Anda di halaman 1dari 29

POWER ELECTRONIC

Proudly Presented by 2nd Team of 2R Power Plant

Ali Al-Habsyi 4214020031


Hamzah Abdul Majid 4214020003
Kamilia Fitria Maharani 4214020006
ELECTRONIC COMPONENT

TRANSISTOR THYRISTOR
PENGERTIAN

Transfer Pemindahan
TRANSISTOR
Resistor Penghambat

Transistor dapat diartikan sebagai suatu pemindahan atau peralihan


bahan setengah penghantar menjadi penghantar pada suhu atau
keadaan tertentu.
ELEKTRODA PADA TRANSISTOR

o Fungsi elektroda tersebut :


Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya
mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2
terminal lainnya.

(Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor


dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang
lebih besar dari pada arus input Basis, yaitu pada
keluaran tegangan dan arus output Kolektor).
FUNGSI DAN APLIKASI

 Sebagai penguat yang diaplikasikan dalam pengeras • Amplifier


suara, sumber listrik stabil dan penguat sinyal radio.
• Saklar
 Sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching ).
• General purpose
 Stabilisasi tegangan. • Audio

 Modulasi sinyal. • Tegangan tinggi

 Sebagai saklar dengan • dll

kecepatan tinggi.
 TRANSISTOR NPN
JENIS - JENIS
 TRANSISTOR PNP
Transistor PNP merupakan Transistor negatif, dimana transistor dapat bekerja mengalirkan
Transistor NPN merupakan transistor positif, dimana transistor dapat bekerja
arus apabila basis dialiri tegangan negatif.
mengalirkan arus listrik apabila basis dialiri tegangan arus positif.

Transistor mempunyai dua junction, yang satu antara emiter dan basis, dan yang lain
Untuk transistor jenis PNP, transistor seperti dua buah dioda yang saling berhadapan.
antara basis dan kolektor. Karenanya, transistor seperti dua dioda yang berlawanan
Transistor PNP adalah komplemen dari transistor NPN, ini berarti transistor PNP diperlukan
untuk NPN.
arus dan tegangan yang berlawanan.
TIPE - TIPE

Bipolar Junction
Transistor (BJT)

3 TIPE DASAR Field-Effect


TRANSISTOR Transistor (FET)
Insulated Gate
Bipolar Transistor
(IGBTs)
“BJT”

o Cara kerja :
Kanaldiode
o dua konduksi utamanyapositif
yang terminal untuk/ negatifnya
membawa berdempet,
arus listrik
menggunakan
sehingga ada 32 terminal,
polaritas pembawa muatan,
yaitu : emiter ( E yaitu : elektron
), kolektor dan
( C ),
lubang.
dan basis ( B ).

o
o Arus listrik arus
Perubahan haruslistrik
melewati
dalam1 daerah
jumlah /kecil
lapisan
padapembatas
terminal basis
( depletion
( B ) dapatzone ), ketebalan
menghasilkan dapat arus
perubahan diatur dengan
listrik dalamkecepatan
jumlah
tinggi →
besar mengatur
pada terminalaliran arus utama.
kolektor ( C ). Prinsip inilah yang
mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.

o Rasio antara arus pada kolektor ( C ) dengan arus pada basis (


B ) biasanya dilambangkan dengan β. β biasanya berkisar
sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
“FET”

o Hanya menggunakan 1 jenis pembawa muatan (elektron / hole,


tergantung dari Junction
tipe FET). FET
(JFET)
1. Tipe enhancement mode
o Arus listrik utama mengalir dalam 1 kanal konduksi sempit
“FET”
dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan
2.dimana
Tipe depletion mode
Insulated
transistor bipolar daerah Basis memotong arah arus listrik
utama).
Gate (FET)
o Ketebalan kanal konduksi dapat diubah dengan perubahan
tegangan yang diberikan.
“IGBTs”

Merupakan
o Masukan
o piranti
dari IGBT semikonduktor
adalah terminalyang setaradari
Gerbang dengan gabungan
MOSFET, sedang
BJT dan MOSFET.
terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari
BJT.
Berfungsiyang
o perilaku
o sebagai komponen
cukup saklarsebuah
ideal sebagai untuk saklar
aplikasi daya.
elektronik karena
di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain
Saluran menghasilkan
o mampu gerbang dari arus IGBT,
yangsebagai saluran
besar bagi kendali
beban listrikjuga
yang
mempunyai struktur bahan penyekat ( isolator ) sebagaimana
dikendalikannya.
pada MOSFET.
SAKLAR IDEAL

1. Pada saat keadaan tidak menghantar ( off ), saklar mempunyai


tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan
kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil.

2. Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar ( on ), saklar


mempunyai tahanan menghantar yang sekecil mungkin. Ini akan
membuat nilai tegangan jatuh ( voltage drop ) keadaan
menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan
besarnya borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran
yang tinggi.
Karena transistor mungkin mempunyai hfe antara 100 - 500
maka kita pilih dulu menggunakan hfe minimum ( 100 ). Arus
kolektor adalah 20mA, maka Arus Basis yang dibutuhkan
adalah:

hfe = Ic / Ib
ib = Ic / hfe(min) = 0.02/0.1= 0.2 A

Nilai Vin adalah 5V DC, nilai Vbe adalah 0,6V DC (konstanta)


berarti tegangan yang melewati Rb adalah Vin - Vbe = 5 –
0,6 = 4,4 V DC. Sehingga Nilai Rb dapat kita hitung:

Rb = 4.4 V / 0.2 A = 22 Kilo Ohm

CONTOH PERHITUNGAN
ELECTRONIC COMPONENT

TRANSISTOR THYRISTOR
Pengorbanan
PENGERTIAN

THYRISTOR Pintu (Bahasa Yunani)


Thyristor adalah komponen semikonduktor untuk
pensaklaran yang berdasarkan pada struktur PNPN
dengan tiga PN-junction.

Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil,


beroperasi antara keadaan non konduksi ke konduksi.
KARAKTERISTIK DAN KONSEP

Struktur P-N junction yang dimilikinya


lebih kompleks dibanding transistor.
Komponen thyristor lebih digunakan
sebagai saklar (switch) daripada sebagai
penguat arus atau tegangan seperti halnya
transistor.

Struktur junction PNP dan NPN yang


tersambung di tengah seperti pada gambar
(b) adalah dua buah transistor PNP dan
NPN yang tersambung pada masing-masing
kolektor dan base.
SYARAT THYRISTOR ON

• Panas • Tegangan tinggi


Jika suatu thyristor cukup tinggi, akan Jika tegangan forward anode ke katode
terjadi peningkatan jumlah pasangan lebih besar dari tegangan maju
electron-hole, sehingga arus bocor breakdown VBO, arus bocor yang
meningkat. dihasilkan cukup untuk membuat thyristor
• Cahaya on
Jika cahaya mengenai sambungan • Arus Gerbang
thyristor, pasangan electron-hole akan Jika suatu thyristor diberi tegangan bias
meningkat dan thyristor mungkin akan on. forward injeksi arus gerbang dengan
Cara ini dilakukan dengan membiarkan menerapkan tegangan gerbang positif
cahaya mengenai silicon wafer dari antara terminal gerbang katoda akan
thyristor. membuat thyristor ON
THYRISTOR ON
OFF

Untuk membuat thyristor kembali off,


dapat dilakukan dengan menurunkan arus
thyristor tersebut dibawah arus
genggamnya (IH). Arus IH ini cukup kecil
yaitu dalam orde miliampere.
JENIS - JENIS
SCR
(Silikon Controlled Rectifier)

SCR merupakan jenis thyristor yang terkenal dan paling tua,


komponen ini tersedia dalam rating arus antara 0,25 hingga
ratusan amper, serta rating tegangan hingga 5000 volt. Struktur
dan simbol dari SCR dapat digambarkan seperti pada gambar
dibawah :
TRIAC
(Triode for Alternating Current)
Triac dapat dianggap sebagai dua buah SCR dalam struktur
kristal tunggal, dengan demikian maka Triac dapat
digunakan untuk melakukan pensaklaran dalam dua arah
(arus bolak balik, AC). Simbol dan struktur Triac adalah
seperti ditunjukan dalam gambar dibawah :
DIAC
(Diode Alternating Current)
Kalau dilihat strukturnya seperti gambar-8a, DIAC bukanlah
termasuk keluarga thyristor, namun prisip kerjanya membuat ia
digolongkan sebagai thyristor. DIAC dibuat dengan struktur PNP
mirip seperti transistor. Pada DIAC, lapisan N di buat cukup tebal
sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya.
CARA KERJA

Ketika suatu arus kecil melewati terminal gate ke katode,


thyristor akan tersambung jika terminal tegangan anode
lebih tinggi dari katode . Begitu katode berada pada
mode tersambung itu, rangkaian gate tidak memegang
kendali dan thyristor akan tetap tersambung. Ketika
thyristor berada pada mode tersambung, tegangan jatuh
majunya sangat kecil, berkisar pada 0.5 sampai dengan
2V.
Thyristor yang tersambung dapat dimatikan dengan
membuat tegangan anode sama atau lebih kecil dari
tegangan katode.
APLIKASI
Ig = Gate Current (arus gate)'
Ih = Holding Current (arus genggam)'
Vbo = Breakover Voltage (tegangan breakover)'
Vgt = Gate Trigger Voltage (tegangan pemicuan gate)'
Igt= Gate Trigger Current (arus pemicuan gate)'

Vin = VR + Vgt
Jika diketahui sebuah SCR memiliki arus gate
sebesar 10 mA dengan resistansi sebesar 420 = (Igt.R) + Vgt
ohm. Berapa tegangan masuk yang diperlukan
= (0,01.420) + 0,7
agar SCR ON? = 4,2 + 0,7 = 4,9 V

CONTOH PERHITUNGAN
NOW TIME FOR MID TEST …
TRANSISTOR

Transistor dengan nilai Rb 40K, dengan variasi hfe


transistor 100-500. Tentukan berapa arus [mA] lampu
tegangan supply 5V DC digunakan untuk mensaklar
sebuah lampu 5V DC ?

THYRISTOR

Jika diketahui sebuah SCR memerlukan 14,3 V untuk


mengalirkan arus, berapakah arus gate (Igt) jika
resistansinya sebesar 400 ohm ?