Arreglo Atã Mico

ARREGLO ATMICO
IRREGULARIDADES
Universidad de Atacama Departamento de Metalurgia

Arreglo Atmico
Propiedades
Arreglo atmico
Estructura

Introduccin
El arreglo o disposicin de los tomos desempea un papel
importante en la determinacin de la microestructura y del
comportamiento de un material slido. En los metales, ciertos
ordenamientos atmicos permiten una ductilidad excepcional,
mientras que en otros materiales producen una gran resistencia.
Los transductores de material cermico utilizados para captar las
vibraciones gramofnicas y generar la seal elctrica en un
tocadiscos estereofnico, tienen como fundamento la
distribucin atmica que ocasiona un desplazamiento constante
de la carga elctrica en el material. El comportamiento
heterogneo de los polmeros, tales como el caucho o hule, el
polietileno y el epxico, es causado por variaciones en el arreglo
atmico.
Comparacin entre la disposicin
particular (de corto alcance) y el
ordenamiento general (de largo
alcance)
Sin considerar las imperfecciones en los materiales, existen tres
niveles de organizacin de los tomos.
1. Desordenacin (sin orden)
2. Ordenamiento particular (de corto alcance)
3. Ordenamiento general (de largo alcance)
Arreglos atmicos en la materia
Sin orden
Orden de corto alcance
Orden de largo alcance

Sin orden: Los tomos y molculas carecen de una arreglo ordenado,
ejemplo los gases se distribuyen aleatoriamente en el espacio
disponible
Xenn

Ordenamiento de corto alcance: - es el arreglo espacial de los tomos o
molculas que se extiende slo a los vecinos ms cercanos de stos. A
estas estructuras se les denomina estructuras no cristalinas.
En el caso del agua en fase vapor, cada molcula tiene un orden de corto
alcance debido a los enlaces covalentes entre los tomos de hidrgeno y
oxgeno. Sin embargo, las molculas de agua no tienen una organizacin
especial entre s.
Ejemplo: agua en estado vapor, vidrios cermicos (slice), polmeros
Vapor de agua

Ordenamiento de largo alcance: El arreglo atmico de largo alcance
(LRO) abarca escalas de longitud mucho mayores de 100 nanmetros.
Los tomos o los iones en estos materiales forman un patrn regular y
repetitivo, semejante a una red en tres dimensiones.
Grafeno (compuesto de
carbono densamente
empaquetados)

Estructura cristalina
Orden de largo alcance (cristal): En
los materiales cristalinos, las partculas
componentes muestran un ordenamiento regular
que da como resultado un patrn que se repite en
las tres dimensiones del espacio, y a lo largo de
muchas distancias atmicas.
Sin orden (amorfo): En los materiales

amorfos, los tomos siguen un ordenamiento
muy localizado, restringido a pocas distancias
atmicas y que, por tanto, no se repite en las tres
dimensiones del espacio. Se habla de un orden
local o de corto alcance.

Diagrama molecular del cuarzo Diagrama molecular del vidrio

(SiO2) en red cristalina (SiO2) en slido amorfo

Cristal Vidrio

Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de una nanopartcula

de Hematita (Fe2O3) rodeada por una matriz polimrica de poliestireno.

Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con

que los tomos o iones estn ordenados uno con respecto al otro.
Un material cristalino es aquel en que los tomos se encuentran situados
en un arreglo repetitivo o peridico dentro de grandes distancias atmicas; tal
como las estructuras solidificadas, los tomos se posicionarn de una manera
repetitiva tridimensional en el cual cada tomo est enlazado al tomo vecino
ms cercano.
Todos los metales, muchos cermicos y algunos polmeros forman
estructuras cristalinas bajo condiciones normales de solidificacin.

