KELOMPOK 3

HENDIKA AULIYA ROHMAN

1705542007

DIAN PUSPITA
1705542008

LISTARA WIJAYA
1705542009

DIO SASKARA
1705542010
 MASSA EFEKTIF

Didalam semi koduktor, di karenakan banyaknya jumlah atom yang menghalangi

pergerakan electron dan hole, muatan ini berprilaku seolah-olah mereka memiliki
massa yang berbeda dengan ketika bebas.
Massa pengantar muatan ini diberi nama “Massa Efektif” yang dapat
dihitung dari kurva Energinya.
 MASSA EFEKTIF

P² ℎ2 2
E = ½ MV² = = 𝑘
2𝑚 2𝑚

𝑑𝐸 ℎ2 𝑑²𝐸 ℎ2
= k =
𝑑𝐾 𝑚 𝑑𝐾² 𝑚
Sedangkan Pada Semi Konduktor, Massa Efektif di
tentukan oleh :

∗ ℎ2
𝑚𝑒 = 𝑑2𝐸 Untuk Elektron
𝑑𝑘2

∗ ℎ2
𝑚ℎ = 𝑑2𝐸 Untuk Hole
𝑑𝑘2

Massa efektif pengantar muatan tergantung juga arah lattice. Ini

berarti electron (hole) lebih mudah bergerak ke arah tertentu
pada Kristal.
 Material Intrinsik

Semi konduktor Kristal sempurna dinamakan internal instrisik. Pada suhu T=0, material
instrinsik tidak memiliki pengantar muatan bebas.
Saat suhu T>0 pasangan electron –hole selalu terbentuk karena electron di pita
Valensi terecitasi oleh energi termal ke pita konduksi meninggalkan sebuah hole (lubang).
Karena pasangan electron-hole selalu tercipta secara bersamaan maka jumlah
electron selalu sama dengan hole (lubang).
Jadi untuk material instrinsik,kita punya :
n = p = n¡
Dimana :
-n adalah jumlah electron per volume
-P adalah hole per volume
Besaran n¡ tergantung pada material dan suhu T.
 Material Extrinsik
Selain melalui panas (termal), pengantar muatan bisa di ciptakan dengan secara
sengaja membalikan impurity (ke tidak sempurnaan) ke dalam Kristal semikonduktor.
Proses pengenalan impurity ini di sebut “doping”
Dengan “doping” sebuah semikonduktor bisa di manipulasi sehingga
pengantar muatannya di dominasi oleh elektron atau hole.
Jadi ada 2 tipe semi konduktor yang di doping tipe-n dan tipe-p
Tipe-n pengantar muatan paling di dominasi oleh elektron
Tipe-p pengantar muatan yang di dominasi oleh hole
Pada extrinsik material :
n ≠ p ≠ n¡
Ketidaksempurnaan (Impurity) yang di perkenalkan dalam Kristal semikonduktor
akan menghasilkan energy level baru biasanya di dalam boudgap
 Material Extrinsik

Impurity dapat di buat dengan menggantikan beberapa atom instrisik semi konduktor dengan atom lain
yang di sebut dopaut.
Dapaut :
Golongan V P, As dan Sb

o memiliki 5 electron valensi

Golongan III B,Al,Ga dan In
Memiliki 3 electron valensi
 Tipe - N

Doping P pada Si memperkenalkan energi level baru dekat dengan pita

konduksi. Saat T= 0 electron akan terjebak pada level impurity. Saat T > 0
electron akan terexcitasi dengan mudah ke pita konduksi dan berkontribusi
dalam konduksi. Dopaut P disini disebut dengan “Donor” karena memberi
electron. Energi level impuritynya disebut dengan donor level.
 Tipe - P

Doping B pada Si akan memperkenalkan energy level baru dekat

dengan pita valensi. Saat T = 0 seluruh electron berada pada pita
valensi. Saat T> 0, electron pada pita valensi akan terexcitasi dengan
mudah ke level impurity, meninggalkan hole pada pita valensi yang
berkontribusi pada proses konduksi.
Dopaut B disini disebut dengan istilah “Acceptor” karena menerima
electron dari valensi. Energi level impuritynya disebut acceptor level.
 Tipe - P

Selain semi konduktor murni seperti Si, Doping bisa juga dilakukan pada
semi konduktor campuran (Kompound).

