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UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE HERMOSILLO

Semiconductores

ASIGNATURA: Electrónica Analógica


CARRERA:
2016 – I
Instructor: Jesús M. Tarín Fontes

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DISPOSITIVOS ELECTRONICOS BASICOS


DIODOS SEMICONDUCTORES

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FACTORES CLAVES PARA ENTENDER LOS DIODOS


 El diodo de unión PN es el dispositivo básico de estado sólido de la
familia electrónica. La comprensión de cómo este simple dispositivo
opera y es usado permitirá utilizar y solucionar problemas avanzados y
más complejos de dispositivos semiconductores.
 En este apartado aprenderá como opera la unión PN y como es usado
como un interruptor y un rectificador. También, aprenderá como usar el
diodo zener para ayudar a regular el voltaje rectificado del diodo estándar.
Se muestra como probar los diodos con un óhmetro.

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 El proyecto #1 muestra paso a paso como construir una fuente de poder


de voltaje regulable de 15 V en un tablero de circuitos. El tablero de
circuito también contiene una fuente variable de 12 V de CA. Este tablero
de circuito se puede usar para construir y probar los circuitos de estado
sólido y dispositivos individuales.
 Para realizar completamente este proyecto requiere de equipo de prueba
como un multímetro digital, hoja de datos de los diodos, etc.

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COMO OPERA LA UNION PN

 La unión PN es un diodo hecho de materiales semiconductores tales


como el Ge y el Si. El Si es el elemento mas utilizado en dispositivos de
estado sólido. En su estado puro, el Si actúa semejante a un aislador
eléctrico.
 Durante la fabricación de dispositivos semiconductores, impurezas o
dopantes son agregadas al Si para mejorar su conductividad eléctrica. Un
material tipo N (negativo), el cuál tiene exceso de electrones, está
formado cuando dopantes tales como el antimonio, arsénico o fosforo son
agregados al Silicio.
 Un material tipo P (positivo) el cuál tiene deficiencia de electrones (dejan
los llamados “huecos” positivo), está formado cuando dopantes tales
como el aluminio, boro y galio, o indio son agregados al Si. Durante este
proceso de dopado de impurezas, se forma una unión PN, resultando un
diodo como se muestra en la Fig. 1(a).

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Unión

P N
+ + + - - -
+ + + - - -
+ + -
(a) El Cátodo es la
Ánodo Cátodo terminal con banda
(Material P) (Material N)

(b) (c)
Fig. 1 Unión PN (a) Unión PN (b) Diagrama esquemático del diodo (c ) Identificación
del cátodo

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 En la vecindad inmediata de la unión, algunos de los e-s de exceso en el


material N se combinan con algunos huecos en el material P, hasta que se
alcanza la condición de equilibrio. Esta condición de huecos y electrones
resulta en un campo eléctrico en la unión de unos cuantas decimas de
volts, y algunas veces llamado la barrera de potencial o región de carga
espacial.
 El material tipo P del diodo se refiere al ánodo, mientras que el material tipo
N es llamado el cátodo como se muestra por el símbolo esquemático en la
Fig. 1(b). Este símbolo generalmente se dibuja en los diodos grandes,
haciendo mas fácil su identificación. En los diodos más pequeños, se
dibuja una banda gris alrededor de una de las terminales que identifica a
la punta del cátodo como se muestra en la Fig. 1(c). Si el diodo se hace de
vidrio con algunas bandas multicolores, la banda negra en un extremo
generalmente indica el cátodo. Cuando no hay identificación visible, las
terminales se pude determinar con un óhmetro como se muestra en la
Fig. 5 de estos apuntes.

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Polarización del diodo


 Una unión PN se polariza directamente cuando una batería se conecta
como se muestra en la Fig. 2(a).
 Los huecos en el material P son repelidos por la terminal positiva de la
batería hacia el unión, mientras que los e-s del material N son repelidos
por la terminal negativa de la batería hacia la unión.
 El potencial de la batería fácilmente supera la barrera de potencial, y los
e-s y huecos fácilmente se combinan en la unión, resultando en un gran
flujo de corriente de e-s en el circuito.
 Los e-s son los portadores de carga en el material N, los cuales
constituyen el flujo de e-s, mientras que los huecos son los portadores de
carga en el material P, el cuál constituye el flujo de huecos.

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(a)
Fig. 2 Polarización de la unión PN (a) Polarización directa

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 La unión PN se polariza inversamente cuando las puntas de la batería son


invertidas y conectadas como se muestra en la Fig. 2(b). Los huecos en el
material P son atraídos lejos de la unión hacia la terminal negativa de la
batería, mientras los e-s en el material N son atraídos lejos de la unión
hacia la terminal positiva de la batería.
 La región de deflexión en la unión se incrementa, y hay muy poca
combinación de huecos – electrones. La corriente a través de la unión es
prácticamente cero. Hay, sin embargo, una poca combinación de huecos –
electrones que tienen lugar, y una pequeña corriente de fuga de una pocos
de micro-amperes está presente en el circuito.

