CIRCUITOS A DIODOS

1 Semicondutores
O material bsico utilizado na construo de
dispositivos eletrnicos semicondutores, em estado
natural, no um bom condutor, nem um bom isolante.

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1 Semicondutores

O silcio e o germnio so muito

utilizados na construo de
dispositivos eletrnicos.

O silcio e o mais utilizado, devido as

suas caractersticas serem melhores
em comparao ao germnio e
tambm por ser mais abundante na
face da terra.
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1 Semicondutores

Em comparao com os metais e os

isolantes, as propriedades eltricas dos
semicondutores so afetadas por variao de
temperatura, exposio a luz e acrscimos de
impurezas.

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1 Semicondutores
O tomo - constitudo por partculas elementares, as
mais importantes para o nosso estudo so os eltrons, os
prtons e os nutrons.

Camada de Valncia - A ltima camada eletrnica (nvel

energtico) chamada camada de valncia. O silcio e o
germnio so tomos tetravalentes, pois possuem quatro
eltrons na camada de valncia.

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1 Semicondutores

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1 Semicondutores
Camada de Valncia

O silcio e o germnio so tomos tetravalentes,

pois possuem quatro eltrons na camada de valncia.
O potencial necessrio para tornar livre qualquer
um dos eltrons de valncia menor que o necessrio
para remover qualquer outro da estrutura.
Os eltrons de valncia podem absorver energia
externa suficiente para se tornarem eltrons livres.
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1 Semicondutores

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1 Semicondutores
Corrente em Semicondutores
Em um semicondutor intrnseco, tanto eltrons quanto
lacunas contribuem para o fluxo de corrente.
Eltrons livres de sua posio fixa no reticulado: movem-
se na banda de conduo.

Eltrons na banda de valncia: movem-se

ocupando posies disponveis no reticulado,
preenchendo os vazios deixados pelos eltrons
livres - Conduo de lacunas migrando ao
longo do material no sentido oposto ao
movimento do eltron livre.

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1 Semicondutores
MATERIAIS EXTRINSECOS
Dopagem - A adio de certos tomos estranhos aos tomos
de silcio ou germnio, chamados de tomos de impurezas,
pode alterar a estrutura de camadas (bandas) de energia de
forma suficiente mudar as propriedades eltricas dos materiais
intrnsecos.

Material extrnseco - Um material semicondutor que tenha

sido submetido a um processo de dopagem por impurezas e
chamado de material extrnseco.

Esses materiais so chamados de: tipo N e tipo P.

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1 Semicondutores
MATERIAL DOPADO
TIPO N
Um mtodo de dopagem consiste na utilizao de elementos
contendo 5 eltrons na camada de valncia (penta-valente),
como o antimnio, arsnio e fsforo.
O quinto eltron, porm, fica desassociado de qualquer
ligao. Esse eltron pode tornar-se livre mais facilmente que
qualquer outro, podendo nessas condies vagar pelo cristal.
O material tipo N resultante, e eletricamente neutro.

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1 Semicondutores
MATERIAL DOPADO
TIPO N

Cristal semicondutor
puro, onde tomo de
Silcio foi substitudo por
um tomo de Arsnio

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1 Semicondutores
MATERIAL DOPADO
TIPO P
O material tipo P formado pela dopagem do semicondutor
intrnseco por tomos trivalentes como o boro, glio e ndio.
H agora um nmero insuficiente de eltrons para
completar as ligaes covalentes. A falta dessa ligao
chamada de lacuna ou (buraco).
Como uma lacuna pode ser preenchida por um eltron, as
impurezas trivalentes acrescentadas ao silcio ou germnio
intrnseco, so chamados de tomos aceitadores ou
receptores.
O material tipo P resultante eletricamente neutro.
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1 Semicondutores
MATERIAL DOPADO
TIPO P
Cristal
semicondutor puro,
onde um tomo de
Silcio foi
substitudo por um
tomo de ndio

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1 Semicondutores
Semicondutores dopados ou extrnsecos
Impurezas pentavalentes: antimnio, arsnico, fsforo
produzem semicondutores do tipo-n, por contribuirem com
eltrons extras (impurezas doadoras).
Impurezas trivalentes: bro, alumnio, glio produzem
semicondutores do tipo-p, por produzirem lacunas ou
deficincia de eltrons (impurezas aceitadoras).
N P