Campuran III-V
Untuk semi konduktor, campuran III-V impurity golongan VI akan
menggantikan atom golongan V. Sehingga dopant VI menjadi donor.
Impurity golongan II akan menggantikan atom golongan III. Sehingga
dopand II menjadi acceptor.
Impurity golongan IV pada system campuran III-V disebut dengan istilah
amphoteric, artinya dia bisa menjadi donor atau acceptor tergantung
atom mana yang bisa digantikannya.
 STATISTIK PENGHANTAR
MUATAN

STATISTIK KLASIK (MAXWELL-BOLTZMAN)

STATISTIK BOSE-EINSTEIN

STATISTIK FERMI-DIRAC
 STATISTIK Maxwell-
boltzman
Statistik yang menggambarkan perilaku partikel klasik seperti gas dan molekul.
Dalam statistic ini, setiap partikel berbeda dengan partikel lainnya dan dapat
diberikan label untuk membedakannya.

Dalam statistic klasik state 1 berbeda dengan state 2 pertukaran partikel

menghasilkan state baru.
Apabila ada N jumlah partikel, maka jumlah partikel dengan energy Ei adalah;

𝐸𝑖
𝐸𝑖 = 𝑁 exp(− )
𝐾𝑇

Fungsi Partisi :

𝑁𝑖 𝐸𝑖
𝑃𝑖 = = exp (− )
𝑁 𝐾𝑇

Pi (Fungsi Partisi) merupakan peluang dari partikel untuk memiliki energy 𝐸𝑖

 STATISTIK Bose-Einstein

Statistik yang menggambarkan perilaku partikel yang bernama boson.

Boson adalah partikel quantum yang memiliki spin bilangan bulat (integer). Contoh Boson
ialah cahaya atau pkoton atau molekul helium cair.

Fungsi Partisi dari Boson adalah;

1
𝑃𝑖 =
𝑒 (𝐸𝑖/𝐾𝑇) − 1
 STATISTIK Fermi-Dirac

Statistik yang menggambarkan perilaku partikel yang bernama Fermion.

Fermion adalah partikel quantum yang memiliki spin berkelipatan ganjil dari
1 3 5
setengah (2 , 2 , 2 , … )
Contoh fermion adalah electron gas.

Fungsi partisi dari electron adalah

1
𝑃𝑖 =
1 + 𝑒 (𝐸−𝐸𝐹 )/𝐾𝑇

Dimana 𝐾 = 8,62 × 10−5 𝑒𝑣/𝐾

Fungsi Partisi tergantung dengan suhu.

EF dikenal dengan sebutan energy Fermi (Fermi Level)
 STATISTIK Fermi-Dirac
Energi fermi merupakan sebuah kuantiti yang sangat penting di semi-konduktor.
Apabila E=EF, maka;
1 1 1
𝑃𝑖 = = =
1 + 𝑒 (𝐸𝐹−𝐸𝐹)/𝐾𝑇 1 + 1 2
1
Ini artinya state dengan energy level sama dengan energy Fermi memiliki peluang 2 untuk
diisi (diokupasi) oleh electron.
Saat T= 0

• 𝐸 > 𝐸𝐹, 𝑇 = 0
1 1
• 𝑃𝑖 = 1+𝑒 −(𝐸−𝐸𝐹)/0 = 𝑒 ∞ = 0

 𝐸 < 𝐸𝐹, 𝑇 = 0
1 1
 𝑃𝑖 = 1+𝑒 −(𝐸𝐹−𝐸)/0 = 1+𝑒 −∞ = 1
 STATISTIK Fermi-Dirac

Ini artinya saat T= 0, seluruh electron mengisi energy state yang lebih rendah daripada energy
Fermi. Untuk T>0 , peluang untuk electron bisa mengisi energy state > EF lebih besar. Demikian
pula peluang untuk energy state < EF untuk ditinggalkan electron juga bertambah.
Apabila peluang electron untuk mengisi energy state adalah P (E), maka peluang electron untuk
mengosongkan energy state tersebut adalah 1 – P(E)

Peluang electron untuk mengosongkan energy state adalah sama dengan peluang terbentuknya
hole, 𝑃ℎ 𝐸 = 1 − 𝑃𝑒 𝐸
 STATISTIK Fermi-Dirac

Peluang electron untuk mengisi state dengan energy ∆𝐸 diatas 𝐸𝐹 adalah sama dengan peluang
terbentuknya hole dengan energy ∆𝐸 dibawah EF
𝑃 𝐸𝐹 + ∆𝐸 = 1 − 𝑃 𝐸𝐹 − ∆𝐸

1 1
=1−
1 + 𝑒 ∆𝐸/𝐾𝑇 1 + 𝑒 −∆𝐸/𝐾𝑇
 KONSENTRASI PENGHANTAR
MUATAN

Menurut statistic Fermi-Dirac, peluang (probability) electron untuk menempati

1
state dengan energy E adalah Pe =
1+𝑒 (𝐸−𝐸𝐹)/𝐾𝑇

Hole (lubang) adalah pengantar muatan ketika sebuah stae dikosongkan

(kehilangan) electron, sehingga peluang hole adalah; Ph = 1 – Pe
 DOS
Density Of 𝑆𝑡𝑎𝑡𝑒