Modelo de las esferas rgidas: se consideran los tomos (o iones) como
esferas slidas con dimetros muy bien definidos. Las esferas representan
tomos macizos en contacto
Cristal: conjunto de tomos ordenados segn un arreglo peridico en

tres dimensiones

Red cristalina: disposicin tridimensional de puntos coincidentes con las
posiciones de los tomos (o centro de las esferas). Los tomos estn ordenados
en un patrn peridico, de tal modo que los alrededores de cada punto de la red
son idnticos
Un slido cristalino es un conjunto de

tomos estticos que ocupan una
posicin determinada

Celda unitaria: es el agrupamiento ms pequeo de tomos que conserva la
geometra de la estructura cristalina, y que al apilarse en unidades repetitivas
forma un cristal con dicha estructura (subdivisin de una red que conserva las
caractersticas generales de toda la red) .
Estructura cristalina cbica de cara centrada:

(a) representacin de la celda unidad mediante esferas rgida
(b) celda unidad representada mediante esferas reducidas

Representacin de la red y de la celda unitaria del sistema
cbico centrado en el cuerpo

Los parmetros de red que describen el tamao y la forma de la celda unitaria,
incluyen las dimensiones de las aristas de la celda unitaria y los ngulos entre
estas.

En funcin de los parmetros de la celda unitaria: longitudes de sus lados y
ngulos que forman, se distinguen 7 sistemas cristalinos que definen la forma
geomtrica de la red:
Las unidades de la longitud se expresan en nanmetros (nm) o en angstrom (A)

donde:
1 nanmetro (nm) = 10-9 m = 10-7 cm = 10 A

1 angstrom (A) =0.1 nm = 10-10m = 10-8 cm

Sistemas
cristalinos
14 Redes de
Bravais

Estructuras cristalinas de elementos metlicos a 25C y 1atm
Estructura cristalina Elemento

Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn
Cbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos
Cbica-primitiva Po

Radio atmico versus Parmetro de red
En la celda unitaria, las direcciones a lo largo de las cuales los tomos

estn en contacto continuo son direcciones de empaquetamiento
compacto. En las estructuras simples, se utiliza estas direcciones para
calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao de la
celda unitaria.
Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin con base en los

parmetros de red, y a continuacin incluyendo el nmero de radios
atmicos a lo largo de esa direccin, se puede determinar la relacin que
se desee.

Cbico simple (CS)
Los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo

Cbico centrado en el cuerpo (BCC)
Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo

Cbico centrada en las caras (FCC)
Los tomos entran en contacto a lo largo de la diagonal de la cara

del cubo

Ejercicio:
Calcular el parmetro de red y el volumen de la celda unidad del hierro

FCC.
radio atmico = 1,24

Ejercicio: Calcule el parmetro de red del cloruro de sodio y el
volumen de la celda unitaria
Radio inico sodio = 0,98
Radio inico cloro = 1,81

Nmero de tomos equivalentes por celda
Si consideramos que cada punto de la red coincide con un tomo,

cada tipo de celda tendr un nmero de tomos que se contarn de la
siguiente forma:
tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de tomo, ya que

ese tomo es compartido por 8 celdas que constituyen la red.
tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con de

tomo, ya ese tomo es compartido por 2 celdas que constituyen la
red.
tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1 tomo.

Ejercicio
Calcule la cantidad de tomos por celda en el sistema cristalino

cbico.

Ejercicio:
Un metal cristaliza en la red cbica centrada en las caras. Si su radio

atmico es 1.38 . Cuntos tomos existirn en 1 cm3?

Nmero de coordinacin
El nmero de coordinacin es la cantidad de tomos que tocan a determinado

tomo (cantidad de vecinos ms cercanos a un tomo en particular)
N coordinacin CS = 6 N coordinacin BCC = 8

N coordinacin FCC = 12

Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son esferas

duran que tocan a su vecino ms cercano
Factor de empaquetamiento
cantidad de tomos por celda volumen de tomos
volumen de la celda unitaria
Ejercicio:
Calcular el factor de empaquetamiento de la celda CS, BCC y FCC

