Transístor Bipolar

Transístor bipolar 
O termo Transístor resulta da aglutinação dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR (resistência de transferência).
O termo bipolar refere-se ao facto dos portadores electrões e lacunas participarem no processo do fluxo de corrente.
http://www.prof2000.pt/users/lpa
Constituição
Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas
junções PN (junção base-emissor e junção base-colector) de material
semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais designados por
Emissor (E), Base (B) e Colector (C).
Altamente Menos Menos

Camada Altamente Camada
dopado dopado que dopado que
mais fina dopado mais fina
o Emissor e o Emissor e
e menos e menos
mais dopado mais dopado
dopada dopada
que a Base que a Base
N – Material semicondutor com excesso de electrões livres

P – Material semicondutor com excesso de lacunas
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Junções PN internas e símbolos
Junção PN Junção PN Junção PN Junção PN

base - emissor base - colector base - emissor base - colector
3
Principio de funcionamento
Para que o transístor bipolar conduza é necessário que seja aplicada na
Base uma corrente mínima (VBE ≥ 0,7 Volt), caso contrário não haverá
passagem de corrente entre o Emissor e o Colector.
O transístor não conduz

IB = 0 (está ao corte)
Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transístor conduz e

pode amplificar a corrente que passa do emissor para o colector.
Uma pequena corrente …origina uma grande corrente

entre a base e o emissor… entre o emissor e o colector
4
Utilização
O transístor bipolar pode ser utilizado:
• como interruptor electrónico.

• na amplificação de sinais.
• como oscilador.
5
Polarização
Para o transístor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado através de uma fonte DC.
Para o transístor estar correctamente polarizado a junção PN base – emissor deve

ser polarizada directamente e a junção base – colector deve ser polarizada
inversamente.
Regra prática:
O Emissor é polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui.
A Base é polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui.
O Colector é polarizado com polaridade contrária à do semicondutor que o constitui.
Emissor Base Colector Emissor Base Colector
P N P N P N
+ - - - + +
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Emissor Base Colector
Polarização Emissor Base Colector
P N P N P N
+ - - - + +
_ +
Rc Rc
Rb – Resistência de polarização de base

Rb Rb
Rc – Resistência de colector ou resistência de carga
+ _
7
Representação de tensões e
correntes
VCE – Tensão colector - emissor
VBE – Tensão base – emissor
VCB – Tensão colector - base
IC – Corrente de colector
IB – Corrente de base
IE – Corrente de emissor
VRE – Tensão na resistência de emissor

VRC – Tensão na resistência de colector
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Relação das correntes
+
Rc
Considerando o sentido convencional da corrente e
aplicando a lei dos nós obtemos a seguinte relação
Rb das correntes num transístor bipolar
IC
IB
IE = IC + IB
IE
9
Características técnicas
Utilizando o código alfanumérico do transístor podem-se obter as suas
características técnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do
fabricante.
IC É a máxima corrente de colector que o transístor pode suportar. Se
este parâmetro for excedido o componente poderá queimar.
VCEO Tensão máxima colector – emissor com a base aberta.
VCBO Tensão máxima colector – base com o emissor aberto.
VEBO Tensão máxima emissor – base com o colector aberto.
hFE ou  Ganho ou factor de amplificação do transístor.
hFE = IC : IB
Pd Potência máxima de dissipação.
fT Frequência de transição (frequência para a qual o ganho do transístor
é 1 ou seja, o transístor não amplifica mais a corrente).
10
Substituição de transístores por
equivalentes
• Num circuito não se pode substituir um transístor de silício
por um de germânio ou vice – versa.
• Também não se pode trocar directamente um transístor NPN

por um PNP ou vice – versa.
• A letra (A, B, C…) que pode aparecer no fim do código

alfanumérico indica sempre aperfeiçoamentos ou melhorias
em pelo menos um dos parâmetros, limites ou características
do transístor.
Exemplo: O BC548A substitui o BC548.
O BC548A não substitui o BC548B
11
Dissipadores de calor
O uso de
dissipadores ou
radiadores
externos de calor
são quase que
obrigatórios nos
transístores que
trabalham com
potências
elevadas de modo
a evitar o
sobreaquecimento
do componente e
a sua possível
destruição.
Lucínio Preza de Araújo 12

CONCEPTOS BASICOS DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Electronica de potencia tiene que ver con el estudio y diseño de equipos que aplican
energia a un proceso productivo
La diferenciamos de la electronica tradicional ya que esta se concentra en procesar señales

Amplificarlas,filtrarlas transmitirlas y generarlas
Señal es algo que expresa el comportamiento y descripcion de un circuito
Usted lo puese asimilar a una onda que se ve en un osciloscopio
LA ELECTRONICA DE POTENCIA RESUELVE RETOS INDUSTRIALES Y DE PRODUCCION
SOBRETODO MODERNIZANDO PROCESOS ANTIGUOS
VAMOS A ILUSTRAR ESE ESCENARIO
CONVERSORES DE ENERGIA
FUENTES DE PODER
SUCHEADAS
RESONANTES
CALENTAMIENTO POR INDUCCION
CONTROL DE MOTORES Y SERVOACTUADORES
SISTEMAS DE ILUMINACION
CONTROL DE MOTORES
CONTROL DE HERRAMIENTAS
PROCESOS DE ALIMENTOS
MATERIAS PRIMAS
RECICLAJE
APLICACIONES DEL AGRO
APLICACIONES BIOMEDICAS
COMUNICACIONES
FUENTES DE SUICHEO
VER LOS VIDEOS