Density Of State (DOS) adalah konsentrasi (kerapatan) state dari semikonduktor (electron
hole).
Apabila kita memiliki DOS sebesar N, maka jumlah electron adalah; n = Pe.N
Karena N bervariasi terhadap energy, maka jumlah electron total adalah;
𝛴
𝑛 = Pe Ei . N Ei
𝑖
Atau
∞
n0= ‫ 𝐸 𝑒𝑝 𝑒𝐸׬‬. 𝑁𝑒 𝐸 . 𝑑𝐸
Ee ; Level konduksi
Ee (E) ; kerapatan state dengan energy E
Ep (E) ; Peluang electron pada enegri E

Jumlah electron dapat dihitung dengan formula diatas dan menghasilkan;

2𝝅 𝑚𝑒 𝐾𝑇 3
n0 =2 ( 2 ) Τ2 𝑒 −(𝐸𝑒−𝐸𝐹)/𝐾𝑇
h
Untuk hole;

𝐸𝑣
𝑃0 = ‫׬‬−∞ 𝑃ℎ 𝐸 𝑁ℎ 𝐸 𝑑𝐸
𝐸𝑣
= ‫׬‬−∞ 1 − 𝑃𝑒 𝐸 𝑁ℎ 𝐸 𝑑𝐸
Ev ; level valensi
𝑁ℎ (E); Kerapatan state hole
𝑃ℎ (E); Peluang hole

Sehingga di dapat;

2𝝅 𝑚𝑒 𝐾𝑇 3
𝑃0 = 2 ( ) Τ2 𝑒 −(𝐸𝐹−𝐸𝑉)/𝐾𝑇
h2
Bisa kita tuliskan;
𝑛0 = Nc . 𝑒 −(𝐸𝑒−𝐸𝐹)/𝐾𝑇
𝑃0 = Nv . 𝑒 −(𝐸𝐹−𝐸𝑣)/𝐾𝑇

Dari persamaan diatas kita dapatkan;

𝑛0 . 𝑃0 = Nc. Nv 𝑒 −(𝐸𝑐−𝐸𝑣)/𝐾𝑇
Karena Ec-Ev = Eg, maka
𝑛0 . 𝑃0 = Nc. Nr 𝑒 −𝐸𝑔/𝐾𝑇
𝑛0 . 𝑃0 =𝑛𝑖2

Dimana;
𝑛𝑖 = 𝑁𝑒. 𝑁𝑣 𝑒 −𝐸𝑔/2𝐾𝑇

𝑛𝑖 ; disebut muatan electron intrinsik

 KONSENTRASI MUATAN PADA MATERIAL
INTRINSIK

Pada material intrinsik 𝑛0 = 𝑃0 , sehingga energy Fermi dari material intrinsic adalah
Nc . 𝑒 −(𝐸𝑒−𝐸𝐹)/𝐾𝑇 = Nv . 𝑒 −(𝐸𝐹−𝐸𝑣)/𝐾𝑇
𝑁𝑐 −(𝐸𝑒+𝐸𝑣)/𝐾𝑇 =𝑒 −2𝐸𝐹/𝐾𝑇
. 𝑒
𝑁𝑣
Sehingga;
𝑁
2𝐸𝐹 = (𝐸𝑒 +𝐸𝑣 ) + 𝐾𝑇 𝑙𝑛 𝑁𝑣
𝑒
𝐸𝑒 +𝐸𝑣 𝐾𝑇 𝑁𝑣
𝐸𝐹 = + ln
2 2 𝑁𝑒

𝐾𝑇 𝑁𝑣
Karena ln sangat kecil, maka posisi 𝐸𝐹 pada material intriksik adalah ditengah-
2 𝑁𝑒
tengah pita terlarang, seringkali Energi Fermi pada material intriksi disebut Energi
Intrinsik (Ei)
𝐸 +𝐸 𝐾𝑇 𝑁
𝐸𝑖 = 𝑒 2 𝑣 + 2 ln 𝑁𝑣
𝑒
 KONSENTRASI MUATAN PADA MATERIAL TIPE-N

𝑛0 = 𝑛𝑖 exp 𝐸𝐹 − 𝐸𝑖 /𝐾𝑇
Hal yang sama dilakukan untuk hole; 𝑃0 = 𝑛𝑖 exp 𝐸𝑖 − 𝐸𝐹 /𝐾𝑇
Karena 𝑛0 >> 𝑃0 , maka 𝐸𝐹 ≫ 𝐸𝑖 , maka untuk material tipe – N, energy Ferminya
berada diatas energy intrinsic, atau dekat dengan energy konduksi.
 PERTANYAAN

