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TRANSISTORES BIPOLARES

1 Introduo: tipos de transistores


NPN
BIPOLARES
PNP

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)


UNIO
CANAL P (JFET-P)

EFEITO DE
CAMPO
CANAL N (MOSFET-N)
METAL-XIDO-
SEMICONDUTOR
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

IFBA Disciplina: Eletrnica Geral Prof. Durval de Almeida Souza, Ph.D.


TRANSISTORES BIPOLARES

1 Introduo:
O transistor de juno um dispositivo que atua como amplificador de corrente
Consiste em duas junes PN colocadas em oposio
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do processo do fluxo de
corrente
transistor PNP
E
EMISSOR P P
COLETOR Simbologia
N B

C
BASE
transistor NPN C

EMISSOR N N
P COLETOR
B Simbologia

E
BASE

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TRANSISTORES BIPOLARES

2 Principio de funcionamiento do transistor bipolar


Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as
suas junes, da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente

Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.

Transistor npn com polarizao Transistor pnp com


direta entre base e emissor e polarizao direta entre base
polarizao reversa entre coletor e e emissor e polarizao
base. reversa entre coletor e base

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

- -
+

- - -

+
-
+

+
+

+
+

+
- - - - - -
+

+
- +

+
- - -
+ +

+ +
-
+

+
+

+
- - - - -
+

+
+

+
-
+

- -
+

+
- - -

+
+

+
P N N + - P

Concentrao
de lacunas

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

P N N N P

Se a zona central muito larga o comportamento o de dois diodos em


srie: o funcionamento da primeira unio no afeta o da segunda.

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

P N P

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TRANSISTORES BIPOLARES

2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

P N P

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

P N P

O terminal central (base) lida apenas com uma frao da corrente que
circula entre os outros dois terminais (emissor e coletor): EFEITO
TRANSISTOR

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

Base

Emissor Coletor

Transistor PNP
P N P

O terminal de base atua como terminal de controle manipulando uma


frao da corrente muito menor que a do emissor e o coletor.
O emissor tem uma concentrao de impurezas muito superior do
coletor: emissor e coletor no podem ser trocados um pelo outro.

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar


Transistor NPN

N P N

Se comporta de forma equivalente ao transistor PNP, com a diferena de


que a corrente se deve majoritariamente ao movimiento de eletrons.
Em um transistor NPN em conduo, a corrente pelo emissor, coletor e
base circula em sentido oposto ao de um transistor PNP.

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar


Transistor NPN

Base

Emissor Coletor

Transistor NPN
N P N

A maior mobilidade que os eletrons apresentam faz com que as


caractersticas do transistor NPN sejam melhores que as de um PNP de
forma e tamanho equivalentes. Os NPN so empregados em maior nmero
de aplicaes.

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar


Concluses:
Um transistor bipolar formado por duas junes PN.
Para que seja um transistor e no dois diodos devem atender duas
condies:
1) A zona da Base deve ser muito estreita.
2) O emissor deve ser muito dopado.
Normalmente, o coletor muito pouco dopado e muito maior.
C

N- Descubertos por
Shockley, Brattain
P N+ e Barden en 1947
(Laboratrios Bell)

B E

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar


Transistor NPN A princpio necessitamos conhecer 3
tenses e 3 correntes:
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada
IC, IB, IE
IC
+ + VCE, VBE, VCB
VCB
Na prtica basta conhecer s 2
IB - VCE correntes e 2 tenses.
+
VBE Normalmente se trabalha com IC, IB,
IE VCE e VBE.
-
-
Da, as outras duas so facilmente
obtidas:

IE = IC + IB
IC = f(VCE, IB) Caracterstica de sada VCB = VCE - VBE

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar


Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada VCE

IC IB
+

IB VCE
+
VBE VBE
-
-

Entre a base e o emisor o transistor se comporta como um diodo.

A caracterstica deste diodo depende de VCE, porm a variao pequena.

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar


Transistor NPN

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de sada


IC IC
+

IB
IB VCE
+
VBE
-
- VCE

A corrente que circula pelo coletor controlada atravs da corrente da


base IB.

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3 Caractersticas eltricas do transistor bipolar: linearizao

Transistor NPN: linearizao da caracterstica de sada

Zona ativa: IC=IB


IC IC (mA) IB (A)
+ 400
40

IB 30 300
+ VCE
20 200
VBE
- 10 100
- 0
Zona de 1 2 VCE (V)
saturao
Zona de corte

O parmetro fundamental que descreve a caracterstica de sada do


transistor o ganho de corrente .

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3 Caractersticas eltricas do transistor bipolar: linearizao

Transistor NPN: linearizao da caracterstica de entrada


VCE
IC IB
+

IB Ideal
+ VCE
VBE
-
- VBE

A caracterstica de entrada corresponde de um diodo e se emprega as


aproximaes lineares vistas anteriormente.