FERRITAS BOBINAS NUCLEOS Y BOBINADORAS
NORMALES Y DE TOROIDES (VER VIDEOS)
LOS IGBTs
VER VIDEOS DE SU FUNCIONAMIENTO Y DE LOS FETS

BOBINAS
CAPACITORES POLYESTER
DIODOS DE POTENCIA y BAJA SEÑAL
VARISTORES GAS ARRESTER TVS (VER VIDEO)
TERMINALES
BORNERAS
CABLES CONDUCTORES
TERMOFUNDIBLE ( VER VIDEO)
EL DIODO DE POTENCIA
Ideas generales sobre diodos de unión PN
V
VT
• Ecuación característica del diodo: i = IS·(e -1)
donde: VT = k·T/q IS = A·q·ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))
• Operación con polarización directa con VO > V >> VT, siendo VO la tensión interna de
equilibrio de la unión:
V
i  IS·e VT (dependencia exponencial)
• Operación con polarización directa con V > VO >> VT:
i  (V-Vg)/rd donde Vg es la tensión de codo del diodo y rd su resistencia

dinámica
• Polarización inversa con V << -VT
i  -IS (corriente inversa de saturación que es muy pequeña y casi

independiente de la tensión)
• Curva característica
(recta)
i [mA] pendiente = 1/rd

i 1
(exponencial)
+ P
V N
-
0
-1 1 V [V]
Vg
DIODOS DE POTENCIA
i [A]
0
-1 V [V]
-0,8
(constante)
• Avalancha primaria
- +
- +
P + +
+
-- -
+ - +
-
N
- +
i + V -
DIODOS DE POTENCIA
i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si
0
se producen pares electrón-hueco
adicionales por choque con la red
cristalina de electrones y huecos
suficientemente acelerados por el
campo eléctrico de la zona de
-2
transición
Concepto de diodo ideal
En polarización directa, la caída

de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
i
conducida
i
Ánodo
+
V curva característica
DIODOS DE POTENCIA
Cátodo
- V
En polarización inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada
El diodo semiconductor encapsulado
Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor
P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA
N semiconductor
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
Encapsulados de diodos
• Axiales
DIODOS DE POTENCIA
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
• Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA
• Para grandes potencias
DO 5
DIODOS DE POTENCIA
B 44
• Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA
2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA
• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA
Nombre del dispositivo

• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

para el mismo dispositivo
Nombre del Encapsulados

dispositivo
DIODOS DE POTENCIA
• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA
Dual in line
• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA
+   -
• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

DIODOS DE POTENCIA
Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos
• Dan origen a módulos de potencia
- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA
Electrónica militar
Control de Motores
Circuito equivalente estático
Curva característica
i real
Curva
característica ideal Curva característica asintótica.
Pendiente = 1/rd
V
DIODOS DE POTENCIA
0
Vg
ideal
• Circuito equivalente asintótico
rd
Modelo asintótico Vg
Características fundamentales de cualquier diodo
1ª -Máxima tensión inversa soportada

2ª -Máxima corriente directa conducida
3ª -Caída de tensión en conducción
4ª -Corriente de inversa en bloqueo
5ª -Velocidad de conmutación
1ª Máxima tensión inversa soportada

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión inversamente polarizada
DIODOS DE POTENCIA
Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de
45 V 200 V 800 V
clasificación
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
1ª Máxima tensión inversa soportada
• El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM
- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM
DIODOS DE POTENCIA
La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
2ª Máxima corriente directa conducida
• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente eficaz máxima IF(RMS)
- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa máxima de pico no repetitivo IFSM
DIODOS DE POTENCIA
Depende de la cápsula
3ª Caída de tensión en conducción
• La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la

corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente
ideal
rd
Vg
i
DIODOS DE POTENCIA
ID
5A
V
VD
• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión

soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA
• Se obtiene directamente de las curvas tensión corriente
IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V
1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA
IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V
• En escala lineal no son muy útiles

• Frecuentemente se representan en
escala logarítmica
2,2V @ 25A
• Curva característica en escala logarítmica
IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA
0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
• Los Schottky tienen mejor

comportamiento en conducción
para VRRM < 200 (en silicio)
DIODOS DE POTENCIA
0,5V @ 10A
• Schottky de VRRM relativamente alta

DIODOS DE POTENCIA
0,69V @ 10A
La caída de tensión en conducción no sólo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN
Schottky
Schottky
DIODOS DE POTENCIA
Similares valores
de VRRM y similares
caídas de tensión
en conducción
PN
4ª Corriente de inversa en bloqueo
• Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco)

y de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
• Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
DIODOS DE POTENCIA

