Transistor de efecto de campo

• Un Transistor de Efecto de Campo, FET,

corresponde a un dispositivo de tres terminales.

• La corriente que circula entre dos terminales de

salida se controla por el voltaje aplicado en los
dos terminales de entrada.

• Comparado con un transistor BJT, este último

se controla por corriente.
 Transistor de efecto de campo
• Comparación de transistor FET con BJT
 Transistor de efecto de campo
• Existen dos tipos de FET, canal N y canal P.

• En un FET canal N, su funcionamiento solo

depende de la conducción de electrones.

• En un FET canal P, su funcionamiento solo

depende de la conducción de huecos.
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• Un transistor de Efecto Campo de juntura
(JFET) es un dispositivo semiconductor que
basa su funcionamiento en las regiones de
carga espacial de junturas PN, polarizadas de
forma inversa, que permiten modular una
sección transversal disponible para un flujo de
corriente

• La señal de voltaje de entrada crea un campo

eléctrico que controla el paso de corriente a
través del dispositivo.
 DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET
Transistor de efecto de campo
• La entrada no toma corriente y, en la práctica,
esa corriente es extremadamente baja,
comparable a la corriente de fuga en un
capacitor debido al dieléctrico.

• La conducción en esta tecnología, depende

únicamente del flujo de portadores
mayoritarios, por eso son unipolares, (un solo
tipo de portadores, electrones o huecos).
Transistor de efecto de campo

Source Drain
Gate p+

SiO2
n d

Gate p+

Construcción de un dispositivo JFET mediante

tecnología epitaxial
 DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET
Transistor de efecto de campo
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Transistor de efecto de campo

JFET Canal n JFET Canal p

 DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET
Transistor de efecto de campo
• Los terminales drain y source se encuentran
conectados a través de un semiconductor, tipo
N para JFET de canal N, el cual ofrece una
resistencia al paso de la corriente.

• Este material ofrece un canal de circulación

entre los terminales.

• El material P se encuentra conectado al

terminal gate.
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Transistor de efecto de campo
• La existencia de junturas PN sin voltaje
aplicado en gate, genera una región de
agotamiento que impide la circulación de
portadores a través de las junturas.

• Luego, la corriente a través de gate es muy

baja, con lo que la impedancia de entrada es
alta.
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Transistor de efecto de campo
• Para el voltaje aplicado entre drain y source,
las junturas están polarizadas inversas.

• La sección cercana al terminal de drain de la

juntura esta polarizada inversa con un voltaje
mayor, por lo tanto la región de agotamiento es
más ancha que en la parte cercana a source.
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Transistor de efecto de campo
• Condición de VGS=0 y VDS>0
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Transistor de efecto de campo
• Conforme el voltaje VDS aumenta, la corriente
a través del canal aumenta.

• La resistencia del canal es constante para

valores pequeños de VDS.

• Si VDS aumenta más, las regiones de

agotamiento se ensanchan más, reduciendo el
ancho del canal y con ello la resistencia
aumenta.
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Transistor de efecto de campo
• Si el voltaje VDS aumenta más, habrá un punto
en donde las regiones de carga espacial se
unen, cerrando el canal de conducción.

• Esta última condición ocurre con un valor de

voltaje VP.

• En este punto, la corriente no aumenta más,

llegando a un nivel de saturación definido
como IDSS.
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Transistor de efecto de campo
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Transistor de efecto de campo
• Condición de VGS=0 y VDS=VP
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Transistor de efecto de campo
• Si el voltaje VDS aumenta por sobre el valor de
Vp , las regiones de agotamiento se unen, ya
no en un punto sino a lo largo de una franja.

• No obstante la corriente se encuentra saturada

y no aumenta.

• El JFET se comporta como una fuente de

corriente.
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Transistor de efecto de campo
• Si VGS<0, la corriente ID varía en función de
VDS, para distintos valores de VGS negativos.

• El voltaje negativo de VGS provoca que las

regiones de agotamiento se unan a un voltaje
menor de VDS.

• Por lo tanto la corriente de saturación en esta

condición se alcanza a un nivel menor.
 DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET
Transistor de efecto de campo
 DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET
Transistor de efecto de campo
• Las curvas que se obtienen para ID son
similares a las curvas de IC de un BJT.

• Sin embargo, ahora la corriente es controlada

por voltaje y no por corriente.

• Cuando VGS = -VP , esencialmente la corriente

de saturación es de 0 mA y para efectos
prácticos, el JFET esta apagado.
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Transistor de efecto de campo
• Debe observarse que la descripción dada
corresponde a un JFET canal N.

• Un JFET canal P funciona en forma similar,

pero con valores positivos de VGS, y por tanto
un valor positivo de VP.
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Transistor de efecto de campo
• Antes de la saturación, el JFET se comporta
como un resistor (“región óhmica”).

• Esta resistencia es controlada por el voltaje

VGS.
r0
rd 
1  VGS VP 
2

• Para un JFET canal N, r0 es del orden de 10

kW
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Transistor de efecto de campo

• Un JFET canal P
tiene la misma
estructura de un
JFET canal N,
pero invirtiendo los
materiales, y por
lo tanto los
sentidos de las
corrientes.
 DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET
Transistor de efecto de campo
• Los sentidos de corrientes y voltajes están
invertidos. Las curvas características son
similares a canal P.
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Transistor de efecto de campo
• Las curvas características de un JFET están
limitadas a un valor máximo de VDS.

• En este punto se produce una ruptura y la

corriente ID aumenta en forma abrupta.

• Ello se evita con un diseño tal que VDS en

operación sea menor a un valor máximo, en la
peor condición de VGS.
 DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET
Transistor de efecto de campo
• Los sentidos de corrientes y voltajes están
invertidos. Las curvas características son
similares a canal P.
 DESCRIPCIÓN DE UN DISPOSITIVO FET
Transistor de efecto de campo

• Condición de
saturación

• Condición de
corte
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Transistor de efecto de campo

• Condición activa
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Transistor de efecto de campo
• A diferencia de un transistor BJT, un transistor
FET es claramente no lineal.

• La relación entre ID y VGS en un FET es

descrita por la ecuación de Shockley.

2
 VGS 
I D  I DSS 1  
 VP 
• La relación corresponde a una parábola.
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Transistor de efecto de campo
• En forma gráfica, la relación entre la ecuación
de Shockley y las curvas características del
FET.
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Transistor de efecto de campo
• A partir de mediciones, la curva que describe
la ecuación de Shockley puede ser
reconstruida a partir de dos puntos.

VGS  0  I D  I DSS
VGS  VP  ID  0
• La hoja de datos del dispositivo FET debe
entregar información respecto de IDSS y VP.