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1 Semicondutores
Cargas em um cristal P

Cargas em um cristal N

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1 Semicondutores
Estrutura de bandas de energia
Banda de
conduo
Banda de
Eltrons conduo
livres
Banda
proibida

Lacunas Banda de
Valncia
Banda de
Valncia

isolante semicondutor condutor

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2 Diodos

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2 Diodos

Constituio

Um dodo rectificador constitudo por uma juno PN de

material semicondutor (silcio ou germnio) e por dois
terminais, o Anodo (A) e o Catodo (K).

Smbolo:

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2 Diodos
A juno de um material semicondutor do tipo P (com
excesso de lacunas) com um material semicondutor do tipo N
(com excesso de electrons livres) origina uma juno PN. Na
zona da juno, os electrons livres do semicondutor N
recombinam-se com as lacunas do semicondutor P formando
uma zona sem portadores de carga eltrica que se designa
por zona neutra ou zona de depleo.

Electrons livres Lacunas

Zona neutra
ou zona de
depleo

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2 Diodos
Identificao visual dos terminais
O terminal que se encontra mais
prximo do anel o catodo (K).

O terminal ligado parte mais

estreita/afunilada o catodo (K).

O terminal ligado parte roscada

o catodo (K).

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2 Diodos
Diodo polarizado diretamente

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2 Diodos
Diodo polarizado diretamente
O dodo rectificador um componente unidirecional ou seja,
s conduz num sentido (quando o Anodo est a um potencial
positivo em relao ao Catodo). Nessa situao diz-se que o
dodo est polarizado diretamente.

A K

+
VCC
_

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2 Diodos
Diodo polarizado inversamente

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2 Diodos
Diodo polarizado inversamente

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2 Diodos
Diodo polarizado inversamente
Quando o diodo retificador est polarizado inversamente
(Anodo a um potencial negativo em relao ao catodo) no
conduz (est ao corte).

K A

VCC
_

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2 Diodos
Principio de funcionamento
Quando polarizado diretamente um diodo retificador conduz
porque na juno PN a zona neutra ou zona de depleo
(zona sem portadores de carga elctrica) estreita a
resistncia eltrica diminui e a corrente eltrica passa.

Electrons livres Lacunas

Zona neutra
ou zona de
depleo
estreita

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2 Diodos
Principio de funcionamento
Quando polarizado inversamente um diodo retificador no
conduz porque na juno PN a zona neutra ou zona de
depleo (zona sem portadores de carga eltrica) alarga a
resistncia eltrica aumenta significativamente e a corrente
eltrica no passa.
Electrons livres Lacunas

Zona neutra ou
zona de
depleo alarga

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2 Diodos

Queda de tenso interna

Quando o diodo est polarizado diretamente a corrente
eltrica ao passar pela zona neutra ou zona de depleo que
apresenta uma certa resistncia, origina uma queda de
tenso (U=RxI).
Nos diodos de silcio essa queda de tenso interna pode
variar entre 0,6Volt e 1Volt.
Nos diodos de germnio essa queda de tenso interna
pode variar entre 0,2Volt e 0,4Volt.

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2 Diodos

Caractersticas tcnicas
IF
1quadrante

Tenso UF
direta
Corrente IF
direta
UR UF
3quadrante

Tenso UR
inversa
Corrente IR
inversa
IR

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2 Diodos
Leitura das caractersticas tcnicas
Exemplo:
Diodo retificador 1N4007

UR = 1000V Tenso inversa mxima que se pode aplicar

ao diodo em polarizao inversa.
IF = 1A Corrente direta mxima permanente que
pode circular pelo diodo.
IR = 5A Corrente inversa que percorre o dodo
quando polarizado inversamente
VF = 1,1V Queda de tenso interna mxima quando o
diodo polarizado diretamente conduz uma
corrente direta de 1A.