4ª Corriente de inversa en bloqueo • Crece con IF(AV)
• Crece con Tj
• Dos ejemplos de diodos Schottky
• Decrece con VRRM

DIODOS DE POTENCIA
5ª Velocidad de conmutación
• Comportamiento ideal de un diodo en conmutación
R
i
a b
Transición de “a” a “b”, es
+ decir, de conducción a
V2 V bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA
V1/R
t
V t
-V2
• Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
- ts
DIODOS DE POTENCIA
-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time )
t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
• Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “b” a “a”, es decir, de bloqueo conducción (encendido)
R i
i 0,9·V1/R
a b +
V2 0,1·V1/R
V1 V
td
- tr
DIODOS DE POTENCIA
tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )
El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa
• Información suministrada
por los fabricantes
• Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
DIODOS DE POTENCIA

5ª Velocidad de conmutación • Más información suministrada por
los fabricantes
STTA506D
DIODOS DE POTENCIA
• La velocidad de conmutación (valorada con la trr) ayuda a

clasificar los diodos
VRRM IF trr
• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA
Las características de todos los semiconductores (por supuesto,

también de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)
www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
Pérdidas en diodos
• Son de dos tipos:
- Estáticas en conducción (en bloqueo son despreciables)
- Dinámicas
Pérdidas estáticas en un diodo

Forma de onda frecuente
iD
iD
ideal
DIODOS DE POTENCIA
rd Potencia instantánea perdida en conducción:
Vg pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (Vg + rd · iD(t)) · iD(t)
Potencia media en un periodo:

T

1
PDcond  pDcond (t )·dt  PDcond = Vg·IM + rd · Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
Pérdidas dinámicas (pérdidas de conmutación) en un diodo
• Las conmutaciones no son perfectas

• Hay instantes en los que conviven tensión y corriente
• La mayor parte de las pérdidas se producen en la salida de conducción
10 A iD
trr
t
DIODOS DE POTENCIA
3A
Potencia instantánea perdida
0,8 V VD en la salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t) =
Potencia media en un periodo:

trr

1
PD  p Dsc (t )·dt
T
-200 V 0
Información de los fabricantes sobre pérdidas
• Estáticas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de características (Datasheet) del diodo STTA506)

• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
Características Térmicas
• Las pérdidas generan calor y éste debe ser evacuado
• El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150ºC
• Magnitudes térmicas:
- Resistencias térmicas, RTH en ºC/W
- Increm. de temperaturas, ΔT en ºC
- Potencia perdida, P en W
Si • Ley “de Ohm” térmica: ΔT=P·RTH
RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA
P • Magnitudes eléctricas:
(W) a
j Ambiente - Resistencias eléctricas, R en Ω
Unión - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea) - Corriente, I en A
c RTH  R
ΔT  V
Encapsulado Equivalente
eléctrico
PI
RTH  R
ΔT  V
Equivalente
eléctrico
PI
TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P
j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA
Unión
0º K
c
Encapsulado
Por tanto: ΔT = P·ΣRTH Tj-Ta = P·(RTHjc + RTHca)

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·RTHca
• La resistencia térmica unión-cápsula es baja ( 0,5-5 ºC/W)

• La resistencia térmica cápsula-ambiente es alta ( 30-100 ºC/W)
Cápsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

DIODOS DE POTENCIA
RTHca [ºC/W] 30 105 45 60 40
• Para reducir la temperatura de la unión hay que disminuir la

resistencia térmica entre la cápsula y el ambiente.
• Para ello se coloca un radiador en la cápsula.
RTHrad
j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si RTHjc RTHca
P 0º K
(W) a
Ambiente
j
DIODOS DE POTENCIA
Unión
c
Encapsulado
Por tanto: Tj-Ta = P·[RTHjc +

(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Dispositivos semiconductores de potencia. Interruptores.
El transistor MOSFET de potencia.
17 El transistor de efecto de campo de potencia.

17.1 Estructura de un MOSFET de potencia.
17.2 Características estáticas.
17.3 Características dinámicas.
17.3.1 Conmutación con carga resistiva.
17.3.2 Conmutación con carga inductiva.
17.4 Cálculo de pérdidas.
17.5 Circuitos de gobierno de puerta.
17.5.1 Circuitos sin aislamiento.
17.5.2 Circuitos con aislamiento.
17.5.3 Circuito de bomba de carga (bootstrap).
17.6 Encapsulado y datos de catálogo de fabricantes.
17.1 Estructura de un MOSFET de potencia.
• Uso como interruptores controlados por

tensión. D D
• Impedancia de entrada elevada: Capacidad.

