Licenciatura em Engenharia Eléctrica

Electrónica de Potência

Grupo III Turma: E31

Díodos, BJT e SCR

Discentes: Docente:
Cristóvão Salomão Sumbane Msc. Eng. Anacleto Albino
Edson Leandro Elias Chibequete
1
Titos Nicósio Miguel Comé
1.2. Objectivos

1.2.1. Geral:
Elaborar um relatório que fale de forma genérica sobre o díodo, BJT e SCR.

1.2.2. Específicos:
Abordar os aspectos físicos destes três dispositivos;
Falar da sua construção destes dispositivos;
Enunciar seus princípios de funcionamento e operação;
Falar das vantagens e desvantagens;
Apontar algumas das suas aplicações;
Mostrar datasheets de alguns modelos dos dispositivos

2
Introdução

Com a evolução da ciência e do crescente interesse do Homem em procurar

soluções tecnológicas que sejam mais eficientes, baratas e também ”amigas do
ambiente”, tem sido necessário procurar identificar e utilizar dispositivos mais
rápidos e que ofereçam resultados satisfatórios em processos industriais.
Dispositivos electrónicos semicondutores têm, sem dúvidas, sido os maiores aliados
da tecnologia para esses fins.

3
DíODOS

4
 2.2. Características físicas e construtivas.

O díodo é formado pela junção de dois tipos de materiais

semicondutores, um do tipo P, outro do tipo N.

Fig, 1. Díodo de junção: polarização directa

5
2.2. Características físicas e construtivas.

Fig. 2. Curva característica típica de um diodo de Ge.

6
2.3. Símbolo Básico

Fig. 3. Símbolo gráfico de um díodo rectificador.

7
 2.4. Tipos de Díodos.

Os díodos são divididos em duas partes que são díodo de junção e díodos de
potência.

Díodo de junção - Díodo Zener, díodo túnel, foto díodo, díodo rectificadores, etc.

Díodo potência – Díodo de Recuperação Rápida, Diodos Genéricos e Diodos

Schottky.

8
2.4. Tipos de Díodos.

Diferenças entre os diodos de Junção e de potência

Existe uma região N intermediar, com baixa dopagem.

Níveis de tensão de 50V até 3000V.
Correntes de 1 A até milhares de Amperes.

9
2.5. Vantagens e desvantagens dos díodos de potência e de
Junção.
Vantagens
O tempo de recuperação nos díodos Schottky é bem menor, resultando um
dispositivo duas ou três vezes mais rápido;
A queda de tensão directa é bem menor que nos díodos de junção, sendo da ordem
de 0,2 a 0,3 V para díodos de baixa potência. Os díodos Schottky de potência,
podem apresentar uma queda directa de apenas 0,6 V para uma corrente da ordem
de 100 A;
Aumenta eficiência.

Desvantagens:
Maior corrente de fuga.
Os diodos de junção maiores perdas no diodo
Menor tensão de ruptura reversa

10
2.6. Parâmetros Tensão

A tensão que produz o corrente do fuga se toma como referência para

estabelecer a tensão de trabalho nominal.
Tensão de ruptura.
Tensão de pico reverso repetitiva.
Tensão de pico reverso não repetitiva. (%80 anterior)
Tensão de pico inverso de trabalho ou recomendada. (se estabelece com
relação A corrente disruptiva ou de avalanche com um factor de segurança
entre 1.5 A 2.
Queda de tensão em sentido direto
Corrente de bloqueio em sentido inverso.

11
2.7. Aplicações

A rectificação de potência, a regulação da tensão em fontes estabilizadas e obtenção

de capacidades variáveis com a tensão.

12
Transistor de junção
bipolar
(BJT)

13
Transistor de junção bipolar

(a) NPN (b) PNP

Figura 4: tipos de transistores.
Fonte: Electronic Device. Tomas Floyd
Símbolos do BJT

(a) NPN (b) PNP

Figura 5: Simbolos dos transistores

Fonte: Escola Superior Tecnologia Setubal. Luís Verissimo

Curva característica do colector

Figura 6: curva caracteristica do colector

Funcionamento do BJT
Modos de
Junção EB Junção CB Aplicação
operação

Zona activa Polarizada Polarizada

amplificadores
directa directamente inversamente

Polarizada Polarizada Interruptores

Zona de corte
inversamente inversamente electrónicos,
circuitos TTL,
Zona de Polarizada Polarizada
portas lógicas,
saturação directamente directamente
entre outros
Principais parâmetros de operação do BJT

 Tensão de ruptura de colector-base : VCBO

 Tensão de saturação colector-emissor: VCE(sat)

 Corrente de colector máxima: ICmax

 Potência de trabalho: PD

 Ganho de corrente: hfe ou 𝛽

 Temperatura de junção máxima: Tjmax

 Faixa de frequência de operação: RF ou AF

 Frequência de transição de portadores: FT

Desvantagens do BJT

Impedância de entrada menor que os FET;

Possuí maior tamanho que os FET;

É mais ruidoso que os FET;

É mais sensivel a variação de temperatura em relação aos FET;

Vantagens do BJT

Menor tamanho em relação as válvulas electrónicas;

Muito mais leve em relação as válvulas electrónicas;

Mais resistente em relação as válvulas electrónicas;

Mais eficiente, pois dissipa menos potência em relação as válvulas electrónicas;

Não necessita de tempo de aquecimento;

Possuí maior ganho em relação ao FET;

Menos caro em relação ao FET;

Rectificador Controlado de
Silício
SCR
Silicon Controlled Rectifier
Estrutura e Simbologia

• Dispositivo electrónico semicondutor

de quatro camadas.

