TRANSISTOR

BIPOL AR
ELEKTRONIKA ANALOG 1
TRANSISTOR

Daerah n mempunyai banyak sekali electron, daerah p mempunyai banyak sekali hole.
Gambar a, arus dapat mengalir dari kolektor menuju emiter apabila basis dialiri arus positif.
Gambar b, arus dapat mengalir dari emitter menuju kolektor apabila basis dialiri arus negatif
(atau terhubung dengan ground).
Arus yang mengalis di basis harus lebih kecil dari pada arus yang mengalir dari emitter ke
kolektro, oleh sebab itu pada basis dipasang resistor.
 Gambar (a) sebelum difusi, (b) setelah difusi, (c) lapisan pengosongan,
Elektron bebas berdifusi melewati junction yang mana menghasilkan dua lapisan pengosongan.
Untuk setiap lapisan pengosongan , potensial barrier transistor silicon kira-kira 0,7 V dan
germanium 0,3 V
BIAS FORWARD-FORWARD
BIAS REVERSE-REVERSE
BIAS FORWARD-REVERSE
Gambar (a) menunjukkan bias
forward-reverse, tujuannya
menginginkan arus emitter yang
besar karena dibias forward, tetapi
tidak mengharapkan arus kolektro
yang besar karena dibias reverse.
Gambar (b) pada saat bias forward di
emitter, electron-electron belum
memasuki daerah basis.
Gambar (c) Jika lebih besar dari
potensial barrier, banyak electron
memasuki daerah basis.
Elektron-electron dapat mengalis ke
dua arah yaitu ke kawat basis dan ke
kolektor.
BIAS FORWARD-REVERSE

Gambar (d) Bias forward memaksa electron emitter ini masuk ke dalam basis. Basis yang tipis
dan di-dop sedikit membuat hampir semua electron berdifusi ke dalam lapisan pengosongan
kolektor. Medan lapisan pengosongan kemudian mendorong electron ke dalam daerah kolektor
dan selanjutnya mengalir ke kawat kolektor. Hampir semua transistor, lebih dari 95% electron
yang diinjeksikan emitter ke kolektor, kurang dari 5% jatuh ke dalam hole basis dan mengalir ke
kawat baisis.
ALPHA DC

95% electron yang diinjeksikan dari emter ke kolektor, bisa dikatakan bahwa arus kolektro
hamper sama dengan arus emitter.
Alpha dc suatu transistor menunjukkan bagaimana dekatnya harga kedua arus tersebut.

=

Misalkan , jika kita mengukur = 4,9 mA, dan = 5 mA, maka
4,9
= = = 0,98
5
Makin tipis dan makin sedikit basis di-dop, makin besar . Hampir semua transistormempunyai
lebih besar dari 0,95.
HUBUNGAN COMMON-EMITTER

Emitter dengan dua sumber tegangan dhubungkan pada titik bersama (common) disebut
common-emitter (CE).
ALIRAN ELECTRON CE

Emitter dipenuhi dengan electron (gambar b),

jika lebih besar dari tegangan atau sama dengan tegangan 0,7 V, emitter menginjeksi
electron-electron ini kedalam basis (gambar c).
Basis yang tipis dan di-dop sedikit membuat hampir semua electron berdifusi ke dalam lapisan
pengosongan kolektor. Medan lapisan pengosongan kemudian mendorong electron ke dalam
daerah kolektor dan selanjutnya mengalir ke kawat kolektor (gambar d).
BETHA DC

merupakan hubungan arus kolektor dengan arus basis.

=

Misalkan jika kita mengukur arus kolektor 5 mA, dan arus basis 0,05 mA, maka :
5
= = = 100
0,05
HUBUNGAN ANTARA ALPHA DC DAN
BETHA DC
= +
Dengan dibagi :

Dengan aljabar dapat disusun menjadi:

Jika = 0,98 maka harga adalah :

Bisa juga disusun menjadi:

Jika = 100, maka adalah :

DUA RANGKAIAN EKIVALEN
CONTOH

Pada gambar menunjukkan transistor silicon dengan = 50 dan arus emitter 10 mA.
Hitunglah arus-arus yang lainnya ?
JAWAB
KURVA KOLEKTOR

Cara mendapatkan arus kolektor dan arus bias dapat dilihat di rumus dua rangkaian ekivalen
KURVA KOLEKTOR
KURVA BASIS