Aula 5 Transistores Bipolares

TRANSISTORES BIPOLARES
1 Introduo: tipos de transistores

NPN
BIPOLARES
PNP
TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIO
CANAL P (JFET-P)
EFEITO DE
CAMPO
CANAL N (MOSFET-N)
METAL-XIDO-
SEMICONDUTOR
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor
IFBA Disciplina: Eletrnica Geral Prof. Durval de Almeida Souza, Ph.D.

1 Introduo:
O transistor de juno um dispositivo que atua como amplificador de corrente
Consiste em duas junes PN colocadas em oposio
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do processo do fluxo de
corrente
transistor PNP
E
EMISSOR P P
COLETOR Simbologia
N B
C
BASE
transistor NPN C
EMISSOR N N
P COLETOR
B Simbologia
E
BASE

2 Principio de funcionamiento do transistor bipolar

Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as
suas junes, da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.
Transistor npn com polarizao Transistor pnp com

direta entre base e emissor e polarizao direta entre base
polarizao reversa entre coletor e e emissor e polarizao
base. reversa entre coletor e base

2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar
- -
+
- - -
+
-
+
+
+
+
+
+
- - - - - -
+
+
- +
+
- - -
+ +
+ +
-
+
+
+
+
- - - - -
+
+
+
+
-
+
- -
+
+
- - -
+
+
+
P N N + - P
Concentrao
de lacunas

P N N N P
Se a zona central muito larga o comportamento o de dois diodos em

srie: o funcionamento da primeira unio no afeta o da segunda.

P N P

P N P

P N P
O terminal central (base) lida apenas com uma frao da corrente que
circula entre os outros dois terminais (emissor e coletor): EFEITO
TRANSISTOR

Base
Emissor Coletor
Transistor PNP
P N P
O terminal de base atua como terminal de controle manipulando uma

frao da corrente muito menor que a do emissor e o coletor.
O emissor tem uma concentrao de impurezas muito superior do
coletor: emissor e coletor no podem ser trocados um pelo outro.


Transistor NPN
N P N
Se comporta de forma equivalente ao transistor PNP, com a diferena de

que a corrente se deve majoritariamente ao movimiento de eletrons.
Em um transistor NPN em conduo, a corrente pelo emissor, coletor e
base circula em sentido oposto ao de um transistor PNP.


Transistor NPN
Base
Emissor Coletor
Transistor NPN
N P N
A maior mobilidade que os eletrons apresentam faz com que as

caractersticas do transistor NPN sejam melhores que as de um PNP de
forma e tamanho equivalentes. Os NPN so empregados em maior nmero
de aplicaes.


Concluses:
Um transistor bipolar formado por duas junes PN.
Para que seja um transistor e no dois diodos devem atender duas
condies:
1) A zona da Base deve ser muito estreita.
2) O emissor deve ser muito dopado.
Normalmente, o coletor muito pouco dopado e muito maior.
C
N- Descubertos por
Shockley, Brattain
P N+ e Barden en 1947
(Laboratrios Bell)
B E


Transistor NPN A princpio necessitamos conhecer 3
tenses e 3 correntes:
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada
IC, IB, IE
IC
+ + VCE, VBE, VCB
VCB
Na prtica basta conhecer s 2
IB - VCE correntes e 2 tenses.
+
VBE Normalmente se trabalha com IC, IB,
IE VCE e VBE.
-
-
Da, as outras duas so facilmente
obtidas:
IE = IC + IB
IC = f(VCE, IB) Caracterstica de sada VCB = VCE - VBE


Transistor NPN
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada VCE
IC IB
+
IB VCE
+
VBE VBE
-
-
Entre a base e o emisor o transistor se comporta como um diodo.
A caracterstica deste diodo depende de VCE, porm a variao pequena.


Transistor NPN
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de sada

IC IC
+
IB
IB VCE
+
VBE
-
- VCE
A corrente que circula pelo coletor controlada atravs da corrente da

base IB.

3 Caractersticas eltricas do transistor bipolar: linearizao
Transistor NPN: linearizao da caracterstica de sada
Zona ativa: IC=IB

IC IC (mA) IB (A)
+ 400
40
IB 30 300
+ VCE
20 200
VBE
- 10 100
- 0
Zona de 1 2 VCE (V)
saturao
Zona de corte
O parmetro fundamental que descreve a caracterstica de sada do

transistor o ganho de corrente .

Transistor NPN: linearizao da caracterstica de entrada

VCE
IC IB
+
IB Ideal
+ VCE
VBE
-
- VBE
A caracterstica de entrada corresponde de um diodo e se emprega as

aproximaes lineares vistas anteriormente.


Transistor NPN: zonas de funcionamento do transistor ideal
IC
+
IC Zona ativa IB
+ + IB VCE
IB
+ VCE VBE
- -
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturao + IC<IB VCE=0
IC
IB VBE
- -
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -
4 Funcionamento em comutao de um transistor NPN

12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I = 100
40 mA
Substituimos o interruptor principal por IC

um transistor.
A corriente da base deve ser suficiente 4A IB = 40 mA

para garantir a zona de saturacin.
PF (ON) 3 A ON
Vantagens:
No desgasta, sem faiscas, rapidez, OFF
permite controle atravs de sistemas
lgicos.
12 V VCE
Eletrnica de Potncia e Eletrnica digital PF (OFF)

5 Caractersticas eltricas do transistor bipolar

Transistor PNP
IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC
IC IB
-
IB VEC
-
VEB VEB
+ +
As tenses e correntes seguem em sentido contrrio quelas de um transistor

NPN.
Entre o emissor e a base se comporta como um diodo. A corrente da base
est saindo.