• Quatro (4) regiões semicondutoras

pnpn
• Três junções pn

• Três terminais: ânodo (A), cátodo (K)

e porta ou gate (G).

• A e K - terminais de potência Figura 7: SCR: símbolo eléctrico (esquerda) e estrutura

• G - terminal de controle. pnpn (direita).
Modelo Equivalente
Sinal aplicado à base do PNP e
amplificado em seu colector.
Colector coincide com o terminal gate,
fechando o ciclo de realimentação
positiva.
Dessa forma a entrada em condução
do SCR depende do sinal aplicado no
gate.
O sinal aplicado no gate perde o
controle sobre a corrente que se forma
entre o ânodo e o cátodo, uma vez que,
a própria realimentação interna
Figura 8: Modelo de SCR com dois transistores: a) analogia
mantém a condução.
com PNP-NPN; b) analogia do SCR com transistores.
Pode-se portanto, suprimir o sinal de
gate sem influir de modo algum sobre
a condução do SCR.
Curvas características do SCR

Figura 9: Curvas características de um SCR. Figura 10: Curva de um SCR ideal.

Principais parámetros de operação do SCR
Alguns dos vários parámetros que podem ser encontrados no data-sheets de um
SCR, dependendo de quem o fabrica, são:

VDRM – Tensão de disparo directo;

IT(RMS) – Máxima corrente RMS de condução;
ITSM – Máxima corrente de surto;
IGT – Máxima corrente de surto;
VGT – Máxima tensão na porta;
IH – Corrente de ânodo de sustentação;
IL – Corrente mínima de ânodo para início de condução;
VT0 – Queda mínima de tensão na condução;
r0 – resistência interna na condução.
TJ – faixa de temperatura de operação de juncão;
Aplicações do SCR

Algumas das aplicações mais importantes dos SCRs são:

A retificação controlada das tensões alternadas, com a possibilidade de variar o

ângulo de condução, ou seja, variando-se o ângulo de condução obtém-se um
sistema chamado de “controle de fase”.
Fontes de tensão reguladas;
Controle de motores;
Conversores de frequência;
Controle de iluminação e aquecedores;
Conversão de alta potência em sistemas CC e CA.
Vantagens e desvantagens dos SCRs
Vantagens
O SCR suporta tensões, correntes e
potencia maiores;
É fácil de se ligar;
É fácil de controlar;
É de baixo custo;
Exigem mínima manutenção;
É capaz de controlar uma tensão
alternada;
Desvantagens
O SCR é um dispositivo unidirecional;
Num circuito AC, tem de ser ligado
em cada ciclo;
Não pode ser usado em altas
frequências;
A corrente de porta não pode ser
negativa.
Conclusão

• Para que um transistor funcione é suficiente que ele seja polarizado e ele possui
três zonas de operação que são: zona activa directa, zona de saturação e zona de
corte. Na zona activa directa o transistor opera como um amplificador e nas zonas
de corte e saturação este opera como uma chave electrónica.
• O SCR é basicamente um interruptor electrónico comandado. Existem vários
processos para levá-lo à condução, nomeadamente: a aplicação de uma tensão
ânodo-cátodo muito elevada e a aplicação de um pulso positivo de corrente na
porta. Quanto maior for a corrente na porta, menor será o tempo de comutação.
• As estruturas bipolares do tipo junção pn são as mais adequadas para dispositivos
de potência, uma vez que permitem a existência de correntes elevadas em zonas
associadas a quedas de tensões baixas.
Bibliografia

• FLOYD, Tomas L. ELECTRONIC DEVICE. s/l, 7a ed. PEARSON Prentice

Hall,2005.
• BOYLESTAD, Robert L e NASHELSKY, Louis. DISPOSITIVOS
ELECTRÔNICOS e teoria de circuitos. São Paulo, 8a ed. PEARSON Prentice
Hall, 2005.
• VERISSIMO, Luis. ELECTRÓNICA II. Escola superior tecnologia setubal, 2002
• http://www.dee.feis.unesp.br/gradua/elepot/principal.html
• http://www.cefetsc.edu.br/~mussoi/Eletronica_Potencia/Apostila_Tiristor_SCR.pd
f
• AHMED, Ashfaq. Eletrônica de Potência, Prentice
Hall, 1ª ed., São Paulo, 2000
• BARBI, Ivo. Eletrônica de Potência, 6ª Edição, Ed. do
Autor, Florianópolis, 2006.
• MELLO, Hilton e INTRATOR, Edmond. Dispositivos semicondutores: Rio de
Janeiro São, Paulo 4a ed, Livros técnicos e científicos EDITORA S.A. 1980.