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3 Caractersticas eltricas do transistor bipolar: linearizao


Transistor NPN: zonas de funcionamento do transistor ideal
IC
+
IC Zona ativa IB
+ + IB VCE
IB
+ VCE VBE
- -
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturao + IC<IB VCE=0
IC
IB VBE
- -
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -
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4 Funcionamento em comutao de um transistor NPN


12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I = 100
40 mA

Substituimos o interruptor principal por IC


um transistor.

A corriente da base deve ser suficiente 4A IB = 40 mA


para garantir a zona de saturacin.
PF (ON) 3 A ON
Vantagens:
No desgasta, sem faiscas, rapidez, OFF
permite controle atravs de sistemas
lgicos.
12 V VCE
Eletrnica de Potncia e Eletrnica digital PF (OFF)

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5 Caractersticas eltricas do transistor bipolar


Transistor PNP

IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC

IC IB
-

IB VEC
-
VEB VEB
+ +

As tenses e correntes seguem em sentido contrrio quelas de um transistor


NPN.
Entre o emissor e a base se comporta como um diodo. A corrente da base
est saindo.

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5 Caractersticas eltricas do transistor bipolar


Transistor PNP

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de sada


IC IC
-

IB
IB VEC
-
VEB

+ + VEC

A corrente que circula pelo coletor est saindo e controlada atravs da


corrente da base IB.

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6 Funcionamento em comutao de um transistor PNP

12 V = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W

IC
Da mesma forma que foi analisado
anteriormente, substituimos o interruptor 4A IB = 40 mA
principal por um transistor.
PF (ON) 3 A ON
A corrente da base (agora circula ao
contrrio) deve ser suficiente para garantir OFF
a zona de saturao.

12 V VEC
PF (OFF)
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7 Caractersticas eltricas reais do transistor bipolar


Caractersticas reais (NPN)
Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
VCE1 VCE2 CMax
VCE = 0
IB5

Saturacin IB4 PMax = VCEIC

IB3
Avalancha
IB2 Primaria

IB1

VBE IB= 0

1V VCEMax VCE
Caracterstica
Corte
de Entrada
Caracterstica
de Sada

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7 Caractersticas eltricas reais do transistor bipolar

Caractersticas reais: datos disponibilizados pelos fabricantes


IC
C
IC-MAX Corrente mxima de colector B
ICMAX
VCE-MAX Tenso mxima CE E
PMAX Potncia mxima PMAX

VCE-SAT Tenso C.E. de saturao SOAR


VCE-MAX
HFE Ganho

VCE
rea de operao segura
(Safety Operation Area)

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7 Caractersticas eltricas reais do transistor bipolar


FLUXO DE CORRENTE:
A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.
Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o
resultado dos portadores majoritrios provenientes
do emissor. A corrente de coletor divide-se
basicamente em duas componentes: a corrente
proveniente do emissor e a corrente proveniente do
juno reversamente polarizada coletor-base,
denominada ICBO, sendo que esta ltima assume
valores extremamente baixos que em muitos casos
podem ser desprezados.

A quantidade de corrente que chega no coletor


proveniente do emissor depende do tipo de material
e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente
A juno base-emissor est polarizada diretamente e varia de acordo com o tipo de transistor.
por isto, representa uma regio de baixa impedncia.
A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da A constante de proporcionalidade dessa corrente
ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silcio), definida como (alfa), de forma que, a corrente de
polarizao esta, caracterizada pela bateria VEE coletor representada por IE. Os valores tpicos de
enquanto que, a juno base-coletor est variam de 0,9 a 0,99. Isto significa que parte da corrente
reversamente polarizada em funo da bateria VCC. do emissor no chega ao coletor.
Na prtica, VCC assume valores maiores do que VEE.

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7 Caractersticas eltricas reais do transistor bipolar


FLUXO DE CORRENTE: Exemplo 1

Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se que a corrente


de emissor 2mA?
Soluo:
IC = IE IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA

Caso ICBO no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:

IC = IE + ICBO ( I )
Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na
base forma a corrente de base, assim:

IE = IC + IB ( II )

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TRANSISTORES BIPOLARES

7 Caractersticas eltricas reais do transistor bipolar

FLUXO DE CORRENTE: Exemplo 1

Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:

IC = IE + ICBO ( I ) IE = IC + IB ( II )

I E I E ICBO I B IB = (1 - ) . IE - ICBO 1 I CBO


IB IC

A relao / (1 - ) representada por (beta). O smbolo hFE algumas vezes usado no lugar
Podemos ento estabelecer as relaes: de



1 1

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7 Caractersticas eltricas reais do transistor bipolar


FLUXO DE CORRENTE: Exemplos 2 e 3

a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?


Soluo:

0,92 0,92
11,5
1 0,92 0,08

b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?

Soluo:

100
0,99
1 101

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7 Caractersticas eltricas reais do transistor bipolar

Podemos ento estabelecer uma relao entre e

Temos ento:

IC IC

IB IE
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da ordem de 30 a
300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a aproximar-se de 1.
Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos considerar
para fins prticos:

IC = IE

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