13, 2013.
[32] F. B. Diagram, withTri-State Output and User-Selectable Sleep Mode.
[33] F. Lyu, Z. Zhang, E. H. Toh, X. Liu, Y. Ding, Y. Pan, C. Li, L. Li, J. Sha, and H. Pan, Performance comparison of cross-like hall plates with different
covering layers, Sensors (Switzerland), vol. 15, no. 1, pp. 672686, 2015.
[34] B. J. Cummings, M. C. Doogue, and A. P. Friedrich, Application Information Recent Trends in Hall Effect Current Sensing, pp. 17.
[35] C. Schott, H. Blanchard, R. S. Popovic, R. Racz, and J. Hrejsa, High-accuracy analog Hall probe, IEEE Trans. Instrum. Meas., vol. 46, no. 2, pp.
613616, 1997.
[36] M. Banjevic, High Bandwidth CMOS Magnetic Sensors Based on the Miniaturized Circular Vertical Hall Device, vol. 5114, 2011.
[37] P. Liu, A CMOS Magnetic Sensor Chip for Biomedical Applications, Spring, 2012.

19
Referencias
[38] T. A. Faculty, S. Choi, and I. P. Fulfillment, a Micromachined Magnetic Field Sensor for Low Power Electronic Compass Applications a
Micromachined Magnetic Field Sensor for, no. May, 2007.
[39] M. T. Todaro, L. Sileo, and M. De Vittorio, Magnetic Field Sensors Based on Microelectromechanical Systems ( MEMS ) Technology, 2011.
[40] Honeywell, Hall effect sensing and application, 2004.
[41] C. Schott and R. S. Popovic, Integrated 3-D Hall Magnetic Field Sensor, pp. 811.
[42] Using a Magnetic 3D Sensor in a Gear Stick Application 3D Magnetic Sensors Application Note, pp. 114, 2015.
[43] J. Sun and J. Kosel, Finite-element modelling and analysis of hall effect and extraordinary magnetoresistance effect, Finite Elem. Anal. Trends
Dev., pp. 201224, 2012.
[44] C. Interface, L o w P o w e r 3D Magnetic Sensor with I 2 C Interface T L V 4 9 3 D - A 1 B 6 3D Magnetic Sensor 3D Magnetic Sensor User s
Manual, 2016.
[45] M. Crescentini, M. Biondi, A. Romani, M. Tartagni, and E. Sangiorgi, Optimum design rules for CMOS hall sensors, Sensors (Switzerland), vol. 17,
no. 4, 2017.
[46] I. N. Cholakova, T. B. Takov, R. T. Tsankov, and N. Simonne, Temperature influence on Hall effect sensors characteristics, 2012 20th
Telecommun. Forum, TELFOR 2012 - Proc., pp. 967970, 2012.
[47] M. Paun, J. Sallesse, and M. Kayal, Offset and drift analysis of the Hall effect sensor. The geometrical parameters influence, J. Nanomater.
Biostructures, vol. 7, no. 3, pp. 883891, 2012.
[48] Z. D. Wr, U. Wkh, F. Li, L. Lq, W. Surylglqj, I. R. U. Pdwfkhg, V. Uhvxowv, R. I. Surgxfhg, D. O. O. Yrowdjh, Z. Vpdoo, Q. Lq, D. S. Ri, H. W. Pdjqhwlf,
D. O. O. Sodwhv, D. U. H. Xvhg, L. Q. D. Zlgh, Y. Ri, D. Wr, P. Vwdwlf, D. Q. G. G. Qdplf, P. Ilhogv, F. Ri, K. Dv, P. D. Pxowlfrqwdfw, D. O. O. Sodwh,
Z. Pruh, W. Irxu, and W. Lv, 1ryho \qdplf 7hfkqltxh 5hgxflqj wkh 2iivhw 9rowdjh lq d +doo (iihfw 6hqvru, pp. 05.
[49] C. Liu, J.-G. Liu, and Q. Zhang, A Novel Method of Zero Offset Reduction in Hall Effect Sensors with Applications to Magnetic Field
Measurement, J. Phys. Conf. Ser., vol. 588, p. 12022, 2015.
[50] R. G. Mani and K. von Klitzing, Temperature-Insensitive Offset Reduction in a Hall-Effect Device, Appl. Phys. Lett., vol. 64, no. June, pp. 3121
3123, 1994.
[51] R. Portas and L. Colombel, Accuracy of Hall-Effect Current Measurement Transducers in Automotive Battery Management Applications using
Current Integration, pp. 18, 2007.
[52] O. Petruk, M. Kachniarz, and R. Szewczyk, Novel Method of Offset Voltage Minimization in Hall-Effect Sensor, Acta Phys. Pol. A, vol. 131, no. 4,
pp. 11771179, 2017.
[53] Integrated CMOS Hall Microsystems and Application for Current Sensors, 2012.

20
Muchas gracias

21