Factor de
Nmero de
Estructura a (r) empaqueta- Ejemplos
coordinacin
miento
Cbica
a = 2r 6 0,52 Po
simple (CS)
Cbica
Fe, Ti, W, Mo,
centrada en
a = 4r/3 8 0,68 Nb, Ta, K, Na,
el cuerpo
V, Cr, Zr
(BCC)
Cbica
Fe, Cu, Al,
centrada en
a = 4r/2 12 0,74 Au, Ag, Pb,
las caras
Ni, Pt
(FCC)
Hexagonal
a = 2r Ti, Mg, Zn,
compacta 12 0,74
c/a = 1,633 a Be, Co, Zr, Cd
(HC)

Densidad
La densidad terica de un material se puede calcular con las
propiedades de su estructura cristalina
Densidad
cantidad de tomos por celda masa atmica
volumen de la celda unitaria N Avogadro
Ejercicio:
Determinar la densidad del aluminio, si este metal cristaliza FCC,

tiene un radio atmico de 0,143 nm y un peso atmico de 26,98
g/mol

Ejercicio
Una aleacin cristaliza cbica centrada en las caras, como se muestra
en figura, Calcule:
a) El factor de empaquetamiento A
b) La densidad terica
rA = 4,83 B
rB = 5,21
masa molecular tomo A: 56,78 g/mol
masa molecular tomo B: 65,98 g/mol

Ejercicio
Se tiene una aleacin formada por tomos A y tomos B, que cristaliza
FCC, los tomos A se ubican en los vrtices de la celda y los tomos B en
el centro de las caras.
a) Calcule el factor de empaquetamiento de la celda unitaria
b) Calcule el radio de los tomos que pueden ingresar al centro de la
celda, sin causar deformacin
c) Calcule la densidad de la aleacin
tomo Radio () (kg/m3) masa atmica

(g/mol)
A 1,5 7.698 58,34
B 1,46 7.956 55,23
X 7.547 45,89

Ejercicio
Un clip pesa 0,59 g y es de hierro BCC. Calcule:

a) La cantidad de celdas unitarias en el clip
b) La cantidad de tomos de hierro en el clip
a0 = 2,866
masa atmica = 55,847 g/mol

densidad = 7,87 g/cm3

Ejercicio:
La estructura del cloruro de sodio es una estructura cbica, compuesta por 4
tomos de cloro y 4 tomos de sodio, tal como se muestra en figura. Determine
a) Densidad del cloruro de sodio
b) Factor de empaquetamiento de la celda
rsodio = 0,098 nm
rcloro = 0,181 nm
N avogadro = 6,02 x 1023

Ejercicio
Se tiene un metal A que cristaliza cbico de cara centrada, cuyo radio
atmico es de 1,24 A.
a) Calcule el radio de un tomo que podra ubicarse en el centro de
la celda sin producir deformacin.
b) Cul el la variacin porcentual del factor de empaquetamiento de
la celda al ingresar el nuevo tomo

Isomorfismo, polimorfismo y alotropa
Hay elementos y compuestos que pueden presentar distintas

estructuras cristalinas dependiendo de la presin y temperatura a la
que estn expuestos.

Isomorfismo: Se llaman materiales isomorfos a aquellos slidos que
teniendo el mismo sistema de cristalizacin, tienen distinta
composicin de elementos qumicos.
Polimorfismo: Capacidad de un material slido de existir en ms

de una estructura cristalina, todas ellas con la misma composicin
de elementos qumicos.
Alotropa . Cuando las sustancias polimorfas son elementos puros

y los estados que toman en diferente red espacial se denominan
estados alotrpicos.

Por ejemplo el diamante y el grafito son dos altropos del carbono:
formas puras del mismo elemento, pero que difieren en estructura.
El grafito es estable en condiciones ambientales, mientras que el

diamante se forma a presiones extremadamente elevadas.

El hierro puro se presenta en estructura cristalina BCC y FCC en el
rango de temperaturas que va desde temperatura ambiente hasta la
temperatura de fusin a 1.539 C.