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2 Diodos Curva caracterstica

IF
Pode-se observar na curva
caracterstica do 1 quadrante
(diodo polarizado diretamente)
que medida que se aumenta
a tenso direta (UF) a corrente
Corrente
direta
direta (IF) tambm aumenta.
Tenso de Na curva do 3 quadrante
ruptura (diodo polarizado
inversamente) podemos
UR Corrente de fuga UF observar que para uma dada
faixa da tenso inversa (UR) a
corrente inversa (IR)
desprezvel (corrente de fuga).
Corrente de A tenso inversa no pode
avalanche atingir a tenso de ruptura pois
isso acarreta que o dodo passe
a conduzir em sentido contrrio
IR (rompeu a juno PN).

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2 Diodos Reta de carga

Consideremos o circuito:

VF IF
+ _

+ + -VCC + VF + RC.IF = 0
VCC RC
_ VF + RC.IF = VCC
_

Encontramos uma equao que relaciona VF e IF:

VCC = VF + RC.IF
Esta equao permite determinar os dois pontos da reta de
carga, que sobreposta curva caracterstica do dodo,
determinar o ponto de funcionamento (Q) do diodo.

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2 Diodos
Reta de carga
Este um mtodo grfico que permite que encontremos o ponto de
funcionamento do dodo. de notar que a reta de carga depende do
circuito (VCC e RC) em que o dodo est inserido, enquanto que a
curva caracterstica fornecida pelo fabricante.

IF
VCC = VF + RC.IF

Corrente de
saturao Tenso de corte
Ponto de IF=0 VCC=VF
IFQ funcionamento (Q)
Corrente de saturao
Reta de carga VF=0 IF=VCC / RC

VFQ
Tenso VF
de corte

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2 Diodos
Exemplo da determinao do ponto de funcionamento (Q) de um dodo
IF
VCC = VF + RC.IF

+
VCC=3V RC=750 Tenso de corte
_ IF=0 VCC=VF VF=3 V
Corrente de saturao
VF=0 IF=VCC / RC IF=3 / 750
mA
IF= 4 mA

5 Para as condies do circuito

4
(VCC=3Volt e RC=750) e a curva
3 Q caracterstica representada, a
2,5
2
corrente directa no dodo ser de
1
IFQ2,5mA e a tenso direta ser de
VFQ=1,1V.
1 2 3
1,1

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2 Diodos

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3 LED: DIODO EMISSOR DE LUZ

DIODO EMISSOR DE LUZ
Light Emitting Diode
No LED a energia irradiada na forma de
energia luminosa, que pode estar no espectro
visvel (luz vermelha, verde etc) ou situada no
espectro invisvel (infravermelho).

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3 LED: DIODO EMISSOR DE LUZ

Enquanto os diodos comuns so fabricados com

silcio ou germnio, os LEDs utilizam elementos
qumicos como glio, arsnio, fsforo.

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4 FOTODIODO

um diodo que conduz corrente (reversamente)

quando sofre incidncia de luz visvel ou no.
So usados no controle remoto de televiso.

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5 DIODO ZENER

Componente que mantm a tenso constante

entre seus terminais quando a corrente que
circula sobre ele varia. a pea mais importante
dos reguladores de tenso, que so circuitos que
mantm a tenso de carga praticamente
constante apesar das grandes variaes na
tenso de alimentao e/ou da resistncia de
carga.

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5 DIODO ZENER

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5 VARICAP
Este tambm chamado de VARICAP ou diodo de
sintonia ou ainda diodo de capacitncia varivel.
um diodo que apresenta como caracterstica
principal um valor de capacitncia entre seus
terminais, sendo que este valor pode ser
controlado pela tenso reversa a ele aplicada.
Este diodo muito utilizado em receptores de
televiso, rdios AM e FM e osciladores.

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5 VARICAP

Quando um diodo polarizado reversamente

sua regio de depleo aumenta e em baixa
frequncia comporta-se como circuito aberto,
mas em alta frequncia ele pode funcionar
como um capacitor.

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5 VARICAP

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6 Diodos Schottky
Utilizados em circuitos com altas frequncias
(aplicaes de UHF, VHF, deteco e comutao).
A tenso de conduo destes diodos tambm
menor (0,25V em vez de 0,7V dos diodos
comuns). Por este fato, estes diodos so
tambm utilizados como retificadores em fontes
de baixas tenso e largamente utilizados em
eletrnica digital.

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6 Diodos Schottky

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