Calcular el equivalente Thevenin

4W 3v
2W 6W a a
+
Rth
+ RL
+ Vth
RL
2v 2W 5W
b

b
Para calcular el equivalente Thevenin “abrimos” entre los puntos a y b
Calcularemos así la tensión en circuito abierto Vth
4W 6W
d c a
+

+ 3v Vth
2v 2W
5W
b
Asignamos intensidades de mallas. Sumamos tensiones a lo largo
de los recorridos

De las ecuaciones obtenemos el valor I2 y como no circula intensidad por la

resistencia de 6W la tensión buscada es Vab =-3+Vc:
2W 4W 6W
d c a
+
2  I 1 2  ( I 1  I 2 ) 2 
I1 I2 Mallas   I1 , I 2
+ 3v Vth 0  I 2 4  I 2 5  ( I 2  I1 )2 
2v 2W
5W Vc  I 2 5  3  Vth  Vth  Vc  3
b

El resultado obtenido es Vth=-2.5V

Para calcular La resistencia equivalente cortocircuitamos ambas fuentes
de tensión:
a
Rth  2 // 2   4// 5 6
2W 4W 6W
Rth  (5 // 5)  6  8.5W
2W 5W Rth

a
8,5Ώ
2,5 V - RL
+

b
Impedancia y admitancia
Introducción
Recordando que las relaciones fasoriales para los
elementos R, L y C están dadas por:
Elemento Dominio del Tiempo Dominio de la Frecuencia

Resistor vRi V RI

Inductor vL
di V  j L I
dt
dv I
Capacitor iC V
dt j C
En una resistencia, condensador o inductor, la
corriente y el voltaje fasorial, en el dominio de la
frecuencia, están relacionados como la ley de Ohm
para las resistencias
Introducción
Se define la impedancia de un elemento como la
razón entre el voltaje fasorial y la corriente fasorial, y
se denota como Z .

Z
V
W “Ley de Ohm fasorial ”
I
Teniendo en cuenta que V  Vm e I  I m , se tiene:
V Vm  Vm  Z  Vm
Z        Im
I I m  I m      
La impedancia no tiene un significado
en el dominio del tiempo.
Notación
La impedancia puede expresarse como:

Z  Z   forma polar
 Z e j  forma exponencia l
 R  jX  forma rectangula r
donde R es la parte real de la impedancia
(componente resistiva) y X la parte compleja
(componente reactiva).
Puede notarse que se debe cumplir: Im
Z  R2  X 2
Z
1 X gráficamente X (Reactancia)
  tan
R  Re
R (Resistencia)
 Notación
Tanto R, L y C tienen su impedancia correspondiente. Así:
reactancia
Resistenci a : V  R I  ZR inductiva
reactancia
Inductanci a : V  jL I  Z jL  j X L capacitiva
I 1 1
Condensado r :V   Z j   j XC
jC jC C
El recíproco de la impedancia se llama admitancia y se
denota por la letra Y, es decir:
1 1
Y   Y  
Z Z 
Notación

Como: Z  R  jX
1 R  jX R X
Y   2  2 j 2  G  jB
R  jX R  X 2
R X 2
R X 2

La parte real de la admitancia, G, se denomina

conductancia y la parte imaginaria, B, susceptancia
(notar que no son recíprocos de R y X,
respectivamente). La unidad de G y B es siemens.
Si la parte imaginaria de una impedancia es positiva, se dice
que la impedancia es inductiva. En cambio, si es negativa,
se dice que la impedancia es capacitiva. En el caso
particular en que X=0, la impedancia es resistiva pura.
Leyes de Kirchhoff fasoriales
Considerando que las fuentes de tensión externas
tienen la misma frecuencia (aunque no
necesariamente en fase), se verifica que:

V1  V2   Vn  0

Por lo tanto, se cumple la ley de tensiones de Kirchhoff en

una malla para tensiones fasoriales. Del mismo modo puede
comprobarse la ley de Kirchhoff para corrientes fasoriales
en un nodo, es decir:
I1  I 2    I n  0
Interconexiones de impedancias
Impedancias conectadas en serie
Sea el siguiente circuito

Z1 Z2
I
V Zn

Como la corriente fasorial I circula por cada impedancia, se

 
tendrá:
V  V1  V2    Vn  I Z 2    Z n
Por lo V  I Z eq  Z eq  Z 2    Z n
tanto:
 Interconexiones de impedancias
Admitancias conectadas en paralelo
Sea el siguiente circuito

I
V Y1 Y2 Yn

Teniendo en cuenta que I i  V Yi , aplicando la ley de

Kirchhoff de corrientes fasoriales se puede demostrar que:

Para el caso Yeq  Y1  Y2    Yn

de dos
admitancias 1 1 Z1 Z 2
Yeq  Y1  Y2  Z eq   
en paralelo: Yeq Y1  Y2 Z1  Z 2
Interconexiones de impedancias
Ejemplo
Determinar el voltaje del nodo A (en estado estable) del
siguiente circuito:
A
R2
10ohm
10 cos 1000t I1
R1 C1
10ohm 100uF
L1
10mH

Aplicando la ley de Kirchhoff de corriente en el nodo

“A”:

I1  Y1  Y2  Y3 V 
Interconexiones de impedancias

Ejemplo (cont.)
A
Resolviendo para I1  100º
1 1
Y1    0,1
Z1 10
1 1
Y2    0,05 (1  j )
Z 2 10  j10
1
Y3   j 0,1
Reemplazando Z3
: 10  0,1  0,05 (1  j )  0,1 j V  0,15  0,05 j  V
A A

10 0º
Finalmente: VA   63,3   18,4º
0,158 18,4º
Existen aplicaciones que requieren sólo dejar pasar
señales en una banda estrecha de frecuencias y
eliminar las señales sinusoidales cuya frecuencia estén
fuera de dicha banda.
El “ancho de banda” de un circuito selectivo de frecuencias se define
como el intervalo de frecuencias que se encuentra entre las dos
frecuencias donde la magnitud de la ganancia cae 3dB del valor máximo.