La transformacin polimrfica a menudo va acompaada de
modificaciones de la densidad y de otras propiedades fsicas.
En los materiales cermicos polimrficos como la SiO2 y la ZrO2, la

transformacin puede acompaarse de un cambio de volumen, que si
no se controla de manera adecuada, produce un material frgil que se
fractura con falicidad.
Circonia (ZrO2)
T Ambiente 1.170 C Monoclnica

1170 C 2.370 C Tetragonal
2.370 C 2.680 C Cbica

Ejercicio
Calcular el cambio de volumen terico que acompaa a la
transformacin alotrpica en un metal puro desde la estructura FCC a
BCC. Considere que no existe cambio de volumen atmico antes y
despus de la transformacin.

IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO
Se ha descrito el slido cristalino mediante la aproximacin de un

cristal ideal
Pureza composicional
Perfeccin en materiales
Pureza estructural
IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO
Las imperfecciones juegan un papel fundamental en numerosas

propiedades del material: mecnicas, pticas, elctricas, se
encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance
(grano)
Se introducen intencionalmente para beneficiar determinadas

propiedades
Ejemplos: - Carbono en Fe para mejorar dureza
- Cu en Ag para mejorar propiedades mecnicas
- Dopantes en semiconductores

Clasificacin de las imperfecciones en los slidos (segn su forma y
geometra):

Defectos puntuales:
Defecto de vacancia (a)

Defecto intersticial (b)
Defecto sustitucional (c,
d)

Defectos puntuales
- Son discontinuidades de la red que involucran uno o quiz varios

tomos.
- Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en el
material mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por
calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante la
introduccin de impurezas; o intencionalmente a travs de las
aleaciones.

Defecto de Vacancias
Se produce cuando falta un tomo en la estructura cristalina
Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.
Las vacancias pueden producirse durante la solidificacin como

resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de los
cristales.
En los metales se pueden introducir vacancias durante la deformacin

plstica, por enfriamiento rpido desde altas a bajas temperaturas, o
como consecuencia de daos por radiacin.
Las vacancias son importantes cuando se desean mover los tomos

en un material slido (difusin).

A temperatura ambiente, la concentracin de vacancias es pequea,
pero aumenta en forma exponencial con la temperatura.
El nmero de vacancias en equilibrio a una determinada temperatura

en una red cristalina metlica puede expresarse por la siguiente
ecuacin:
nv : cantidad de vacancias por cm3
Qv n : cantidad de tomos por cm3

n v n exp Q : energa para producir un mol de
RT vacancias (cal/mol o joule/mol)
R : constante de los gases (1,987 cal/mol

K; 8,31 joule/mol K)
T : temperatura en grados Kelvin

Ejercicio
Calcule
a) El nmero de vacancias de equilibrio por centmetro cbico en el

cobre a 500 C
b) La fraccin de vacancias a 500 C del cobre puro

Defectos Intersticiales
Se produce cuando se inserta un tomo en una estructura cristalina

en una posicin normalmente desocupada.
El aumento de sitios intersticiales ocupados en la red cristalina,

produce un aumento de la resistencia de los materiales metlicos
La cantidad de tomos intersticiales en la estructura es

aproximadamente constante (an cuando cambie la temperatura)

Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los sitios
intersticiales, por lo cual la regin cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.

Defecto puntual
autointersticial
Se crea cuando un
tomo idntico a los de
la red ocupa una
posicin intersticial.

Defecto Sustitucional
Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo es sustituido

por otro tomo de distinta naturaleza.
Un tomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.
Estos tomos cuando son de mayor tamao, causa una reduccin

de los espacios interatmicos vecinos.
Cuando son de menor tamao, se produce una mayor distancia

interatmica entre los tomos vecinos
Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de

impurezas o adicionar de manera deliberada en la aleacin.
Una vez introducidos, la cantidad de defectos no varia con la

temperatura.