• Los MOSFET de canal p tienen propiedades G G
inferiores. S S
Canal N Canal P
ID
D
VDS Surtidor Óxido Puerta

G
VGS S
• Un MOSFET de potencia se n n n n
p p
compone de muchas células de
enriquecimiento conectadas en n-
paralelo. n
• La conducción se hace con Drenador
portadores mayoritarios.
• Cuando VGS es menor que el valor umbral, ID

VGS,TH, el MOSFET está abierto (en corte). Un D
valor típico de VGS,TH es 3V. P  RON  I D2
• VGS suele tener un límite de ±20V. VDS
G
• Cuando VGS es mayor de 7V el VGS S
dispositivo está cerrado. Suele
proporcionarse entre 12 y 15 V para ID PMAX A
VGS=15V v
minimizar la caída de tensión VDS. ID,MAX a
VGS=12V l
• Cuando conduce se comporta, a
estáticamente, como una C VGS=7V n
e c
resistencia: RON. r h
r a
• En un MOSFET de potencia suele a SOAR
ser más limitante RON que el máximo d
de corriente. o
VGSVGS,TH
• Conociendo RON las pérdidas se
pueden calcular con el valor eficaz Corte VDS,MAX VDS
de la corriente al cuadrado.
Interruptor abierto: VDS>0
• Ambas uniones, pn y pn-, están inversamente polarizadas.

• La tensión drenador-surtidor cae en la unión p-n-.
• La región n- está ligeramente dopada para alcanzar el valor requerido
de tensión soportada (rated voltage).
• Tensiones de ruptura grandes requieren zonas n poco dopadas de
gran extensión
S G
n n n n
p p
VDS n-
n-
n
D
Zona de deplexión
Interruptor cerrado: IDS>0
• Con suficiente VGS se forma un canal

bajo la puerta que permite la
VGS
conducción. S G
n n
• RON es la suma de resistencias: p p
contactos de surtidor y drenador, región
n-, canal ... n-
canal
• Cuando la tensión de ruptura n
aumenta, la región n- domina en el valor
de RON .
D ID
• En una zona poco dopada no hay muchos portadores, por lo que
RON se incrementa rápidamente si la tensión de ruptura se quiere
hacer de varios centenares de voltios.
• Un MOSFET es el interruptor preferido para tensiones menores o
iguales a 500V. Más allá es preferible, en general, un IGBT (o BJT).
• El MOSFET es capaz de conducir corrientes de pico bastante
superiores a su valor medio máximo (rated current).
Diodo parásito de la unión pn-
• El diodo se polariza directamente cuando VDS es negativa.
• Es capaz de conducir la misma corriente que el MOSFET.
• La mayoría son diodos lentos. Esto provoca grandes picos de corriente de
recuperación inversa que pueden destruir el dispositivo.
• Se producen diodos de rápida recuperación. El dispositivo se dimensiona
para soportar la corriente de pico en la conmutación.
El diodo se puede
anular o substituir
S G por otro externo
n n
p p
VDS
n-
n
D
17.3 Características dinámicas.
• Los tiempos de conmutación del MOSFET se deben principalmente

a sus capacidades e inductancias parásitas, así como a la resistencia
interna de la fuente de puerta.
Pequeño, Intermedio,
Parámetros parásitos. no lineal no lineal
CISS: CGS + CGD Capacidad de entrada
Se mide con la salida en cortocircuito.
CRSS: CGD Capacidad Miller o de
transferencia inversa.
COSS: CDS + CGD Capacidad de salida se
mide con la entrada cortocircuitada
LD: Inductancia de drenador
LS: Inductancia de fuente. Grande,
constante
Las capacidades son moduladas. Ejemplo:
C0 V0 C0*
CDS (VDS )   C0 
VDS VDS VDS (CO y V0 son constantes que
1 dependen del dispositivo).
V0
17.3.1 Conmutación con carga resistiva pura.
1.- Entrada en conducción.
2.- Salida de conducción.
Efecto Miller Efecto Miller

VGG
VGG
10% VGS
10% VGS
VDS VDS
90% ID ID
90%
VDD IDMAX IDMAX VDD
10% 10%
tR t tF t
tD(on) tD(off)
tON tOFF
17.3.2 Conmutación con carga inductiva.
Entrada en conducción
VDS ID tON
t1 t2
VDD
IRR
DIODO
IMAX
t
1.- La corriente de la bobina es conducida por el diodo y el MOSFET
alternativamente.
2.- Cuando conduce, por poco que sea, la tensión de un diodo es nula.
3.- Cuando el diodo deja de conducir se produce un pico de recuperación
inversa que debe asumir el MOSFET.
4.- El MOSFET tiene más pérdidas, sobretodo en la entrada a conducción.
5.- El efecto Miller tiene lugar durante t2, que es cuando se carga la
capacidad CGD.
17.4 Pérdidas en conmutación (carga resistiva).
Conmutación simplificada IMAX

ID
tF PMAX
I DMAX
iD
SOAR
IDMAX V MAX
VDD
VDS
VD
t VDD
La energía disipada en entrada de
conducción se calcula de forma similar.
Durante tF: t OFF
t EOFF   iD (t )  VDS (t )  dt
VDS (t )  VDD  0
tF IDMAX  VDD  t F
tF  t EOFF 
i D (t )  I DMAX  6
tF
17.4 Pérdidas en conmutación (carga resistiva).
Ejemplo. Evalúense las pérdidas en el MOSFET de RON=0,55 W
para el caso de que su tensión y corriente sean las de la figura.
Hágase el cálculo cuando d=0,3 y con frecuencias de:
a) f =10kHz
100ns (1-d)T 100ns dT 100ns
b) f =150kHz
iD VDS
5A
150V
t
T  100 ns  P1  RON  I D2  0,55  5  d   0,825W

