• Propiedades eléctricas
• Propiedades térmicas
• Propiedades magnéticas
• Propiedades ópticas
Chapter 19 -
Conducción Eléctrica
• Ley de Ohm:
Ohm=J*s/C2
Chapter 18 - 2
Conducción Eléctrica
• Resistividad, ρ (.m):
-- Una propiedad del material
independiente de la geometría
Área de sección
de la muestra
Transversal al flujo de
corriente
Longitud donde se
mide el Voltaje
• Conductividad, σ
Chapter 19 - 3
Electrical Properties
• Cuál tendrá la mayor resistencia?
2
D
2D
Chapter 18 - 4
Conductividad: Comparación
• Valores a temperature ambiente (Ohm-m)-1 = (Ω - m)-1
METALES CONDUCTORES CERÁMICOS
-10
Plata 6.8 x 10 7 Soda-lime glass 10 -10-11
Cobre 6.0 x 10 7 Concreto 10 -9
Hierro 1.0 x 10 7 Aluminum oxide <10-13
SEMICONDUCTORES POLíMEROS
-14
Silicio 4 x 10 -4 Poliestireno <10
Germanio 2 x 10 0 Polietileno 10-15-10-17
GaAs 10 -6
SEMICONDUCTORES AISLANTES
Selected values from Tables 18.1, 18.3, and 18.4, Callister & Rethwisch 9e. Chapter 18 - 5
Ejemplo: Problema de Conductividad
Cuál es el diámetro mínimo (D) de un alambre de Cu para aplicar
un voltaje V < 1.5. La conductividad de Cu es 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
= 100 m
- I = 2.5 A +
Alambre de Cu
V
100 m
< 1.5 V
2.5 A
pD 2
4 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
Resolviendo se obtiene que D > 1.87 mm
Chapter 18 - 6
Ejemplo: Problema de Conductividad
Cuál es el diámetro mínimo (D) de un alambre de Cu para aplicar
un voltaje V < 1.5. La conductividad de Cu es 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
= 100 m
- I = 2.5 A +
Alambre de Cu
V
100 m
< 1.5 V
2.5 A
pD 2
4 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
Resolviendo se obtiene que D > 1.87 mm
Chapter 18 - 7
Estructura de bandas de energía
de electrones
Chapter 18 - 8
Representación de Estructuras de
Bandas
Chapter 18 - 9
Conducción & Transporte de Electrones
• Metales (Conductores):
-- Para metales los estados de energía vacíos están
adyacentes a los estados llenos
Bandas parcialmente Bandas Solapadas
llenas
-- Energía térmica Energía Energía
excita electrones banda
a estados de mayor vacía
energía vacíos GAP Banda
. Dos tipos de estructura vacía
--
Banda
de banda en metales
Estados llenos
Llena Banda
Estados lenos
- Banda parcialmente llena solo Llena
parcial
- Banda vacía que se solapa
con banda llena Banda Banda
llena llena
Chapter 18 - 10
Estructuras de bandas de energía:
Aislantes & Semiconductores
• Aislantes: • Semiconductores:
-- Elevado band gap(> 2 eV) -- band gap estrecho (< 2 eV)
-- Pocos e- excitados -- Mas e- excitados através
através del band gap del band gap
Energía Banda de Energía Banda de
conducción conducción
vacía vacía
GAP ?
GAP
Banda Banda de
filled states
filled states
de Valencia valencia
llena llena
Banda Banda
llena llena
Chapter 18 - 11
Estructuras de bandas de energía:
Aislantes & Semiconductores
Semiconductores
Aislantes: :
Chapter 18 -
Metales: Influencia de la Temperatura e
Impurezas sobre la Resistividad
• Presencia de imperfecciones incrementa la resistividad
-- Bordes de grano
Dispersan los electrones
-- dislocaciones Toman un camino menos directo.
-- átomos de impurezas
-- vacancias
6
• Resistividad
Resistivitidad, ρ,
(10 -8 Ohm-m)
5
incrementa con:
4 -- temperatura
3 ρd -- wt% impureza
-- %CW
2 ρi
1
ρt
ρ = ρtérmica
0 -200 -100 0 T (ºC) + ρimpureza
Fig. 18.8, Callister & Rethwisch 9e. [Adapted from J. O. Linde, Ann.