1. Apa yang dimaksud dengan arah lattice? (KrisnaYoga/ 1705542030)

2. Apa itu level impurity? (Vifiana Anggi/1705542003)
3. Apa itu rumus exp dan apa saja besarannya? (Vifiana Anggi/1705542003)
4. Contoh atom yang bisa dijadikan donor dan acceptor? (Dwi Artika Putra/1705542015)
5. Apa itu “E” dalam massa efektif dan parameter yang mempengaruhinya apa
saja?(Bintang/1605542005)
6. Apa itu energy level baru?(Niken Larasati/1705542014)
7. Apa saja contoh nyata dari material intrinsic?(Refen Jong/1705542020)
8. Bagaimana proses pengenalan dari impurity?(Indra Pramana/1705542017)
9. Apa fungsi ke depan mempelajari materi material teknik elektro? (Nanda
Nugraha/1705542028)
10. Apakah electron sama dengan hole?apa saja yang mempengaruhi perbedaan electron dan
hole? (Dwi Artika/1705542012)
11. Pertukaran partikel untuk membentuk state baru apakah harus ada pola atau tidak?(Vifiana
Anggi/1705542003)
12. Apa itu state? (Gus Awi/1705542019)
 JAWABAN

1. Arah Lattice adalah pergerakan electron (hole) ke arah tertentu pada Kristal.
2. Level Impurity adalah tingkat ketidaksempurnaan suatu partikel.
3. Rumus exp adalah rumus exponential. Exponential itu berupa angka. Contohnya
𝑎𝑛 , 𝑎 𝑖𝑡𝑢 𝑑𝑖𝑠𝑒𝑏𝑢𝑡 𝑑𝑒𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑏𝑖𝑙𝑎𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑝𝑜𝑘𝑜𝑘 𝑠𝑒𝑑𝑎𝑛𝑔𝑎𝑛𝑘𝑎𝑛 𝑛 𝑑𝑖𝑠𝑒𝑏𝑢𝑡 𝑑𝑒𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑒𝑘𝑠𝑝𝑜𝑛𝑒𝑛𝑠𝑖𝑎𝑙 𝑎𝑡𝑎𝑢 𝑝𝑎𝑛𝑔𝑘𝑎𝑡.
4. Contoh atom yang dijadikan donor ialah S, Se, dan Te dan contoh atom yang dijadikan acceptor adalah Be,
Zn, dan Cl.
5. E dalam massa efektif adalah energi. Parameter yang mempengaruhinya adalah percepatan dan massa.
Hal ini dikarenakan menurut konsep bahwa massa efektif dilekatkan pada elektron yang berada dalam
pengaruh potensial yang periodik, dan merasakan adanya medan listrik atau medan magnet.
Dalam kondisi tersebut elektron akan dipercepat, dan massa yang "tampak" akan berbeda dengan massa
"diam" elektron tersebut. Massa yang "tampak" itulah yang disebut sebagai massa efektif.
6. Contoh nyata dari material intrinsik seperti yang kita ketahui, material intrinsik juga disebut dengan
semikonduktor kristal sempurna yang mana contohnya ialah transistor, diode, mikroposesor, thermisor,
sel surya dan IC (Integrated Circuit).
 JAWABAN
7. Energi level baru adalah energi baru yang dihasilkan akibat adanya
ketidaksempurnaan yang diperkenalkan dalam Kristal semikonduktor.
8. Proses pengenalan impurity disebut dengan doping. Dengan doping sebuah semi
konduktor bisa dimanipulasi sehingga pengantar muatannya di dominasi oleh
electron atau hole.
8. Fungsi kedepan mempelajari materi material teknik elektro ialah agar kita dapat
mengetahui jenis-jenis serta komponen dari bahan elektronika yang sangat
penting dan harus kita ketahui karena merupakan dasar dari semua masam
komponen yang digunakan di dalam dunia elektronika.
9. Elektron berbeda dengan hole. Perbedaannya terletak pada arah arus dari
electron dan hole. Jika arus electron bergerak dari kutub negative ke kutub positif,
sedangkan hole memiliki arus yang geraknya kebalikan dari arah arus electron.
11. Pertukaran partikel tidak harus ada pola sebab setiap adanya pertukaran partikel
akan menghasilkan state baru.
12. State adalah statistic yang menggambarkan perilaku partikel klasik seperti gas
dan molekul.
OM SHANTI, SHANTI, SHANTI OM