IDMAX  VDD  tC 5  150  100  10 9
EOFF  E 0N    12,5J
6 6
f PS PTOT
PS  EON  f  EOFF  f  2EON  f 10kHz 0,25W 1,08W
150kHz 37,5W 38,3W
17.4 Pérdidas en conmutación (carga inductiva).
Entrada en conducción
VDS ID tON
t1 t2 Durante t1:
VDD VDS (t )  VDD
iD (t )  I MAX  I RR  
IRR t
t1
IMAX
t
tOFF
EON   i D (t )  VDS (t )  dt Durante t2:
t2  t
0 VDS (t )  VDD 
 t1  t2
IRR VDD   tON   t2  t
IMAX VDD  tON  2 iD (t )  I MAX  I RR 
EON  
2 3 t2
17.4 Pérdidas en conmutación (carga inductiva).
IMAX Salida de conducción
ID Recuperación inversa
PMAX tOFF
I DMAX Sobretensión VDS iD
t1 t2
V MAX
SOAR IMAX
VD
VDD VDD
En t1:
t t
VDS (t )  VDD 
t1 t OFF
EOFF   iD (t )  VDS (t )  dt
En t2: 0
t2  t IMAX  VDD  tOFF
iD (t )  I MAX  EOFF 
t2 2
17.5 Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
Sin aislamiento. 1.- Circuito para disminuir el
efecto Miller.
2.- Los transistores de puerta
IC son de señal y por tanto
más rápidos.
3.- La resistencia de puerta, r,
es muy pequeña (<10Ω) y
ID se coloca para proteger la
puerta de posibles picos
de tensión.
4.- Las capacidades se cargan linealmente, con corriente
constante.
5.- La etapa de transistores actúa como un inversor con
capacidad de dar cierta corriente.
6.- La potencia que maneja el circuito de gobierno es muy
pequeña.
Necesidad de aislamiento. Etapa típica de fuente de alimentación
1.- Siempre hay un solo interruptor cerrado
generándose una onda cuadrada sobre R.
2.- Cuando cierra el interruptor de abajo, en G
y en S debe haber 0V.
3.- Cuando es el MOSFET quien se cierra, en
su surtidor hay 500V.
4.- En ese momento, para mantener el
MOSFET cerrado, en puerta debe haber
515V.
5.- En general, en equipos de potencia todas las fuentes de
tensión deben estar referidas a masa, pues provienen de VG.
6.- Se necesita una tensión superior a la propia VG.
7.- En la resolución de este problema, los circuitos de bomba de
carga se han impuesto a los transformadores de impulsos.
BOOTSTRAP
1.- Cuando se cierra el interruptor
inferior el condensador se carga a
15V en un solo ciclo.
2.- Cuando en S hay 500V el diodo
impide que CBOOT se descargue.
3.- El diodo debe ser capaz de
bloquear toda la tensión del
circuito.
4.- Con dos transistores auxiliares se
aplica la tensión de CBOOT a la
puerta del MOSFET de potencia.
5.- CBOOT debe tener una capacidad muy superior a la de puerta para
que apenas se descargue. QG Carga de puerta.
QG VCC 15V
CBOOT  1,5V para los transistores auxiliares.
VCC  1,5  12 12V mínimo en puerta.
Características de diferentes MOSFET de potencia.
QG
Referencia VDS,MAX ID,MAX RON tc (típico)
(típica)
SMM70N06 60V 70A 0,018 120nC 120ns
IRF510 100V 5,6A 0,54  5nC 47ns
IRF540N 100V 27A 0,052  71nC 74ns
APT10M25BVR 100V 75A 0,025  150nC 50ns
IRF740 400V 10A 0,55  35nC 40ns
APT4012BVR 400V 37A 0,12  195nC 67ns
APT5017BVR 500V 30A 0,17  200nC 66ns
MTW10N100E 1000V 10A 1,3  100nC 290ns

17.6. Encapsulados y datos de catálogo de fabricantes.
Semitop 2 Semitrans 1 Semitrans 2
TO220 TO247 TO3

SKM180A
IRF540
Dispositivos semiconductores de potencia. Interruptores
El Transistor bipolar de puerta aislada
18. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

18.1 Estructura interna y circuito equivalente
18.2 Características estáticas
18.3 Características dinámicas
18.4 Encapsuldos y datos de los fabricantes
18.1 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
IGBT de canal n
• Estructura de MOSFET
Emisor Óxido Puerta más una capa p+ de
colector.
• Los NPT-IGBT no
n n n n tienen la capa n+.
p p
n-
n+
Símbolo y circuito
p+ equivalente sencillo
Colector
PT-IGBT (Punch-Through IGBT)

IGBT de canal n
Características de salida Características de
transferencia
ID VGS4
VGS3 ID
VGS2
VGS1
VRM
VGS
BVDSS VDS
VGS(th)
•VGS4 > VGS3 > ... > VGS1
• En estado de conducción es • La tensión de bloqueo inversa
cualitativamente similar a un depende de la unión p+n+. Si la zona
bipolar controlado en tensión. n+ se quita VRM aumenta.
• Son preferibles tensiones de • La característica por puerta es

puerta altas. equivalente a la de un MOSFET.
(En el IGBT de canal p cambia el sentido de corrientes y tensiones).