5 Caractersticas eltricas do transistor bipolar

Transistor PNP
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de sada

IC IC
-
IB
IB VEC
-
VEB
+ + VEC
A corrente que circula pelo coletor est saindo e controlada atravs da

corrente da base IB.

6 Funcionamento em comutao de um transistor PNP
12 V = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W
IC
Da mesma forma que foi analisado
anteriormente, substituimos o interruptor 4A IB = 40 mA
principal por um transistor.
PF (ON) 3 A ON
A corrente da base (agora circula ao
contrrio) deve ser suficiente para garantir OFF
a zona de saturao.
12 V VEC
PF (OFF)
7 Caractersticas eltricas reais do transistor bipolar

Caractersticas reais (NPN)
Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
VCE1 VCE2 CMax
VCE = 0
IB5
Saturacin IB4 PMax = VCEIC
IB3
Avalancha
IB2 Primaria
IB1
VBE IB= 0
1V VCEMax VCE
Caracterstica
Corte
de Entrada
Caracterstica
de Sada

Caractersticas reais: datos disponibilizados pelos fabricantes

IC
C
IC-MAX Corrente mxima de colector B
ICMAX
VCE-MAX Tenso mxima CE E
PMAX Potncia mxima PMAX
VCE-SAT Tenso C.E. de saturao SOAR

VCE-MAX
HFE Ganho
VCE
rea de operao segura
(Safety Operation Area)


FLUXO DE CORRENTE:
A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.
Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o
resultado dos portadores majoritrios provenientes
do emissor. A corrente de coletor divide-se
basicamente em duas componentes: a corrente
proveniente do emissor e a corrente proveniente do
juno reversamente polarizada coletor-base,
denominada ICBO, sendo que esta ltima assume
valores extremamente baixos que em muitos casos
podem ser desprezados.
A quantidade de corrente que chega no coletor

proveniente do emissor depende do tipo de material
e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente
A juno base-emissor est polarizada diretamente e varia de acordo com o tipo de transistor.
por isto, representa uma regio de baixa impedncia.
A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da A constante de proporcionalidade dessa corrente
ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silcio), definida como (alfa), de forma que, a corrente de
polarizao esta, caracterizada pela bateria VEE coletor representada por IE. Os valores tpicos de
enquanto que, a juno base-coletor est variam de 0,9 a 0,99. Isto significa que parte da corrente
reversamente polarizada em funo da bateria VCC. do emissor no chega ao coletor.
Na prtica, VCC assume valores maiores do que VEE.


FLUXO DE CORRENTE: Exemplo 1
Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se que a corrente

de emissor 2mA?
Soluo:
IC = IE IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA
Caso ICBO no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:
IC = IE + ICBO ( I )
Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na
base forma a corrente de base, assim:
IE = IC + IB ( II )

FLUXO DE CORRENTE: Exemplo 1
Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:
IC = IE + ICBO ( I ) IE = IC + IB ( II )
I E I E ICBO I B IB = (1 - ) . IE - ICBO 1 I CBO

IB IC

A relao / (1 - ) representada por (beta). O smbolo hFE algumas vezes usado no lugar
Podemos ento estabelecer as relaes: de

1 1


FLUXO DE CORRENTE: Exemplos 2 e 3
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?

Soluo:
0,92 0,92
11,5
1 0,92 0,08
b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?
Soluo:
100
0,99
1 101

Podemos ento estabelecer uma relao entre e
Temos ento:
IC IC

IB IE
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da ordem de 30 a
300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a aproximar-se de 1.
Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos considerar
para fins prticos:
IC = IE

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1 Introduo: tipos de transistores

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

* FET : Field Effect Transistor

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2 Principio de funcionamiento do transistor bipolar

Transistor npn com polarizao Transistor pnp com

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

Se a zona central muito larga o comportamento o de dois diodos em

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

O terminal de base atua como terminal de controle manipulando uma

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

Se comporta de forma equivalente ao transistor PNP, com a diferena de

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

A maior mobilidade que os eletrons apresentam faz com que as

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada VCE

Entre a base e o emisor o transistor se comporta como um diodo.

A caracterstica deste diodo depende de VCE, porm a variao pequena.

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2 Princpio de funcionamento do transistor bipolar

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de sada

A corrente que circula pelo coletor controlada atravs da corrente da

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3 Caractersticas eltricas do transistor bipolar: linearizao

Transistor NPN: linearizao da caracterstica de sada

Zona ativa: IC=IB

O parmetro fundamental que descreve a caracterstica de sada do

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3 Caractersticas eltricas do transistor bipolar: linearizao

Transistor NPN: linearizao da caracterstica de entrada

A caracterstica de entrada corresponde de um diodo e se emprega as

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3 Caractersticas eltricas do transistor bipolar: linearizao

4 Funcionamento em comutao de um transistor NPN

Substituimos o interruptor principal por IC

A corriente da base deve ser suficiente 4A IB = 40 mA

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5 Caractersticas eltricas do transistor bipolar

IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC

As tenses e correntes seguem em sentido contrrio quelas de um transistor

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5 Caractersticas eltricas do transistor bipolar

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de sada

A corrente que circula pelo coletor est saindo e controlada atravs da

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