GRUPO 1

Docente: Ing. DIAZ DIAZ Alex Fabian

Alumnos: CAPRISTAN ATOCHE Azucena

LUJAN GAMARRA, Walter
TERONES RUMAY Peter
JULCA QUISPE Hubert
 CARACTERIZACIÓN DE UN
CRISTAL DE SILICIO CRECIDO DE
CZOCHRALSKI DOPADO CON
1020 CM-3 DE GERMANIO
INTRODUCCION
• El desarrollo de circuitos integrados de ultra gran escala ( ULSI ) condujo a la
disminución del tamaño de la característica del dispositivo , y por lo tanto es
importante controlar el tamaño y la densidad de microdefectos tales como
precipitados de oxígeno y vacíos . Sin embargo , con la aplicación del método
de la CZ magnética ( MCZ ) , la concentración inicial de oxígeno se hace menor
[ 1 ] y es más difícil de formar precipitados de oxígeno y para crear sitios de
impurezas indeseadas en el silicio . Mientras tanto , también es bien sabido
que los espacios vacíos , en especial los situados en la cerca de la superficie
de una oblea , se puede deteriorar la integración de óxido de puerta (GOI ) y
aumentar la corriente de fuga de metal-oxide -semiconductor (MOS )
dispositivos [2,3] . Por otra parte , con el aumento del diámetro de la oblea de
Si CZ , el aumento de plomo estrés térmico y gravitacional a un mayor riesgo
de alabeo [ 4 ] . Por lo tanto , es necesario para mejorar las propiedades
mecánicas de las obleas
EXPERIMENTO
• Un dopado con Ge de tipo n de cristal de Si con un diámetro de 100 mm y una longitud de 900 mm
se cultivó por el método de crecimiento de la CZ usando una semilla de Si , se utilizaron 180 g de
Ge y 0,237 mg de P para el crecimiento de cristales . El cristal se hizo crecer a una tasa de
crecimiento de 1,2 mm / min en promedio.
• Las velocidades de rotación del crisol y el cristal fueron constantes a 6 rpm y 15 rpm
respectivamente . El crecimiento de cristales se llevó a cabo en una atmósfera de argón de alta
pureza con un caudal de 40 l / min y la presión de argón se controló a aproximadamente 3,7 Torr
durante el proceso .
• La concentración de Ge ( [GE ] ) se midió por espectrometría de masas de iones secundarios ( SIMS
) y la concentración de oxígeno intersticial ( [ OI] ) se determinó por espectroscopia de infrarrojos
por transformada de Fourier ( FTIR ) . La concentración inicial de carbono estaba por debajo del
límite de detección de FTIR de 1016 cm - 3 .
• Obleas de semilla de extremo a extremo de la espiga fueron grabadas en no agitado grabador
Secco durante 30 min para observar los FPD por medio de un microscopio óptico. Además ,
durante la producción de obleas pulidas con una espesor convencional de 625 micras en una sala
limpia industrial, la urdimbre y arco - que son los dos principales parámetros de control de la
deformación de la oblea - fueron controlados por un ADE- 7200 sin contacto on- line sistema de
medición multifuncional
RESULTADOS Y DISCUSION

• En CZ crecimiento de cristales de silicio, la concentración de Ge en un cristal con solidificada es dada,

aproximadamente, por [12]: C (g) = Keff C0 (1-g) Keff -1, (1) donde C0 es la concentración inicial de Ge
en la masa fundida ~ 1,5 × 1020 átomos/cm3, keff es el coeficiente de separación efectiva de Ge en Si.
• Durante el crecimiento del lingote de silicio GCZ, se utilizaron los parámetros de crecimiento en tres
diferentes posiciones fracción sólida a lo largo del lingote para estimar el coeficiente de segregación de
Ge, como se indica en
Table 1 Las concentraciones de Ge y de oxígeno intersticial, el coeficiente de segregación efectiva Keff,
la velocidad de tracción del cristal y el coeficiente de segregación de equilibrio K0 a diferentes solidfied
fracción g del cristal de la CZ de Si dopado con Ge ..
• Las densidades de FPD en diferentes posiciones del cristal se muestran en la figura 1 . Se puede
observar que la densidad de FPD en las muestras de semillas de gama era de unos 2000 cm- 2 ,
mientras que la de las muestras tang- final fue aproximadamente 1150 cm - 2 . Las fotografías
microscópicas ópticas de PPF en el extremo de la semilla, el medio y el extremo de la espiga se
muestran en la Figura 2. También se puede encontrar que la densidad de visualizadores de panel
plano se redujo de la porción de semillas de extremo a la parte de espiga de extremo en el lingote.
• La concentración de Ge en la espiga de extremo del lingote se cree que es más alta que en la
parte de la semilla de extremo, y está claro que la densidad de FPD en el GCZ oblea de Si
disminuye con el aumento de la concentración de Ge.
• En nuestro trabajo anterior, se encontró que la densidad FPD en el extremo de semillas fue
generalmente similar a la de la espiga de extremo del silicio CZ convencional, cultivado bajo un
conjunto similar de parámetros [9]. Por lo tanto, los resultados indican que Ge dopado de cristales
de Si CZ puede suprimir significativamente FPD
La figura. 1 densidades FPD en diferentes posiciones del cristal de la CZ de Si dopado con Ge
La figura. 2 micrografías ópticas de FPD en dopado con Ge CZcrystal Si después Secco grabado durante 30 min, (a)
las semillas-end (b) media (c) tang-end. (Color en línea en www.crt-journal.org)
La figura. 3 Los datos estadísticos de la urdimbre y el arco de 550 piezas de pulido dopados Ge obleas de silicio CZ
CONCLUSION
• En este estudio, un 1020 cm-3 Ge dopado CZ Si se ha crecido y el coeficiente de segregación de Ge, la
distribución de los visualizadores de panel plano, así como la distribución de la resistencia mecánica se
han estudiado.
• El coeficiente de separación efectiva de Ge en Si era aproximadamente 0,56, mientras que el
coeficiente de la segregación de equilibrio fue aproximadamente 0,4. La densidad de las FPD reducidas
a partir de semillas de extremo a tang-extremo del cristal,esto de acuerdo con la propuesta de que Ge
dopado puede suprimir la gran formación de huecos y que los grandes espacios vacíos se conectan con
la formación de FPD.
• Por otra parte, se ha encontrado que la urdimbre y el arco en el extremo de la semilla era más grande
que la de la espiga-extremo del cristal. Se considera que la formación de oxígeno crecido-en alta
densidad de precipitados que se genera en base a los complejos relacionados con el Ge, podría
contribuido a la resistencia mecánica en Ge dopado cristal de la CZ de Si