Escuela de Ciencia e Ingeniera de los Materiales

Ingeniera en Materiales

Captulo 23 y Arquitectura
microelectrnica en 3D
Betzabeth Ziga
Jorge Sandoval
J. Steven Umaan

Carrera acreditada por el Canadian Engineering Accreditation Board (CEAB)

 Las capas en la creacin de los ICs
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 Arquitectura 3D - Por qu
Ahorros en:
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Energa, tiempos de respuesta, dimensiones, longitudes de cableado,

impedancia RC

Continuar con la Ley de Moore

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 Qu es?
Es el apilamiento de niveles o
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pisos de las obleas para generar

interconexiones verticales y
mejorar diversos aspectos de la
arquitectura planar

Proceso bsico para la formacin

de un TSV de Cu. [4]

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 Desventajas
No tiene forma de disipar el calor de forma eficiente
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Aumento de fallas trmicas, reduccin de la confiabilidad del proceso.

Interferencia electromagnticas debido a menores secciones

transversales

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 Aplicaciones en Microelectrnica

Tecnologa planar:
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Se emplea un substrato de silicio (soporte de todo el conjunto, se utiliza como

'plantilla')
Crecimiento de una capa, tambin de Si, de tipo epitaxial.
Esta capa epitaxial se deposita mediante tcnicas de CVD a partir de la
descomposicin del SiH4.
Aadiendo otros componentes (fosfina o arsina) para conseguir el dopaje
adecuado.[6]

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 Fotolitografa:
La delimitacin de reas o islas sobre la superficie del substrato para modificar y
alterar sus propiedades.
Tcnica de reduccin fotogrfica.
Permitido disminuir el tamao de los motivos hasta dimensiones inferiores al
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micrmetro.
Fabricacin simultnea de cientos de circuitos iguales, de tamao micromtrico,
sobre una oblea nica de silicio, abaratando as los costes de produccin.[6]

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 Diodo emisor de luz (LED):
Las uniones p-n construidas especialmente para generar luz.
Los LEDs comerciales tienen una estructura de capas obtenidas por deposicin en
fase vapor.
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El producto final incluye un encapsulado de plstico transparente que sirve de

proteccin, lente y filtro.
Los LED se usan ampliamente en pantallas alfanumricas para relojes
despertadores, indicadores de aparatos, pilotos o luces de control en automviles y
aviones, paneles anunciadores con mensaje en movimiento en escaparates,
estaciones de tren, autopistas, etc.
Como ejemplo, en un automvil se usan actualmente unos 400 LEDs.[6]

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 Diodos lser:
LED diseado especialmente para emitir luz extremadamente monocromtica,
direccional y coherente.[6]
Paneles electroluminiscentes:
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La emisin de luz se produce en todo el material.

Al no necesitar material de alta calidad se pueden fabricar grandes superficies.
Consiste en un semiconductor policristalino de banda ancha formado por
elementos de las columnas II y VI de la tabla peridica dopado con algn in que
acta como centro luminiscente.
El color y otras propiedades de la emisin estn determinados por el dopante.
Por ejemplo se usan para la iluminacin trasera de pantallas de cristal lquido en
televisores, ordenadores, y otros indicadores alfanumricos, en paneles luminosos
con informacin fija en aeropuertos, estaciones de tren, carreteras, etc.[6]
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 Fotodetectores:
Formados por varias capas delgadas de semiconductoras con distintas
composiciones y dopajes.
Se aaden capas aislantes, recubrimientos antirreflectantes para disminuir las
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prdidas por reflexin, filtros multicapa para modular la respuesta espectral y capas
metlicas para los contactos metlicos.
Las capas se depositan sobre un sustrato segn las tcnicas de deposicin
mencionadas anteriormente y los dispositivos se preparan por fotolitografa.[6]

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 Clulas solares:
Permite convertir directamente la energa de la luz del sol en electricidad por medio
del efecto fotovoltaico.
Para mejorar la eficiencia hay que aumentar el nmero de fotones absorbidos cerca
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de la unin y evitar la recombinacin de los pares electrn-hueco.

Se logra fabricando la unin p-n en las proximidades de la superficie activa con
objeto de que la radiacin solar alcance la unin con la menor atenuacin posible.
Necesario el uso de recubrimientos antirreflectantes en la primera superficie para
evitar prdidas por reflexin.
Debido a sus buenas propiedades de transparencia, el xido o el nitruro de silicio,
depositados mediante tcnicas de CVD, son los materiales comnmente empleados
para la capa antirreflectante.
De este modo, ha sido.posible conseguir que la eficiencia mxima terica de una
clula solar fotovoltaica sea superior al 20%.[6]
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