Physik, 5, 219 (1932); and C. A. Wert and R. M. Thomson, Physics of Solids,
+ ρdeformación
2nd edition, McGraw-Hill Book Company, New York, 1970.]
Chapter 18 - 13
Estimación de la Conductividad
• PREGUNTA:
-- Estime La conductividad eléctrica σ de una aleación Adapted from Fig.
Cu-Ni con esfuerzo de fluencia de 125 MPa. 18.9, Callister &
Rethwisch 9e.
180
Yield strength (MPa)
(10 -8 Ohm-m)
50
Resistivity, r
160
140 40
125
120 30
100 20
21 wt% Ni 10
80
60 0
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
wt% Ni, (Concentración C) wt% Ni, (Concentración C)
Adapted from Fig. 7.16(b), Callister & Rethwisch 9e.
De paso 1:
CNi = 21 wt% Ni
Chapter 18 - 14
Portadores de carga en aislantes y
semiconductores.
Fig. 18.6 (b), Callister &
Rethwisch 9e.
Dos tipos de portadores de carga
electrónica:
Electrón libre
– Carga negativa
– En banda de conducción
Hueco
– Carga positiva
– Electron en estado vacante
en banda de Valencia
Se mueven a diferentes velocidades- Velocidades de movimiento
Chapter 18 - 15
Semiconductores Intrinsicos
Semiconductor de metal puro: ej., silicio y germanio
Materiales del Grupo IVA en Tabla periódica
• Semiconductores compuestos
– Compuestos de elementos del Grupo III-V
Ej: GaAs y InSb
– Compuestos de elementos del Grupo II-VI
Ej: CdS y ZnTe
–Mientras más amplia es la diferencia en
electronegatividad de los elementos, mayor es el
gap de energía
Chapter 18 - 16
Número de portadores de carga
Conductividad intrínseca n: Número de electrones/m3
p: Número de hueco
n e e p e h : Movilidad de electrón (e) y hueco (h)
e: Carga del electrón (1,6 × 10−19 C)
• Ex: GaAs
- + - +
concentration (1021/m3)
energía de activación para
Conduction electron
producir electrones móviles .
freeze-out
Extrinseco
2
Intrinseco
• Comparación: coducción 1
intrinseco vs extrinseca
-- extrinseca: nivel de dopaje: 0
1021/m3 de una impureza donora
tipo (como P). 0 200 400 600 T (K)
-- para T < 100 K: “congelado“, Adapted from Fig. 18.17, Callister & Rethwisch
Insuficiente energía térmica para 9e. (From S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics
and Technology. Copyright © 1985 by Bell Telephone
excitar electrones Laboratories, Inc. Reprinted by permission of John Wiley
& Sons, Inc.)
-- para 150 K < T < 450 K:
"extrinsico"
-- para T >> 450 K: "intrínseco" Chapter 18 - 21
Resumen
• Conductividad eléctrica y resistivitdad son:
-- Parámetros del material
-- Independientes de la geometría
• Conductores, semiconductores, y aislantes...
-- difieren en rangos de valores de conductividad
-- difieren en la disponibilidad de electrones en estados excitados
• Para metales, resistividad es incrementada con
-- Incremento e la temperatura
-- Adición de imperfecciones
-- Deformación plástica
• Para semiconductors puros, conductividad incrementa con
-- Incremento e la temperatura
-- dopaje [ej., adición de B a Si (tipo -p) o adiicón de P a Si (tipo-n)
• Otras características eléctricas
-- ferroelectricidad
-- piezoelectricidad
Chapter 18 - 22
Propiedades ELÉCTRICAS: Resumen
ESTRUCTURAS DE BANDAS DE ENERGÍA DE LOS SÓLIDOS
• Semiconductores:
Banda Bandas -- GAP pequeño(< 2 eV)
parcialmente solapadas -- Más electrones excitados
llena a través del GAP
Energía Banda de
Banda conducción
Vacía Banda vacías
GAP GAP ?
vacía GAP
Estados llenos
Banda
Estados llenos
Estados llenos
Banda de
de Bandas de
Estados llenos
valencia
valencia Valencia
Parcialmente llena llena
llena
Contenido...