Resonancia en paralelo
Sea un circuito RLC paralelo como el indicado:
la ganancia de corriente será:
I sal 1
Ient L C R Isal H 
I ent R (YR  YC  YL )
Resonancia en paralelo
Por lo tanto:
1 1 1  1 
Y  YR  YC  YL   j C    j  C 
 
R j L R   L
Sustituyendo en la ecuación de la ganancia, se tiene:
1
H
1  j   C  1 R
  L 

Observando la expresión anterior, puede notarse que habrá

una frecuencia para la cual el término imaginario se hace
cero (para  C = 1 /  L). Esa frecuencia se conoce como
“frecuencia de resonancia”, r , y en un circuito paralelo se
determina cuando la admitancia Y es no reactiva.
Resonancia en paralelo
Puede notarse que en condición de resonancia, al ser la
admitancia puramente resistiva, la corriente aplicada y
el voltaje a la salida estarán en fase.
Teniendo en cuenta que la resonancia ocurre cuando
rC=1/rL, entonces la frecuencia de resonancia puede
determinarse como:
1
r 
LC

Un circuito resonante es una combinación de elementos sen-

sibles a la frecuencia, conectados de tal forma que sea capaz
de proporcionar una respuesta selectora de frecuencias.
Resonancia en serie
Considerando el siguiente circuito, la relación de
voltajes Ces: L Vsal R
H  
Vent R  j L  1
j C
Vent R Vsal
1

1  j   L  1 
 R  R C 
Tal como sucedió en el circuito con los elementos en paralelo,
puede notarse que el término imaginario se anula para la
frecuencia de resonancia r , tal que rC=1/rL, la que queda
definida por:
1
r 
LC
Análisis de circuitos y
Función deTransferencia
Análisis de circuitos en el dominio de la T.L.
Redibujando el circuito visto en la clase anterior como:
Puede notarse que la tensión de
R
salida es una fracción de la
tensión de entrada, definida por
Vent 1/sC Vsal
el divisor de impedancias:
1
s RC 1
Vsal (t )  Vent (t )  Vent (t )
R 1 1  s RC
s RC
Se llega a la misma Función de Transferencia anterior:
Vsal ( s) 1
G( s)  
Vent ( s ) 1  RC s
Por lo tanto, puede inferirse que:
Análisis de circuitos en el dominio de la T.L.

Elemento Dominio del Tiempo Dominio de Laplace

Resistor vRi V ( s)  R I ( s)
Inductor v  L di
dt V ( s)  s L I ( s)
Capacitor i  C dv V ( s)  1 s C I ( s)
dt

Es decir: Resistenci a : Z  R
Inductanci a : Z  X L  s L
Capacitor : Z  X C   1
sC
Función de Transferencia y Ecuaciones de Estado

Dada una EDO de orden “n”:

d n y (t ) d n 1 y (t ) d y (t )
n
 a n 1 n 1
   a1  a0 y (t )  u(t )
dt dt dt
aplicando TL con condiciones iniciales nulas, resulta:
s n X ( s)  an 1s n 1 X ( s)    a1 X ( s )  a0 X ( s)  U ( s)
Y (s) 1
o bien: G ( s )   n
U ( s ) s  an 1s n 1    a1  a0

G ( s)  L [ y(t )]
La expresión: L [u (t )] CI nulas

se conoce como “Función de Transferencia” del sistema.

Función de Transferencia y Ecuaciones de Estado

Para encontrar la relación entre la formulación de un sistema

dada por su función de transferencia (FT) y la dada por las
ecuaciones de estado (ED), puede partirse de (#), es decir:

x  A x  b u
y c x d u
T
(#)
Aplicando TL a la primera ecuación, resulta:

s X ( s)  x (0)  A X ( s)  b U ( s)
y despejando, se tiene finalmente:
1 1
X ( s)  ( s I  A) x (0)  ( s I  A) b U ( s)
Función de Transferencia y Ecuaciones de Estado

Para encontrar la FT, debe considerarse condiciones iniciales

(CI) nulas, es decir: x (0)  0. Por lo tanto:
X ( s)  ( s I  A) 1 b U ( s) (a)
Aplicando TL a la segunda ecuación de (#), se tiene:
Y ( s )  cT X ( s )  d U ( s ) (b)
Reemplazando (a) en (b) y despejando, resulta finalmente:
Y ( s)
 G ( s)  cT ( s I  A) 1 b  d (##)
U ( s)
Así, conociendo “A”, “b”, “c” y “d”, aplicando (##) puede
obtenerse la FT de un sistema.
Función de Transferencia y Ecuaciones de Estado

La formulación en EE no es única. Para comprobar que existen

infinitas representaciones en espacio de estado de un sistema,
puede elegirse un vector z que cumpla con:
z T x
donde T es cualquier matriz cuadrada que tenga inversa (es
decir, existe T-1). Por lo tanto, si se reemplaza en el expresión
global de ecuación de estado: ~ ~
x  T 1 z  A T 1 z  b u z  A z  b u
~ ~
yc T T 1
z d u y c zd u
T

~ ~ ~
con: A  T A T 1 ; b  T b ; c~ T  cT T 1 y d d
FIN