Electrnica Anloga

Ing. Juan Esteban Palacios Duarte

jepalacios@uao.edu.co
 Electrnica Anloga

Orientado a: Ingeniera Biomdica, Ingeniera Mecatrnica e Ingeniera Elctrica

 Electrnica Anloga
Elementos semiconductores: Diodos, Transistores (BJT, JFET,
MOSFET).

Amplificadores Operacionales: Retroalimentacin positiva y

negativa, instrumentacin y sensores.

Filtros Activos: Primer orden, segundo orden.

Electrnica de potencia: SCR, Triac, fuentes conmutadas.

 Evaluacin

Se realizarn tres laboratorios a lo largo del semestre, la calificacin

de estos dependen de los siguientes factores: Funcionamiento
(25%), Informe (25%) , Sustentacin (50%)
 Fechas Importantes
Actividad Fecha Semana
Primer Laboratorio: (Adjudicacin/Entrega) (3/5)
Primer Parcial: 6
Segundo Laboratorio: (7/9)
(Adjudicacin/Entrega)
Primer avance del proyecto 10
Segundo Parcial 11
Tercer Laboratorio (Adjudicacin/Entrega) (11 / 13)
Segundo avance del proyecto 13
Exposicin de filtros 14
Entrega del proyecto final 16
Examen Final 17
Analgica vs digital
 Definiciones
Tensin elctrica: Fuerza electromotriz (F.E.M) que impulsa
los electrones por medio de un circuito cerrado, la unidad de
medida se le conoce como Voltios. Ej: 5V.

Corriente elctrica: Flujo de electrones que circulan por un

circuito cerrado, la unidad de medida se le conoce como
Amperios. Ej. 3A, 3mA
 Definiciones
Resistencia elctrica: Oposicin al paso de corriente
elctrica, su valor de determina por medio de la letra griega
(). Ej. 5K, 20

Potencia elctrica: Cantidad de energa entregada o

absorbida por un elemento en un tiempo determinado, se
expresa como J/S (Julios por segundo ), Vatios. Ej. 5W.
 Ley de Ohm
La intensidad de la corriente elctrica que circula
por un conductor elctrico es directamente
proporcional a la diferencia de potencial aplicada e
inversamente proporcional a la resistencia del
mismo
 Ley de corrientes de Kirchhoff
La suma de las corrientes que entran a un nodo (Unin de
tres conexiones o ms) son iguales a las corrientes que salen
del mismo.

I1= 10mA
I2= 6,63mA
I3= 3,33mA
 Ley de Voltajes de Kirchhoff
La suma de voltajes alrededor de una trayectoria o
circuito cerrado debe ser cero.

1 + 4 + 5 + 6 = 0
 Ejercicio 1
Calcular las corrientes de malla del siguiente circuito

1 = 1
2 = 1
3 = 0
 Ejercicio 2
Obtenga las tensiones de nodo del siguiente circuito

1 = 13.33
2 = 20
Ejemplo

Qu mtodo usar para

resolver dicho circuito y
hallar la tensin que cae
en Rl?
 Teorema de Thevenin
Todo circuito que se componga de un par de fuentes y resistencias se puede
reemplazar por una nica fuente y una nica resistencia en serie, conocidas
como Voltaje Thevenin y Resistencia Thevenin.
Voltaje Thevenin: Tensin que aparece entre los terminales de una carga cuando
se desconecta la resistencia de carga.
Resistencia de Thevenin : Resistencia medida cuando todas las fuentes se anulan.
 Teorema de Thevenin
Aplicando el divisor
3
= 72V = 24V
9

= (6| 3 + 4 = 6
 Teorema de Norton
Todo circuito que se componga de un par de fuentes y
resistencias se puede reemplazar por una nica fuente de
corriente y una nica resistencia en paralelo.
Para obtener el valor de la corriente de norton se aplica:

=

La resistencia de Norton es igual a la resistencia Thevenin.
 Teorema de Norton

24
= = 4mA
6
 Thevenin y Norton

Tomado de: Malvino Paul Albert, Principios de Electrnica.

Valores de seales Alternas
= 2
= 0,707
= 0.63
1
=

 Materiales Semiconductores
Conductores: Materiales cuya circulacin de electrones se
hace libremente. Ej. Oro, Plata, Cobre.

Semiconductores: Materiales normalmente aislante que bajo

ciertas sustancias se comporta como un conductor. Ej. Silicio,
Azufre, Germanio.

Aislantes: Materiales cuya circulacin de electrones es

imposible. Ej Madera, Caucho, Vidrio.
 Semiconductores e impurezas

tomo de Fosforo tomo de silicio con tomo de Boro con

con cinco electrones cuatro electrones en tres electrones en su
en su nivel de su nivel deValencia. nivel deValencia.
Valencia.
 Material tipo N
Se agregan impurezas Pentavalentes, es decir con 5 electrones en
su nivel de Valencia.
Elctricamente Neutros al tener el mismo nmero de electrones
libres y protones.
Mayor aporte de electrones libres.
 Material tipo P
Se agregan impurezas Trivalentes, es decir con 3 electrones en su
nivel de Valencia.
Elctricamente Neutros al tener el mismo nmero de electrones
libres y protones.
Mayor aporte de huecos libres
 Unin PN
Unin de los materiales P y N, dado que por si solas no
tienen mayor funcionamiento, la unin aprovecha ambas
propiedades.
 Zona de Deplexin
Electrones libres se combinan con los huecos generando
dipolos, no todos se recombinan dado que se crea una barrera
de potencial que depende del semiconductor.
Los electrones deben superar en caso del Silicio 0.7V y 0.3V
en el germanio para poder atravesar la zona de deplexin.
 Polarizacin directa
Conexin positiva en el material P.
Conexin negativa en el material N.
El voltaje de la fuente debe ser mayor que la barrera de
potencial.
Permite el paso de corriente (Circuito Cerrado).
 Polarizacin Inversa
No permite el paso de corriente. (Circuito abierto)
Aumento de la zona de deplexin.
La conexin con la fuente se conserva.
 Ruptura Efecto avalancha
Tensin en inversa muy alta.
Se genera un efecto de avalancha.
Dao del componente. (La hoja de datos de los componentes
basados en uniones PN poseen el valor mximo.
 DIODO
Elemento semiconductor basado en unin PN que permite el
paso de corriente en un solo sentido.
Posee tanto polarizacin inversa como en directa.
Terminal asociado al material tipo P conocido como nodo,
mientras que el terminal asociado al material tipo N se
conoce como Ctodo
 Diodo Ideal
Cumple con sus funciones de conducir corriente en un solo
sentido.
No tiene cadas de tensin.
Resistencia interna se considera nula
 Segunda Aproximacin
Se tiene en cuenta la cada de voltaje de diodo, que es igual a
la barrera de potencial del material usado para la fabricacin.
 Diodo de segunda aproximacin.
Calcular el voltaje, corriente y potencia en la resistencia 6

6 = 614.99; 6 = 1.70; 6 = 1.04