Defecto de Frenkel (o par de Frenkel)
Es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un in salta de un
punto normal de la red a un sitio intersticial y deja atrs una vacancia.
Este defecto, que se presenta generalmente en cristales inicos,
tambin se puede presentar en los metales y en materiales con
enlaces covalentes.
Defecto de Schottky
Es un defecto exclusivo de los materiales inicos y suele encontrarse
en muchos materiales cermicos.
Cuando dos iones de carga opuesta faltan en un cristal inico, se crea
una divacante aninica-catinica que se conoce como defecto de
Schottky

Cristal inico ilustrando un defecto de Frenkel y un defecto de Schottky

IMPERFECCIONES LINEALES: DISLOCACIONES
DISLOCACIN.- Imperfeccin lineal alrededor de la cual los tomos del cristal

estn desalineados
DE ARISTA (borde, cua, lnea)

Semiplano de tomos cuya arista (borde) termina dentro del cristal.
HELICOIDAL
Apilacin de planos en espiral a lo largo de la lnea de dislocacin.
MIXTAS De carcter doble: arista y helicoidal

Dislocacin de borde
Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un

semiplano extra de tomos

La dislocacin de cua o de arista, es un defecto lineal centrado
alrededor de la lnea definida por el extremo del semiplano de tomos
extras.
La magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una
dislocacin se expresa en funcin del vector de Burgers, designado
por b.
El vector de Burgers es el vector necesario para cerrar una
trayectoria alrededor d ela lnea de dislocacin y volver al punto
inicial.
El vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin.
La dislocacin de borde presenta una regin de compresin donde
se encuentra el semiplano extra y una regin de traccin debajo del
semiplano extra de tomos.
Dislocacin de borde en dos dimensiones de un plano compacto

Desplazamiento de una dislocacin
Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento

de una dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en
respuesta a una tensin de cizalle aplicada.

Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga
y el de una dislocacin.
Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el defecto

y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de deslizamiento, en
el plano de deslizamiento.

Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de Burgers a
un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede mover, rompiendo los
enlaces de los tomos en un plano.
El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano

parcial de tomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva una distancia atmica

hacia el lado.
Si continua este proceso, la dislocacin se mueve a travs del cristal hasta que
se produce un escaln en el exterior del mismo.
El cristal se ha deformado plsticamente

Lnea de dislocacin: lnea que va a lo largo del plano extra de
tomos que termina dentro del cristal
Plano de deslizamiento: plano definido por la lnea de dislocacin y el

vector de deslizamiento.
Smbolo: las dislocaciones de borde se simbolizan con un signo de

perpendicular, . Cuando el signo apunta hacia arriba, el plano extra
de tomos est sobre el plano de deslizamiento y la dislocacin se le
llama positiva. Cuando el signo apunta hacia abajo, T, el plano extra
de tomos est bajo el plano de deslizamiento y la dislocacin es
negativa.

Dislocacin de tornillo (helicoidal)
Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto

aplicando tensiones de cizalladura en las regiones del cristal
perfecto que han sido separadas por un plano cortante.
Estas tensiones de
cizalladura introducen en la
estructura cristalina una
regin de distorsin en
forma de una rampa en
espiral de tomos
distorsionados.

Formacin de una dislocacin helicoidal

Dislocacin mixta
La lnea de dislocacin puede presentar partes de carcter de borde y

otras de carcter de tornillo. El desorden atmico varia a lo largo de la
curva AB

Dislocacin de tornillo Dislocacin mixta

Importancia de las dislocaciones
Es un mecanismo que explica la deformacin plstica de los metales,

ya que el esfuerzo aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.
La presencia de dislocaciones explica porque la resistencia de los

metales es mucho mas baja que el valor calculado a partir de la unin
metlica (rompimiento de enlaces) [103 104 ms baja que la resistencia
terica]
El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario

stos serian frgiles y no podran ser conformados (materiales cermicos,
polmeros, materiales inicos)
Se controlan las propiedades mecnicas de un metal o aleacin

interfiriendo el movimiento de las dislocaciones (un obstculo introducido
en el cristal evita que una dislocacin se deslice, a menos que se
apliquen esfuerzos mayores, por lo tanto aumenta la resistencia).