Bloqueo
IGBT de canal n NPT-IGBT (Non Punch-
Through IGBT)
Emisor Óxido Puerta • Con VGS < VGS(th), no
hay canal y el interruptor
está abierto.
n n n n • La tensión VCE cae en
p p
la unión pn-.
n- • La zona p está más

p+ inténsamente dopada.
• VCE,MAX es igual que la
Colector
tensión de bloqueo.
NPT-IGBT (Punch-Through IGBT)
•Apenas soporta tensión inversa, sólo unas decenas de voltios.

Conducción Emisor Óxido Puerta
MOSFET • Con VGS>VGSth se forma
canal.
• VCE de saturación cae en
- n n - la unión p+n-.
p
• La mayor parte de la
n- corriente final va por el
+ + + + p+ + + + + MOSFET.
Colector
VDS=VBE+Vdrift +Rcanal·ID
VBE= 0,7  1 V.
Vdrift menor que en el MOSFET por
modulación de la conductividad.
R·ID comparable con el MOSFET.
Características dinámicas. Conmutación con carga inductiva.
VGS
90%
10%
tdoff
VCE
90%
Sobretensión
tr tf
iC Cola de
apagado
90%
tdon Recup. inversa
10%
Características dinámicas. Conmutación con carga inductiva.
La fórmula de las pérdidas es similar a la de un transistor bipolar
Energía de entrada en conducción EON:
Debe manejarse la recuperación inversa del diodo.

La conmutación dura más que tOFF.
Energía de salida de conducción EOFF:
Aparece el fenómeno de cola de apagado.

La inductancia parásita provoca sobretensión.
 d iC 
VCE   LSTRAY    
 dt 
Características dinámicas.
Conmutación con carga inductiva.
Pérdida
s en el
diodo 520
50
Eon 21
Eoff 19
V > 500V Más rápidos que un bipolar.

I grande Menos pérdidas que un MOSFET.
Pérdidas totales en un IGBT
*

PTOT  PON  POFF  PCOND  E ON  E OFF
*
 E COND
*
f
*
VCE I C*
*
EON  EON  ref  ref
VCE I C
*
VCE I C*
*
EOFF  EOFF  ref  ref
VCE I C
*
ECOND  I C  VCESAT  t COND
18.4 Encapsulados y datos de catálogo de fabricantes
Conclusiones
Conclusiones
1.- El transistor bipolar es un dispositivo en que la conducción

se hace mediante portadores minoritarios. Esto se traduce en
baja velocidad de conmutación: apenas unos pocos kHz.
2.- Al ser lento apenas se usa actualmente en aplicaciones de
potencia. Para tensiones inferiores a 500 V ha sido substituido
por el MOSFET y para tensiones superiores por el IGBT.
3.- El MOSFET es un dispositivo en que la conducción se hace
mediante portadores mayoritarios. Macroscópicamente esto se
traduce en alta velocidad de conmutación.
4.- Por tanto puede conmutar a decenas y centenares de kHz.
5.- La resistencia de conducción directa está directamente
relacionada con la tensión de bloqueo.
Conclusiones
9.- El MOSFET es el interruptor que actualmente presenta mejores

características para tensiones inferiores a 500V.
10.- Existen dispositivos de 1000V, pero sólo son útiles para bajas
potencias o altas velocidades de conmutación.
11.- A la hora de seleccionar un MOSFET su parámetro más
importante es RON.
12.- El IGBT es un interruptor con características de control
parecidas al MOSFET y características de salida similares al
transistor bipolar.
13.- El MOSFET es el interruptor que actualmente presenta
mejores características para tensiones inferiores a 500V.
14.- Típicamente, el IGBT puede soportar miles de voltios y
conducir centenares de amperios, conmutando a una frecuencia
de decenas de kHz
Circuitos Integrados Lineales
El amplificador Operacional
Amplificador Operacional Amplificador de tensión Ideal
Zg ie(t) Zs is(t)
Amplificador Ideal:
+ Ze = ∞ Zs = 0
Ug(t) Ue(t) Ze AVOue(t) Us(t) ZCarga
AVO = - ∞
Tema III Circuitos Integrados Lineales
Amplificador Diferencial
+VCC
US  UC2  UC1
UC1  1 RC1 ib1
UC2  2 RC2 ib2
RC Uc1 Uc2 RC
Inversora US  2 RC2 ib2  1 RC1 ib1   RC (ib2  ib1 )

Us
Ue1 Ue2
IO No inversora
-VCC
Características del amplificador Operacional
+ UCC
Ud  U  U Tensión diferencial
Ud US  A d Ud  A c Uc Tensión de salida
U1  U2 Tensión en modo común