• Cómo responden los materiales a la aplicación de calor?
• Cómo definimos y medimos...
-- Capacidad de calor?
-- Expansión térmica?
-- Conductividad térmica?
-- Resistencia al choque térmico?
Chapter 19 - 24
Capacidad de calor
La habilidad de un material de absorber calor
• Cuantitativamente: La energía requerida para producir un
aumento de una unidad en temperatura por mol de material.
• Unidades
Chapter 19 - 25
Dependencia de la capacidad de calor
con la Temperatura
• Capacidad de calor...
-- Incrementa con la temperatura
-- Para sólidos alcanza un límite al valor de 3R
R = Constante 3R Cv = constante
de los gases
= 8.31 J/mol-K
Chapter 19 - 27
Calor específico: Comparación
Material cp (J/kg-K)
• Polímeros at room T
Polipropileno 1925 cp (Calor específico): (J/kg-K)
Polietileno 1850 Cp (Calor específico): (J/mol-K)
Poliestireno 1170
Teflón 1050
Icremento de cp
• Cerámicos ¿? Porqué cp es
Magnesia (MgO) 940 significativamente mayor en
Alumina (Al2O3) 775 los polímeros ?
Vidrio 840
• Metales
Acero 486
Tungsteno 138 Selected values from Table 19.1,
Oro 128 Callister & Rethwisch 9e.
Chapter 19 - 28
Expansión Térmica
Los materiales cambian de tamaño al cambiar T
Tinicial
inicial
Tfinal > Tinicial
Tfinal
final
final inicial
(Tfinal Tinicial )
inicial
Coeficiente de expansión térmica lineal (1/K o 1/°C)
https://www.youtube.com/watch?v=aT4tkbM38Fg
Chapter 19 - 29
Perspectiva atómica: Expansión
térmica
Vidrio Soda-lima 9
Sílice (crist. SiO2) 0.4
Chapter 19 - 31
Expansión térmica: Ejemplo
Un alambre de Cu de 15 m de longitud es enfriado
desde 40 a -9°C. Cuantificar el cambio en longitud que
experimentará?
•Para Cu
Chapter 19 - 32
Conductividad térmica
La habilidad de un material de transportar calor.
Ley de Fourier
Gradiente de temperatura
Flujo de
calor
(J/m2s)
Conductividad térmica(J/mKs)
T1 T2
T2 > T1
x1 Flujo de calor x2
Chapter 19 - 33
Conductividad térmica:
Comparación
Mecanismo de
Material k (W/m-K) transferencia de energía
• Metales
Aluminio 247 Vibraciones
Acero 52 atómicas y
Tungsteno 178 movimiento de
Oro 315 electrons libres
• Cerámicos
increasing k
Magnesia (MgO) 38
Alumina (Al2O3) 39 Vibraciones atómicas
Vidrio Soda-lima 1.7
Sílice (crist. SiO2) 1.4
• Polímeros vibración/rotación
Polipropileno 0.12 de cadenas de
Polietileno 0.46-0.50 moléculas
Poliestireno 0.13
Teflón 0.25
Selected values from Table 19.1, Callister & Rethwisch 9e.
Chapter 19 - 34
Tensiones térmicas
• Ocurren debido a :
-- Contracción/expansión térmicas restringidas
-- Gradientes de temperaturas que conducen a
cambios de dimensiones diferenciales.
Tensiones térmicas = s
Chapter 19 - 35
Problema ejemplo
-- Una barra de latón está libre de tensiones a Tamb. (20°C).
-- La barra es calentada, pero previniendo su alargamiento.
-- A cuál temperatura la tensión alcanza -172 MPa?
Datos: = 20 x 10-6/°C y E=100GPa
Solución:
T0 Condiciones originales
0
Paso 1: Asumir expansion térmica sin restricciones
0 D
Tf
Paso 2: Comprimir la barra a la dimensión original
0 D
σ σ
Chapter 19 - 36
Problema ejemplo (cont.)