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Fig. 1-2. Unión PN polarizada (b) Polarización Inversa

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 Cuando el diodo es polarizado directamente, se convierte prácticamente


en un conductor eléctrico; pero cuando es polarizado inversamente, se
convierte prácticamente en un aislante. De ahí el término “semiconductor”
 El diodo de unión PN actúa entonces parecido a un interruptor como se
muestra en la Fig. 3. Cuando el ánodo es más positivo que el cátodo, los e-s
fluyen desde tierra, a través del diodo y la resistencia, al potencial de +10
V. El diodo actúa parecido a un interruptor cerrado. Cuando el diodo es
encendido de vuelta y el ánodo es mas negativo que el cátodo, no fluyen
e-s y el diodo actúa parecido a un interruptor abierto.

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Característica de voltaje - corriente de un diodo


 El diodo actúa parecido a una válvula de una vía, y la cantidad de
corriente que fluye en la condición de polarización directa depende de la
resistencia en el circuito y de la cantidad de voltaje conectado a través
del circuito.
 Si la fuente de voltaje es colocada directamente a través del diodo en la
condición de polarización directa, actuaría como un corto circuito y lo
más probable es que se queme.
 Para evitar que suceda esto una resistencia limitadora de corriente o de
carga puede ser colocada en serie con el diodo como se muestra en la
Fig. 4(a). Inicialmente, a medida que aumenta el voltaje, hay un flujo de
corriente muy pequeña hasta que el voltaje aplicado supera la barrera de
potencia del diodo.

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(a)

Fig. 3. El diodo como un interruptor

(a) Polarizado directamente/interruptor


cerrado

(a) Polarizado inversamente/interruptor


abierto (b)
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(a) (b)
Fig. 4. Características corriente-voltaje
para un diodo (a) Polarizado
directamente (b) Polarizado
inversamente(c) Gráfica I vs.V (c)
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 Desde este punto, la corriente a través del diodo se incrementa


rápidamente cuando el voltaje es incrementado. El diodo tendrá
generalmente una caída de voltaje constante a través de él
(aproximadamente 0.3 V para el Ge y 0.7 V para el Si), a pesar de que la
corriente a través del circuito se incrementa rápidamente con un
incremento en el voltaje a través del circuito completo como se muestra
en la Fig. 4(c).
 Cuando el voltaje a través del circuito está polarizado inversamente
como se muestra en la Fig. 4(b), circula muy poca corriente, casi nada, a
través del circuito. Dado que el diodo tiende a bloquear el flujo de
corriente en la condición de polarización inversa, hay muy poca caída IR a
través de la resistencia, y el voltaje aplicado aparecerá a través del diodo
como se indica en la gráfica de la Fig. 4(c). Si el voltaje inverso continua
incrementándose, un punto de ruptura es alcanzado donde mas
electrones son drenados a través de la unión PN, y una avalancha de
corriente resulta.

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 Esta avalancha de corriente genera considerable calor que destruye o al


menos altera la estructura cristalina del diodo. Si el diodo no se quema
se abre, generalmente se pone en corto circuito y se parece a una
resistencia de un valor muy bajo. El punto del voltaje inverso en el que la
avalancha de corriente ocurre es llamado el voltaje de ruptura o punto
zener del diodo.

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Especificaciones del diodo


 A fin de seleccionar el diodo mas adecuado para alguna aplicación
específica, se deberá tomar en cuenta varias especificaciones
proporcionadas por los fabricantes. Generalmente, los diodos son
clasificados como diodos de switcheo, rectificadores, y diodos de propósito
general.
 Aunque hay muchas especificaciones y condiciones de prueba dadas para
los diodos, hay seis muy importantes que se aplican a todos los tipos de
diodos:

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IF (Corriente en sentido directo) La cantidad de corriente en la condición de


polarización directa para un voltaje dado de voltaje en sentido directo.
IFmax (Corriente máxima en sentido directo) La cantidad máxima de corriente en la
condición de polarización directa que el diodo puede soportar sin quemarse.
También es una medida de la máxima disipación de potencia del dispositivo.
VF (Voltaje en sentido directo) El nivel de voltaje necesario para producir el nivel
de corriente deseado en sentido directo.
VBR (Voltaje de ruptura inverso) o PIV (voltaje inverso de pico) El máximo voltaje de
polarización inversa que no deberá ser excedido para evitar la destrucción el
diodo.
IR (Corriente inversa o de fuga) La cantidad de corriente que fugará a través del
diodo a varios voltajes de polarización inversa.
Trr (Tiempo de recuperación inversa) Es el tiempo que le toma al diodo en
recuperarse de la condición en sentido directo y comienza a bloquear la
corriente inversa. Generalmente es más critico en los diodos de switcheo
usados generalmente en aplicaciones de alta frecuencia.

