Anda di halaman 1dari 11

FISIKA ZAT PADAT

SEMIKONDUKTOR

Anggota :
1. Clodia Acnes (4211412027)
2. Siti Maslakah (4211412029)
3. Natalia Putri Eko W (4211412032)
4. Pamungkas Jati (4211412033)
5. Purwaditya (4211412036)
Materi

1.Sifat Optik : Proses Absorpsi


2.Devais Semikonduktor
3.Persambungan p-n
4.Transistor Persambungan
5.Laser Semikonduktor
Sifat Optik

Proses
Absorpsi

Direct Gap Indirect Gap


Semiconductor Semiconductor
Direct Gap Semiconductor
Energi foton harus
lebih besar atau sama
Pita Konduksi dengan besar celah
pita energi Eg

Eg

k
Pita Valensi

Diasosiasikan dengan Absorpsi fundamental yaitu sebuah elektron mengabsorpsi


foton kemudian loncat dari pita valensi menuju pita konduksi.
Dasar pita konduksi terletak pd k=0, langsung diatas puncak pita valensi
Elektron dekat puncak pita valensi dapat langsung transisi vertikal ke keadaan dasar
pita pita konduksi (Kaidah Seleksi)
Besar celah energi (Eg) sama
penyerapan dengan besarnya eneri foton hv
dimana v merupakan frekuensi
anguler dari foton.
Koefisien absorpsi direct gap
sebagai fungsi hv dalam
semikonduktor dimana koefisien tsb
bertambah secara parabolik.
Koefisien absorpsi direct gap (𝜶𝒅 )

Dimana :
A = konstanta yg terkait dgn sifat pita energi
hv = energi foton
Eg = celah pita energi

Eg : selisih antara energi terendah pd pita konduksi


(Ek) dgn energi tertinggi pd pita valensi (Ev)
Eg = Ek-Ev

Koefisien absorpsi yg diasosiasikan dgn absorpsi fundamental mempunyai


nilai besar yaitu sekitar 104 𝑐𝑚−1
Jadi absorpsi dpt terukur apabila sempelnya tipis (agar transmisinya
terukur)
Contoh Direct-gap semiconductor

Koefisien absorpsi sebagai fungsi hv


dalam GaAs
Contoh lainnya adalah InSb, GaN dll
Indirect Gap Semiconductor

Dasar pita konduksi


tdk terletak pd titik
pusat 0 (origin)
Elektron disini tidak
dapat melakukan
transisi langsung dari
puncak pita valensi ke
dasar pita konduksi
karena akan
melanggar kaidah
Semikonduktor indirect-gap seleksi momentum K f  Ki
Transisi masih mungkin berlangsung,
tetapi dgn dua tahap.
Elektron mengabsorpsi foton dan
fonon secara bersamaan.
Foton memberikan energi yg
diperlukan, sedangkan fonon
memberikan momentum yg diberikan.
Tanda ± menunjukan keberadaan
fonon ada yg dipancarkan (+) dan
diserap (-).

(energi fonon hanya sekitar 0,05 eV,


terlalu kecil bila dibandingkan energi
foton yaitu sekitar 1eV)
Tetapi momentum fonon cukup besar.
Koefisien Indirect Gap Semiconductor (𝜶𝒊 )

Dimana :
A’(T) = konstanta terkait parameter pita energi dan temperatur
(parameter temperatur karena konstribusi fonon utk proses transisi)

Metode optik dapat digunakan untuk membedakan


semikonduktor direct-gap dan indirect-gap
Contoh Indirect Gap Semiconductor

Koefisien absorpsi sbg fungsi hv dalam Ge.

Beri Nilai