Los tiristores

LOS TIRISTORES

P P
INGENIERO:
N N
N CARLOS ERNESTO IBARRA ORTUÑO
P P
P POSTULANTE A DOCENTE
N UNIVERSIDAD U.D.I. N
Los Tiristores
 ELECTRONICA DE POTENCIA

• La base de los tiristores es la estructura PNPN

P P
E2
N N N
B2
P P P C1
C2
N N B1
E1
Los Tiristores

Se trata de una estructura realimentada

 La estructura de 3 uniones (4 capas)
Se inyecta corriente en la unión
B1-E1 desde una fuente externa
Polarización Vg
directa
+
E2 - R
C2 B2
+ +
Pol.
E2 - R
inversa -B 1
C1 C2 B2
+
+ E1 VCC
ig Rg
Polarización - -B 1
C1
directa + E1 VCC
Vg
iB1
-

Ahora circula iB1 = ig por la

Los Tiritores

unión B1-E1
 La estructura de 3 uniones (4 capas)

• iB1 genera iC1 = b1·iB1

iB2 • Pero iC1 = iB2; por tanto:
b2
R
• iC2 = b2·iB2 = b2·b1·iB1
iC1
ig iC2 - • La corriente iB1 será ahora:
+ b1 VCC
iB1’ = ig + iC2 = ig + b2·b1·iB1
Rg iB1 • Es decir, iB1’  b2·b1·iB1 >> iB1
Vg
iB1’

Conclusiones:
- La corriente de base crece hasta saturar a los dos transistores
Los Tiristores

- Como consecuencia, el dispositivo se comporta como un cortocircuito

- La corriente ig puede eliminarse y no produce cambios.
 La estructura de 3 uniones (4 capas)

• Por tanto, el mismo circuito puede estar en dos estados posibles:

- Con la estructura de 4 capas - Con la estructura de 4 capas

sin conducir conduciendo

iCC = 0 A iCC VCC/R

+
+ 0V + 0,7 V
+
- R - R
VCC VCC
+ 0,5 V -
- 0,9 V +
+ VCC
Los Tiristores

+ VCC
0V 0,7 V
- - -
-
 El SCR
•SCR: Rectificador controlado de Silicio
•Su símbolo es como el de un diodo con un terminal más (la
puerta)
• Se enciende o se activa por la compuerta (gate)
• No se puede apagar por puerta

Estructura interna
Ánodo A
(A) iA
+ P
VAK
N-
- P-
Los Tiristores

Cátodo N
(K)
Puerta K G
(G)
 El SCR
PARAMETROS IMPORTANTES

IGT GATE TRIGGER CURRENT

The maximum value of gate current required to switch the
device from the off−state to the on−state under specified
conditions. The designer should consider the maximum
gate trigger current as the minimum trigger current value
that must be applied to the device in order to assure its
proper triggering.

IH HOLDING CURRENT
The minimum current that must be flowing (MT1 & MT2;
cathode and anode) to keep the device in a regenerative
on−state condition. Below this holding current value the
device will return to a blocking state, off condition.

IL LATCHING CURRENT
Los Tiristores

The minimum current that must be applied through the

main terminals of a Triac (or cathode and anode of an
SCR) in order to turn from the off−state to the on−state
while its IGT is being correctly applied.
 El SCR
PARAMETROS IMPORTANTES
IDRM PEAK REPETITIVE BLOCKING CURRENT
The maximum value of current which will flow at VDRM
and specified temperature when the SCR or Triac is in the
off−state. Frequently referred to as leakage current in the
forward off−state blocking mode.

IRRM PEAK REPETITIVE REVERSE BLOCKING CURRENT

The maximum value of current which will flow at VRRM and
specified temperature when the SCR or Triac is in the
reverse mode, off−state. Frequently referred to as leakage
current in the reverse off−state blocking mode.

dv/dt CRITICAL RATE OF RISE OF OFF−STATE VOLTAGE

Also, commonly called static dv/dt. It is the minimum
value of the rate of rise of forward voltage which will
cause switching from the off−state to the on−state with
gate open.
Los Tiristores

IT(AV) AVERAGE ON−STATE CURRENT (SCR)

The maximum average on−state current the device may
safely conduct under stated conditions without incurring
damage.
 El SCR
• Curva característica sin corriente Ig

Polarización directa cuando está ya

iA [A] disparado (como un diodo en
polarización directa)

Disparo por
sobretensión
ánodo-cátodo

-600 V VAK [V]

0 600 V

Polarización directa a tensión

menor de la disparo por
Los Tiristores

Polarización inversa sobretensión ánodo-cátodo

(como un diodo) (como un diodo en
polarización inversa)
 El SCR
• Curva característica con corriente de puerta

Polarización directa cuando está ya

iA [A] disparado (como un diodo en
polarización directa)

Disparo por
Disparo por sobretensión
puerta ánodo-cátodo

ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VAK [V]

0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4

Los Tiristores
 Características de un ejemplo
de SCR
Los Tiristores
 Características de un ejemplo
de SCR
Los Tiristores
 Características de un ejemplo
de SCR
Los Tiristores
 Ejemplo aplicación de SCR

Circuito básico control de

disparo

Formas de onda para

diferentes ángulos
Los Tiristores
 El TRIAC • Es el equivalente a dos SCRs conectados
en antiparalelo
• No se puede apagar por puerta
Terminal 2 T2
(T2) T2
N
P
N-
P-
N N

Puerta
Terminal 1 (G) G
G
Los Tiristores

(T1)
T1 T1
Símbolo
Equivalente Estructura
interna
 El TRIAC
• Curva característica sin corriente de puerta

Polarización directa cuando está ya

iT2 [A] disparado (como un diodo en
polarización directa)

Disparo por
sobretensión
T2-T1

-600 V VT2T1 [V]

0 600 V

Polarización directa a tensión

menor de la disparo por
Polarización inversa: se
Los Tiristores

sobretensión T2-T1
comporta como en
polarización directa
 El TRIAC
• Curva característica con corriente de puerta
iT2 [A]

Disparo por
Disparo por sobretensión T2-
puerta T1

ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VT2T1 [V]
ig = 0 ig1 ig2 ig3 ig4

Disparo por Facilidad

• Hay 4 modos posibles:
sobretensión T2-
T1 - Modo I+: VT2T1 > 0 y iG > 0 1
Los Tiristores

• Las corrientes de - Modo I-: VT2T1 > 0 y iG < 0 3

puerta pueden ser
- Modo III+: VT2T1 < 0 y iG > 0 4
positivas o negativas
- Modo III-: VT2T1 < 0 y iG < 0 2
Desaconsejado
 El DIAC
• No es un componente de potencia, sino que es un
componente auxiliar para el disparo de TRIACs
• Sólo tiene dos terminales y es simétrico

iA2 A2
iA2 [A] A2
+
P N
VA2A1

A1 - -30 V VA2A1 [V] N

0 30 V
Símbolo P
N
A1
Estructura
Los Tiristores

Curva característica interna

Cápsula
DO-35

Ejemplo de DIAC
 El DIAC

APLICACIÓN TRIAC CON OPTOTRIAC

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 MUCHAS GRACIAS POR SU
ATENCION
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