Importancia de los defectos puntuales
Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos

circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de
espaciamientos atmicos, a partir del defecto.
Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas de un defecto

puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en sus
posiciones de equilibrio.
Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que la

dislocacin venza al defecto, incrementando as la resistencia y dureza
del material

Si los tomos solutos se renen preferentemente alrededor de las
dislocaciones, la fuerza necesaria para mover una dislocacin puede
aumentar considerablemente.

Defectos de superficie
Son lmites o planos que separan un material en regiones, cada regin

tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientacin
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en

donde termina el cristal. Cada tomo en la superficie ya no tiene el
nmero adecuado de coordinacin y se interrumpe el enlazamiento
atmico
El lmite de grano, que es la superficie que separa los granos

individuales, es una zona angosta donde los tomos no tienen la
distancia correcta entre s; existen zonas de compresin y otras de
traccin.

(a) Esquema que muestra el ordenamiento de los tomos en la
formacin del borde de grano. (b) Granos y lmites de grano en una
muestra de acero inoxidable.

Material policristalino

Un mtodo para controlar las propiedades de un material es
controlar el tamao del grano, ya sea durante la solidificacin o
durante el tratamiento trmico.
En los metales, los lmites de grano se originan durante la

solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes
ncleos crecen simultneamente juntndose unos con otros
Al reducir el tamao de grano, se aumenta la resistencia del

material, ya que no permiten el deslizamiento de las dislocaciones
Un material con un tamao de grano grande tiene menor

resistencia y menor dureza.

Importancia de los defectos
En los materiales metlicos, los defectos como las dislocaciones,
defectos puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las
dislocaciones.
Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando

la cantidad y el tipo de imperfeccin
Endurecimiento por deformacin

Endurecimiento por solucin slida
Endurecimiento por tamao de grano

Endurecimiento por deformacin
Se requieren esfuerzos
Los tomos vecinos a
mayores para mover una
una lnea de dislocacin
dislocacin cuando se
estn en compresin
encuentra con otra
y/o traccin.
dislocacin
Al incrementar el nmero de
dislocaciones, se aumenta la Metal ms resistente
resistencia del material

Endurecimiento por solucin slida
Se requiere de mayor
El defecto puntual altera
esfuerzo para que una
la perfeccin de la red
dislocacin se deslice
Al introducir intencionalmente tomos

sustitucionales o intersticiales, se genera
un endurecimiento por solucin slida

Endurecimiento por tamao de grano
Los limites de grano El movimiento de las

alteran el arreglo dislocaciones se bloquea en los
atmico bordes de grano
Al incrementar el nmero
de granos o al reducir el
tamao de stos, se
produce endurecimiento
por tamao de grano.

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Orden de corto alcance

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Ejemplo: agua en estado vapor, vidrios cermicos (slice), polmeros

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Diagrama molecular del cuarzo Diagrama molecular del vidrio

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Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de una nanopartcula

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Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con

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Cristal: conjunto de tomos ordenados segn un arreglo peridico en

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Un slido cristalino es un conjunto de

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Estructura cristalina cbica de cara centrada:

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Las unidades de la longitud se expresan en nanmetros (nm) o en angstrom (A)

1 nanmetro (nm) = 10-9 m = 10-7 cm = 10 A

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Estructura cristalina Elemento

Cbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt

Cbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos

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En la celda unitaria, las direcciones a lo largo de las cuales los tomos

Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin con base en los

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Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo

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Los tomos entran en contacto a lo largo de la diagonal de la cara

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Calcular el parmetro de red y el volumen de la celda unidad del hierro

radio atmico = 1,24

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Radio inico sodio = 0,98

Radio inico cloro = 1,81

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Si consideramos que cada punto de la red coincide con un tomo,

tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de tomo, ya que

tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con de

tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1 tomo.

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Calcule la cantidad de tomos por celda en el sistema cristalino

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Un metal cristaliza en la red cbica centrada en las caras. Si su radio

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El nmero de coordinacin es la cantidad de tomos que tocan a determinado

N coordinacin CS = 6 N coordinacin BCC = 8

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Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son esferas