U1 UC 
US 2
U2 - UCC
Ad
 Razón de rechazo en
Ac
modo común
U Tensión en entrada no inversora
Símbolo U Tensión en entrada inversora
Amplificador Operacional ideal
Ac  0
Ad  
Características del amplificador Operacional

+ UCC
ig
Ug
Ug Ud Ze 
ig ZS
Impedancia de entrada “MW”
Impedancia de salida baja “75W”

Polo
AV
Ad=120 dB
Diagrama de Bode
100Hz 1MHz Log f

Aplicaciones del amplificadores operacionales
Aplicaciones Lineales:
Amplificador operacional realimentado negativamente

Ud = U+ - U- = 0. (si no está saturado)
Us = entre +Ucc y –Ucc (si no está saturado)
Aplicaciones no Lineales:
Amplificador operacional realimentado positivamente, o sin realimentar.

No linealidad de los componentes utilizados
Ud = U+ - U-.≠ 0
Us = +Ucc o´ Us = -Ucc (Saturación positiva o negativa)
Aplicaciones del amplificadores operacionales

Alimentación Simétrica
is R2
+ Vcc
ie R1
i=0 + Vcc
i=0
Ue i=0
i=0
- Vcc Us
+ Vcc
Amplificador Inversor
Ue=F(Us)
Ue R2 Ue
U  U  ie  Us  is R2 is  ie Us  Ue Ze 
R1 R1 ie
is R2
+ Vcc
ie R1 + Vcc
i=0
i=0
Ue
- Vcc Us
Ue - Vcc Us
Amplificador no Inversor Seguidor de emisor

Us=F(Ue) U  U  Us  Ue
Us=F(Ue)
Ue Us  is R2  Ue
ie 
R1 Ze  
 R 
Us  Ue1  2 
 R1 
Ze  
is R2
is R3
R2 + Vcc
ie2 R1
ie2 i=0
+ Vcc
R1
ie1 i=0 R1
ie1 i=0
Ue2 Ue1 i=0 Ue2 - Vcc Us

Ue1
R2
- Vcc Us
Sumador Inversor Amplificador diferencial

US  f (Ue ) Us  f (Ue )
ie  ie1  ie2
Us  U2  U1
R2
 R3 R3  R1
Us   Ue1  Ue 2 
 R1 R 2 
C
is R
is
+ Vcc C + Vcc
ie R1 ie
i=0 i=0
Ue i=0 Ue i=0
Us - Vcc Us
- Vcc
Integrador Diferenciador
t dUc
Us( t )  isR is( t )  ie( t ) ie( t )  C

1 Ue( t )
Us( t )  Uc ( t ) Uc  ic( t )dt ie( t )  dt
C R

t

1 Uc ( t )  Ue( t ) dUe( t )
ic( t )  ie( t ) U(s)   Ue( t )dt Us( t )  RC
RC dt

Integrador real
R
C AV(dB) 1/RC
Punto de
funcionamiento
is
+ Vcc
ie R1
i=0 -20dB/dec
Ue i=0
- Vcc Us
f 10f
logf
Zona de Funcinamiento
como integrador
RC se diseña de forma que funcione
10f siendo f la frecuencia de corte o
polo 1/RC
is R
+ Vcc
C + Vcc
ie
i=0
ie
ie i=0
Us - Vcc Us
- Vcc
Ue R
Conversor corriente – tensión Conversor corriente – tensión

Inversor No inversor
Us( t )  is( t ) R is( t )  ie( t ) Us( t )  Ue( t ) Us( t )  ie( t ) R
Us( t )  ie( t ) R
Conversor tensión - corriente
R2
+VCC
R1 La corriente de salida no depende de RL
V1  V2
IL 
R1
R1 -VCC
V1
V2 IL R1 y R2 se eligen de forma que el amplificador

R2
operacional no se sature en las condiciones
RL más desfavorables de funcionamiento. (máx.
corriente de salida)
Conversor tensión – corriente
carga flotante
iL RL
iL RL
+ Vcc
+ Vcc R1
ie R1 i=0
i=0
i=0 i=0
Ue
- Vcc - Vcc
Ue
Ue
IL 
R1
La corriente de salida no depende de RL

Aplicaciones No Lineales:
Comparador
Us, Ue
Vsat+
+ UCC
t
Ue Us
- UCC
Vsat-
Us
Usat+
U  U  Us = Usat+
U  U 
Ue
Us = Usat-
Usat-
Comparador
Us, Ue
Vsat+
Vref
+ UCC t
Vsat-
Us
Ue Us Usat+
- UCC
Vref Ue
Usat-
Comparador
R Us, Ue
UZ
Ue UZ Us
- UCC
Vref
Ud
t
Comparador problemas de ruido
Us, Ue
Ruido
+ UCC Vsat+
Ue Us
- UCC t
Vsat-
Comparador con histéresis
+ UCC
Ue  U   U  US  Usat 
Ue R1 Tensión de
- UCC R1 U  Usat 
Us R1  R2 comparación
R2
Ue  U   U  US  Usat 
R1 Tensión de
U  Usat 
R1  R2 comparación
Us, Ue
Ruido
Vsat+
R1
U  Usat 
R1  R2
t
R1
U  Usat 
R1  R2
Vsat-
Ue
Ruido
U  Usat 
R1 US
R1  R2
Vsat+
R1
U  Usat 
R1  R2 t
R1 R1
Us U  Usat  U  Usat 
R1  R2 R1  R2
Vsat+
Ue
t
Vsat-
Vsat-
Formas de onda Función de Transferencia