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 Típicamente, las especificaciones son dada para una temperatura de 25º


C (la temperatura normal de un cuarto). Si el diodo se va a instalar en algún
circuito donde haya alta temperatura, deberá tomarse en cuenta esta
consideración, dado que un incremento en la temperatura causa un
incremento en la IF e IR. El calor se puede disipar usando disipadores de
temperatura de calor, dichos dispositivos de estado sólido puede ser
operados en niveles de potencia muy altos.

TEREA: INVESTIGAR LAS CARACTERÍSTICAS DEL DIODO 1N4001 O 1N 4002

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 Las fuentes de poder se utilizan para reemplazar a las baterías en equipo


electrónico. El diodo permite flujo de corriente en una sola dirección, y
se produce una CD pulsante a partir de una entrada de CA. Esta CD
rectificada es suavizada con capacitores, resistencias, y/o inductores para
producir un voltaje de CD constante.
 La Fig. 5 muestra tres tipos comunes de fuentes de poder que pueden ser
usadas con circuitos de estado sólido. La fuente de poder de media onda
utilizan solamente la alternancia positiva de la AC de entrada. Esta fuente
de poder es la más fácil y menos cara de construir, pero contiene un alto
rizo en el voltaje de salida de CD.

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 Las fuentes de poder de onda completa utilizan ambas alternancias de la


entrada de CD y tiene menos rizo en la salida de CD. Sin embargo,
produce solamente la mitad del voltaje de salida de CD de una fuente de
poder de media onda y requiere un transformador de tap central que es
costoso.
 La fuente de poder tipo puente es también de onda completa y requiere
dos diodos mas, pero elimina la necesidad del transformador de tap
central. Con la disponibilidad de los módulos rectificadores en puente,
esta fuente de poder es la mejor de construir y solo necesita unas
cuantas conexiones.
 Si todos los diodos de la Fig. 5 son volteados, se produce un voltaje de
salida de CD negativo.
 Las fórmulas están dadas para cada una de las fuentes de poder para el
voltaje de salida de CD aproximado para una carga de 10 kW.

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+  8.2 VCD

6.3 Vrms

Voltaje de salida CD  1.3  Voltaje de entrada RMS

+  4.2 VCD

Voltaje de salida CD  0.6  Voltaje de entrada RMS

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+  8.6 VCD

Voltaje de salida CD  1.3  Voltaje de entrada RMS

Fig. 5 Fuentes de poder (a) Media onda, (b) Onda completa, (c) Puente

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EL DIODO ZENER
 El diodo zener es un diodo dopado especialmente usado principalmente
como un dispositivo regulador de voltaje. Algunas veces es llamado diodo
de referencia, y tres símbolos esquemáticos son usados para su
identificación como se muestra en la Fig. 6(a). símbolo de la izquierda es
el mas usado.

(a)

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(b)
Fig. 6 Diodo zener (a) Símbolos esquemáticos, (b) Curva característica

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 El diodo zener actúa parecido a un diodo normal en polarización directa y


en condiciones de polarización inversa, como se muestra en la Fig. 6(b).
Sin embargo, cuando se alcanza el punto zener, este no se destruirá por la
corriente de avalancha y tratará de mantener el voltaje zener a través de
su ánodo y cátodo. Por este proceso, el diodo zener mantendrá
razonablemente el voltaje zener a través de el. Por ejemplo, el diodo
zener de 6.2 v mostrado en la Fig. 7(a) tiene una corriente de 38 mA sin
carga a través de él.
 La resistencia limitadora de corriente R1 protege al diodo zener y se
encuentra por la ley de Ohm.
 Por lo tanto
VR1  V fuente  VZener

VR1 1.8 V
R1    47 W
IZ 38 mA

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(a)

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(b)
Fig. 7. Voltaje de regulación Zener (a) Condición sin carga (b) Condición de carga

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 Una carga de 500 W conectada a través del diodo de 6.2 V mostrada en la


Fig. 7(b) drenará un corriente de cerca de 12 mA. La IZ caerá a cerca de
26 mA, pero la misma cantidad de corriente total estará fluyendo a través
de R1, manteniendo la caída de 1.8 V mientras que el voltaje de salida a
través del diodo zener permanece cerca de 6.2 V. El diodo zener solo no es
un buen regulador, y cuando la corriente de carga se incrementa, hay un
ligero descenso en el voltaje regulado. Un diodo zener es considerado
muy bueno si puede regular un ± 5% de su valor asignado.

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 Hay dos condiciones en las que el diodo zener no operará adecuadamente


– muy poca corriente y también mucha corriente. Si la corriente de carga
se incrementa a un punto donde muy poca corriente es suministrada a la
resistencia limitadora por el diodo zener, el voltaje de salida superará
caída IR de la carga. El diodo zener es tan útil como si fuera el circuito
completo. También mucha corriente a través del diodo zener destruirá el
diodo. La máxima corriente permisible para un diodo zener en particular
puede ser determinada a partir de su voltaje zener y capacidad de
potencia por la fórmula:
P
I Z má x 
VZ
Ejemplo
0.5 W
I Z máx   80 mA
6.2 V

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