0 La tension térmica puede ser
directamente calculada
σ σ
Chapter 19 - 37
Resistencia al choque térmico (TSR)
• Ocurre debido a: calentamiento y enfriamiento no uniforme
• Ej: Asuma que la capa superior es rápidamente enfriada desde T1 a T2
Enfriamiento rápido
σ
T2
Trata de contraerse durante el enfriamiento Tensión desarrollada en la superficie
Resiste a la contracción T1
Diferencia de temperatura que puede Diferencia de T crítica
producirse por el enfriamiento: para fractura (set σ = σf)
Velocidad de temple
(T1 T2 )
k
set equal
fk
• (Velocidad de temple) para fractura (TSR)
E
• Alto TSR cuando es grande
Chapter 19 - 38
Sistema de protección térmica
Re-entry T
• Applicación: Distribution
Space Shuttle Orbiter
100 m
Fig. 19.3W, Callister 5e. (Fig. 19.3W courtesy the Fig. 19.4W, Callister 5e. (Fig. 219.4W courtesy
National Aeronautics and Space Administration.) Lockheed Aerospace Ceramics
Systems, Sunnyvale, CA.)
Chapter 19 - 39
Resumen
Las propiedades térmicas de los materiales incluyen
• Capacidad calórica:
-- energía requerida para incrementar la T de un material en 1 grado
-- La energía en almacenada como vibraciones atómicas
• Coeficiente de expansión térmica:
-- el tamaño del material cambia con cambio en T
-- Polímeros tienen los mayores valores
• Conductividad térmica:
-- Habilidad de un material para transportar calor
-- Materiales tienen los mayores valores
• Resistencia al choque térmico:
-- Habilidad de un material para enfriar rápidamente sin fracturar
-- es proporcional a
Chapter 19 - 40
Propiedades Magnéticas
TEMAS...
• Porqué son importantes las propiedades magnéticas?
Chapter 20 -
4
Generación de un campo magnético
• Creado por corriente a través de una bobina :
B0 N = Número total de vueltas
= Longitud de cada vuelta(m)
I = corriente (Amper)
H H = Campo magnético aplicado(A-vueltas/m)
B0 = Densidad del flujo magnético en vacío
I (tesla)
Chapter 20 - 43
Orígenes de Momentos Magnéticos
• Momentos magnéticos provienen del movimiento de
electrones y de espines de los electrones
Momentos magnéticos
electrón electrón
espin
núcleos Adapted from Fig. 20.4,
Callister & Rethwisch 9e.
Chapter 20 - 45
Respuestas magnéticas para los 4 tipos
Campo magnético
Campo magnético
aplicado (H)
No aplicado(H = 0) Flechas azules:
Momentos magnéticos
atómicos dipolares
Ninguno
opuestos
(1) diamagnético Adapted from Fig.
20.5(a), Callister &
Rethwisch 9e.
alineados
al azar
(2) paramagnético Adapted from Fig.
20.5(b), Callister &
Rethwisch 9e.
alineados
Alineado
Chapter 20 - 46
Dominios en Materiales
Ferromagnéticos & Ferrimagneticos
• Cómo se aplica (H) incrementan los dominios magnéticos
camban de forma y tamaño por movimiento de bordes de
dominios.
B sat
H
Inducción Magnética
pobremente
H alineados
0 Campo magnético aplicado (H)
H=0
Chapter 20 - 47
Histeresis y Magnetización
Permanente
• El fenómeno de histéresis magnética
B
Etapa 2. Aplicar H
Etapa 3. Remover H, alineamiento los dominios se alinean
permanece! => magnetos
permanentes!
Adapted from Fig. 20.14,
Callister & Rethwisch 9e.
H
Etapa 4 . Coercitividad,HC
H negativa necesario para Etapa 1. Inicial (estado no magnetizado)
demagnetizar!
Etapa 6 . Se Cierra
Etapa 5. Aplicar H -,se el lazo de histéresis
alinean los dominios
Coercitividad: Intensidad del campo magnético que se debe aplicar a un
material para reducir su magnetización a cero luego de que la muestra ha
sido magnetizada hasta saturación
Chapter 20 - 48
Materiales Magnéticos duros y blandos
Duros
inhibir movimiento de paredes de dominios
magnéticos
-- ejemplo: aceros al tungsteno-- H
Hc = 5900 amp-vueltas/m)
Materiales de magnéticos
blandos:
-- Pequeñas coercivitividades
-- Usados para motores eléctricos
-- ej.: Hierro comercial 99.95 Fe Fig. 20.19, Callister & Rethwisch 9e.