Rectificadores de Precisión
+ UCC
D
+ UCC
D
Ue
Us
+ - UCC
Ue Us
-
t
- UCC
Ue Us
+ UCC
D
Ue
Us
+
- UCC
Ue Us
-
t
R2 R2
+ UCC R1
+ UCC
R1
Ue - UCC Us Ue - UCC Us
Rectificadores de Precisión Rectificadores de Precisión

media onda negativo media onda positivo
R2
R2
R1
+ UCC US  Ue
Ue
Us R1
Ue  0 +
- Ue - UCC Us
t
R2
+ UCC
US  0
R1
Ue
Us
Ue  0 +
- Ue - UCC Us
t
R2
US  0
R1
+ UCC Us
Ue
Ue  0 +
-
t
Ue - UCC Us
R2
R2
US  Ue
R1
R1
+ UCC
Ue Us
Ue  0 +
-
Ue - UCC Us t
Rectificadores de Rectificadores de Precisión
Precisión de doble onda
R
R
R
R
+ UCC
+ UCC
Ue R/2
Us
+
- Ue - UCC Us1
- UCC Us
t
Us1
Ue  0
t Ue  0
R
US1  Ue  Ue US1  0
R
 R R  US   Ue
US   Ue  US1   Ue
 R R 2 
Multivibrador Astable
U S , UC
R UC
Usat+
+UCC
t
C
UC Usat-
-UCC R1
US 1
U+ R2 f
 2R 2 
2RCLn1  
 R1 
Multivibrador Monoestable
D R US Tm
(tiempo de
monoestabilización)
C +UCC
t
Uc
Uc  R1 
C1 -UCC R1 Tm  RCLn1 
 R2 

D1
US t
R3 R2 Ue
Ue
t
El circuito integrado 555
Alimentación
+Vcc
8
Descarga
+UREF
7 Reset
4
Umbral 6
5 Etapa Salida
S
Control Q
de
Q Salida 3
R
Disparo
2
555
Masa
1
El circuito integrado 555
OPTOELECTRONICA
LEDS
LEDS DE ILUMINACION
LEDS DE ANALITICA
LEDS DE INYECCION O LASER
OPTOACOPLADORES
ANALOGOS Y DE ALTA VELOCIDAD
DISPOSITIVOS OPTICOS DE SUICHEO
LOCOMOCION DE ULTIMA GENERACION
MOTOR HUB

Transístor Bipolar

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Judul Asli

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Transístor Bipolar

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Transístor bipolar 

Altamente Menos Menos

N – Material semicondutor com excesso de electrões livres

Junção PN Junção PN Junção PN Junção PN

O transístor não conduz

Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transístor conduz e

Uma pequena corrente …origina uma grande corrente

O transístor bipolar pode ser utilizado:

• como interruptor electrónico.

Para o transístor estar correctamente polarizado a junção PN base – emissor deve

Emissor Base Colector Emissor Base Colector

Rb – Resistência de polarização de base

VRE – Tensão na resistência de emissor

• Também não se pode trocar directamente um transístor NPN

• A letra (A, B, C…) que pode aparecer no fim do código

Lucínio Preza de Araújo 12

La diferenciamos de la electronica tradicional ya que esta se concentra en procesar señales

VAMOS A ILUSTRAR ESE ESCENARIO

VER LOS VIDEOS

VER VIDEOS DE SU FUNCIONAMIENTO Y DE LOS FETS

• Operación con polarización directa con V > VO >> VT:

i  (V-Vg)/rd donde Vg es la tensión de codo del diodo y rd su resistencia

• Polarización inversa con V << -VT

i  -IS (corriente inversa de saturación que es muy pequeña y casi

i [mA] pendiente = 1/rd

En polarización directa, la caída

En polarización inversa, la corriente

• Para usar radiadores

• Para grandes potencias

2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

Nombre del dispositivo

• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

Nombre del Encapsulados

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

• Dan origen a módulos de potencia

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

1ª -Máxima tensión inversa soportada

1ª Máxima tensión inversa soportada

Baja tensión Media tensión Alta tensión

• El fabricante suministra (a veces) dos valores:

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser

• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

• La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la

• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión

• Se obtiene directamente de las curvas tensión corriente

• En escala lineal no son muy útiles

• Curva característica en escala logarítmica

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

• Los Schottky tienen mejor

• Schottky de VRRM relativamente alta

La caída de tensión en conducción no sólo va creciendo al

• Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco)

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

• Comportamiento ideal de un diodo en conmutación

• Comportamiento real de un diodo en conmutación

Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)