CONDUCTIVIDAD

ELÉCTRICA DC

FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

FC UNI
Octubre 2016

ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
 MODELO DE DRUDE

Si no hay campo eléctrico los electrones se mueven con velocidades del

orden de hasta 106 pero en direcciones al azar de modo que en promedio v = 0

ε vd

En presencia de un campo eléctrico constante los electrones adquieren

una velocidad constante, conocida como velocidad de arrastre, v d .
 MODELO DE DRUDE

dv
m qε
dt

q
v  ε t, entre t  0 y t  τ
m


En t = τ los electrones chocan con “iones” y regresan a v = 0

Entonces, en promedio los electrones viajan con velocidad :

q
vd  ετ drift velocity o
2m velocidad de arrastre
 p(t  dt )  p(t )  f (t )dt

 dt 
p (t  dt )  1   p(t )  f (t )dt
  

p(t )
p(t  dt )  p (t )   dt  f (t )dt

dp p (t )
  f (t )
dt 

dv mv
m qε-
dt τ
 MODELO DE DRUDE

dv mv
m qε-  qτ 
dt τ v  m ε
  t
Ln -
dv q v qτ τ
 ε-  ε
dt m τ m

qτ
dv 1 qτ  v ε ( 1 - e - t/τ )
 - v  ε m
dt τ m 

Si t >> τ
dv 1
- dt
 qτ  τ
v  m ε v
qτ
ε , velocidad constante
 
m
 MODELO DE DRUDE

J  nq v d

vd q 
t=0 J  nq  τ  ε
m 
vd Δt
v d Δt
vd
J  σε
t = Δt

n A v d t q n e2
I σ τ
t m
 MODELO DE SOMMERFELD
Se basa en la descripción cuántica del movimiento de electrones libres
(gas de Fermi)
Si no hay campo eléctrico externo, los electrones con k < kF se distribuyen
simétricamente dentro de la esfera de Fermi. En presencia de un campo
eléctrico, la esfera de Fermi se desplaza.

δk

m vd
δk 

 MODELO DE SOMMERFELD
Sólo contribuyen a la conductividad eléctrica los electrones llevados fuera
de la esfera de Fermi por el campo eléctrico.

J  n ef q v F
4π k 2 δk vd
1 F 
n ef  n n ef n
3 4π 3 vF J  nq v d
kF n e2
3 σ τ
m
Conductividad vs temperatura en metales
Si el cristal fuera perfecto no habrían choques de los electrones
con la red. Los choques se producen por las impurezas y por
losfonones.
 Conductividad vs temperatura en metales

n e2 n e2
σ τ σ τ
m m

n e2 m 1 ρ
m 1

1
ρ  ρi  ρ fon
σ τ ρ ( )
m n e2 τ n e τ i τ fon
2
 Conductividad eléctrica en
semiconductores
n e2
σe  τe
m

n e2
σh  τh
m

σe  n e μ e
ve e τe
μe   μe 
ε me σh  p e μh

vh eτ
μh   μh  h
ε mh σ  (n e μ e  p e h )
 Conductividad vs temperatura en
semiconductores intrínsecos

σ  n i e ( μ e  h )

ni depende de la temperatura exponencialmente

μ e y h

( μ e   h ) depende de la temperatura
polinomialmente

Prevalece el comportamiento exponencial

σ  f (T) e-Eg / 2 K B T
 Conductividad vs temperatura en
semiconductores extrínsecos
σe  n e μ e

En un amplio rango de temperatura n = Nd se

mantiene constante. Los cambios de σ con la
temperatura se deben a la movilidad.
- σe  n e μ e
e e
μe   e  T -1
me
e e
μe 
μ e  T -3/2
-
me vr
-2
1 3
m e v r  K BT
2 2
e e
μe 
m1/2
e 3 K B T 1/2
 EFECTO HALL
Si sobre una muestra por la que circula corriente eléctrica se aplica un campo
magnético perpendicular a la corriente, entonces, aparecerá una diferencia de
potencial en la dirección perpendicular a ambos. Sirve para determinar el tipo de
portadores en semiconductores.

εH εH

εH εH

q (v d  B  ε H )  0 ε H  vd B
Jx
1 vd 
ε H  vd B εH  - Jx B pe
ne 1
εH  Jx B
Jx pe
vd  -
ne 1 1
RH  - RH 
ne pe
 EFECTO HALL

q (v d  B  ε H )  0

FLe  - e (v e  B)  e ve B
J y  n e μ e ε Le  p e μ h ε Lh  n e μ e  p e μ h  ε H
ε Le   v e B n e
Je

Je B Jx n e  p h
ε Le 
ne
pμ 2h  nμ e2
ε Lh 
- Jh B R
pe e(nμ e  pμ h ) 2
RESONANCIA CICLOTRÓNICA

mω 2 r  - e v B

e
ωc  B
m *

ωc
υc   2,8B GHz
2π

B en kilogauss

La resonancia ciclotrónica es comúnmente

usada para medir la masa efectiva del electrón
en metales y semiconductores
 RESONANCIA CICLOTRÓNICA
 - e v(k )  B
La trayectoria no es necesariamente dk

una circunferencia: dt

δk -
e
v (k )  B δ t


:  δk

T  δt 
eB  v (k )
v( k) es la velocidad normal a la órbita
2πeB
ωc 
δk
 v (k )

Para electrones libres regresamos a:

e
ωc  B
m *
 EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA

 d 1
m    v   e E  v  B 
 dt τ 

m    v x   e E x  B v y 
 d 1
 dt τ 

m    v y   e E y  B v x 
 d 1
 dt τ 

 d 1
m    vz   e Ez
 dt τ 
 EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA

eτ eτ eτ
vx  - E x  ωc τ v y vy  - E y  ωc τ v x vz  - Ez
m m m

 E x  1 ωc τ 0   vx 
eτ      
  E y    - ωc τ 1 0   vy 
m     
 Ez   0 0 1   vz 
 EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA

J  v 
 x  x
 J y   -n e vy 
   
J  v 
 z  z

 Jx   Ex 
-1
1 ωc τ 0 
  ne 2 τ    
 Jy    - ωc τ 1 0   Ey 
  m 0  
 Jz   0 1   Ez 
 EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA

 Jx  1 - ωc τ 0   Ex 
  σ0   
 y
J   ωc τ 1 0   Ey 
  1  ( ω c τ ) 2
  
 z
J 0 0 1  ( ωc τ ) 2   E z 
σ0
Jy  0   c E x  -E y ; J x  (E x   c E y )  J x  σ 0 E x
1  ( ωc τ ) 2

La resistividad es independiente del campo magnético

Jx 1
E y  - ωc τ E x  - ωc τ  - JxB
ne τ/m
2
ne
ρ(B)  ρ 0 1
RH 
ne
MAGNETORESISTENCIA