(From K. M. Ralls, T. H. Courtney, and
J. Wulff, Introduction to Materials Science
and Engineering. Copyright © 1976 by
John Wiley & Sons, New York. Reprinted by
permission of John Wiley & Sons, Inc.)
Chapter 20 - 49
Almacenadores Magnéticos
• Data digitalizada en la forma de señales eléctricas son
transferidas y almacenadas digitalmente en un medio magnético
• Esta transferencia se logra mediante un sistema de grabación
que consiste de un cabezal de lectura/escritura
Chapter 20 - 50
Superconductividad
Encontrado en 26 metales y cientos de aleaciones & compuestos
Mercurio
Cobre
(normal)
Chapter 20 - 51
Efecto Meissner
• Superconductores expelen los campos magnéticos
normal superconductor
Fig. 20.28, Callister &
Rethwisch 9e.
• Esta es la razón porque un superconductor puede
flotar encima de un magneto
Chapter 20 - 52
Avances en Superconductividad
• Investigación sobre materiales superconductores se
estancó por muchos años.
– Se asumió TC,max era alrededor de 23 K
– Muchas teorías sostenían que es imposible incrementar TC más
allá de ese valor
• 1987- se descubrieron nuevos materiales TC > 30 K
– cerámicos de la forma Ba1-xKxBiO3-y
– Comenzaron nuevas investigaciones
– YBa2Cu3O7-x TC = 90 K
• Tl2Ba2Ca2Cu3Ox TC = 122 K
• Difíciles de elaborar debido a que el estado de oxidación es
muy importante.
• El mayor problema: materiales cerámicos son inherentemente
frágiles.
Chapter 20 - 53
Resumen
Chapter 20 - 54
Resumen
Chapter 20 - 55
Propiedades ópticas
Temas...
• Qué fenómenos ocurren cuando el la luz incide sobre
el material?
• Qué determina los colores característicos de los materiales?
• Porqué unos materiales son transparentes y otros son
translúcidos u opacos?
• Cómo opera un láser?
Chapter 19 - 56
Propiedades ópticas
La luz tiene características tanto de partícula como
de onda
– Fotón – Un cuantum de unidad de luz
E energía de un fotón
Longitud de onda de la radiación
Frequencia de radiación
h Constante de Planck (6.62 x 10 34 J s)
c Velocidad de la luz en un vacío (3.00 x 108 m/s)
Chapter 19 - 57
Refracción
• La luz transmitida distorsiona la nube de electrones
Nube
Luz no Luz
+ + de electrones
transmitida transmitida distorsionada
Material n
Vidrios típicos . 1.5 -1.7
Plásticos 1.3 -1.6
PbO 2.67
Diamante 2.41
Selected values from Table 21.1,
Callister & Rethwisch 9e.
Chapter 19 - 58
Interacción de la luz con sólidos
• La luz incidente es deflectada, absorbida, dispersada, y/o
transmitida: I0 = IT + IA + IR + IS
Reflectada: IR Absorbida:
IA
Transmitida: IT
Incidente: I0 Dispersada: IS
DE = hν requerido!
Estados llenos
Constante de Planck freq.
of
(6.63 x 10-34 J/s) incident
Adapted from Fig. 21.4(a),
Callister & Rethwisch 9e.
light
• Estados de electrones vacíos están adyacentes a los llenos
• Los electrones cerca de la superficie absorben la luz visible.
Chapter 19 - 60
Reflexión de Luz por Metales
• Transiciones electrónicas desde un estado excitado
produce un fotón.
Chapter 19 - 61
Reflexión de luz para metales (cont.)
• Reflectividad = IR /I0 varía entre 0.90 y 0.95.
• Superficies del metal luce brillante
Rreflectivi dad
n 1
Chapter 19 - 63
Dispersión de luz en polímeros
• Para polímeros altamente amorfos y libre de poros
– Poca o ninguna dispersión
– Estos materiales son transparentes
• Polímeros semicristalinos
– Las zonas amorfas y cristalinas tienen diferentes
índices de refracción
– Dispersión de luz en los bordes
– Polímeros altamente cristalinos son opacos
• Ejemplos:
– Poliestireno (amorfo) – claro y transparente
Polietileno de baja densidad para cartones de leche
– opaco
Chapter 19 - 64
Absorción de luz en semiconductores
Absorción de luz de frecuencia ν por transiciones
electrónicas ocurre si hν > Egap
Energía del electrón
Ejemplo para fotones de energía :
Estados vacíos
Luz azul: hν = 3.1 eV
Luz roja: hν = 1.8 eV
Egap
Energía del fotón
incidente hν
Estados llenosAdapted from Fig. 21.5(a),
Callister & Rethwisch 9e.
• Si Egap < 1.8 eV, toda la luz es absorbida; material es opaco (ej., Si, GaAs)
• Si Egap > 3.1 eV, no hay absorción el luz; el material es transparente y sin
color (ej., diamante)
• Si 1.8 eV < Egap < 3.1 eV, Absorción parcial de luz; material es coloreado
Chapter 19 - 65
Color de No-metales
• El color es determinado por la distribución de longitudes
de ondas:
-- Luz transmitida
-- Luz re-emitida por transiciones electrónicas
Chapter 19 - 66
Color de No-metales
• Ejemplo 2: Rubí = zafiro (Al2O3) + (0.5 to 2) at% Cr2O3
-- zafiro es transparente y
sin color (Eg > 3.1 eV) 80
zafiro
Transmitancia (%)
70
-- adición de Cr2O3 : rubí
• altera el GAP 60
50
Longitud de onda λ, (= c/ν)(μm)
• azul y naranja/amarillo/verde 40
son absorbidos 0.3 0.5 0.7 0.9
Chapter 19 - 67
Luminiscencia
• Luminiscencia – reemisión de luz por un material
– Material absorbe luz a una frecuencia y reemite la luz a otra
frecuencia menor.
– Estados atrapados(donor/aceptor) introducidos por
impurezas/defectos
• Si el tiempo de residencia en el
Banda de conducción estado atrapado es relativamente
largo (> 10-8 s)
-- fosforescencia
Chapter 19 - 69
El LASER
• El láser es generado por las ondas que estan en fase
(coherente) y viajan paralelas unas a otras
– LASER
• Light
• Amplification by
• Stimulated
• Emission of
• Radiation
• ( Amplificación de la luz por emisión estimulada de radiación)
Chapter 19 - 70
Laseres de onda continua
• Materiales incluyen semiconductores (e.g., GaAs), gases (e.g.,
CO2), etc)
• Usos
1. Soldadura
2. Perforaciones
3. Corte – cirugía de ojos
4. Tratamientos de superficie
5. Escrituras– ceramicos, etc.
6. Fotolitografía–
Chapter 19 - 71
Aplicaciones de laser de
Semiconductores
• Reproductor de Disco compacto (CD)
• Usa luz roja
• Reproductores de alta resolución (DVD)
• Usan luz azul
– La luz azul tiene longitud de onda más corta que la
luz roja por lo tanto produce mayor densidad de
almacenamiento.
• Comunicaciones usando fibras ópticas
• Celdas solares
Chapter 19 - 72
Resumen
La radiación de luz que incide sobre un material puede
ser reflejada absorbida,dispersada y/o transmitida
Chapter 19 - 73
Resumen
-- Para Egap < 1.8 eV, absorción de todas las ondas de radiación
de luz: Opacos
--Para Egap > 3.1 eV, no absorción de radiación de luz visible:
Transparentes
-- Para 1.8 eV < Egap < 3.1 eV, absorción de algunos rangos de
longitudes de ondas de la radiación. Translúcidos
-- color determinado por la distribución de longitudes de ondas
transmitidas
• Aplicaciones ópticas importantes /dispositivos:
-- luminiscencia, fotoconductividad, diodos de emisión de luz,
celdas solares y fibras ópticas
Chapter 19 - 74