Ing.

Mercedes Zambrano
Ing. Osniel Pozo Mederos
 Al final de la sesión se comprenderá y
reconocerá el funcionamiento del diodo
semiconductor y su aplicación en la
electrónica.

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Con valores positivos de VD el primer término de la ecuación
crecerá con rapidez y anulará por completo el efecto del segundo
término. El resultado es la siguiente ecuación, la cual sólo tiene
valores positivos y adopta la forma exponencial ex

Con valores negativos de VD el término exponencial se reduce con

rapidez por debajo del nivel de I y la ecuación resultante para ID
es:
 Hay un punto donde la aplicación de un
voltaje demasiado negativo producirá un
cambio abrupto de las características.

La corriente se incrementa muy rápido en

una dirección opuesta a la de la región de
voltaje positivo.

El potencial de polarización en inversa que

produce este cambio dramático de las
características se llama potencial Zener y su
símbolo
es VZ.

A una temperatura fija, la corriente de saturación en inversa de un diodo se incrementa con

un incremento de la polarización en inversa aplicada.
Diodo.
a) Símbolo eléctrico
b) Polarización directa
En la región de
polarización en directa las
características de un diodo
de silicio se desplazan
a la izquierda a razón de
2.5 mV por grado
centígrado de incremento
de temperatura.

En la región de
polarización en inversa la
corriente de saturación en
inversa de un diodo de
silicio se duplica por cada
10°C de aumento de la
temperatura.
Con un cambio de 20°C a 100°C, el nivel
de Is se incrementa desde 10 nA hasta un
valor de 2.56 µA, el cual es un incremento
significativo de 256 veces.
Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura con
a) ID=2mA (bajo nivel)
b) ID=20mA (alto nivel)
c) VD = -10 V (polarizado en inversa)
Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una de cd la entrada variable moverá el
punto de operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo de una región de las
características, y por lo tanto define un cambio específico de la corriente y voltaje como
se muestra en la figura. Sin ninguna señal variable aplicada, el punto de operación sería
el punto Q, determinado por los niveles de cd aplicados.
Para las características de la figura:
a) Determine la resistencia de ca con ID =2 mA.
b) Determine la resistencia de ca con ID =25 mA.
c) Compare los resultados de las partes (a) y (b) con las resistencias de cd en
cada nivel de corriente.
Determinamos la resistencia dinámica gráficamente, pero hay una definición básica en el
cálculo diferencial que manifiesta que:
La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente
trazada en dicho punto.

Implica que la resistencia dinámica se

determina con sólo sustituir el valor quiescente
de la corriente de diodo en la ecuación.
• Existen tres aproximaciones para analizar circuitos con diodos
semiconductores.
• La opción que se seleccione dependerá de la exactitud deseada
en los cálculos del circuito.
• La primera aproximación de un diodo, llamada ”aproximación
ideal”, considera al diodo polarizado directamente como
un interruptor cerrado y una caída de voltaje de cero volts
• Del mismo modo, esta
aproximación considera al diodo
en polarización inversa, como un
circuito abierto, con una corriente
cero

curva característica del diodo en su aproximación ideal.

• La Segunda Aproximación del diodo considera al
diodo polarizado directamente como un diodo
ideal en serie con una batería
• Para el diodo de silicio, esta batería es de 0.7 V, el mismo
valor de la barrera de potencial VB, en la unión p-n.
• En polarización inversa, esta aproximación
considera al diodo como un interruptor abierto
 Curva característica de polarización directa e inversa de esta aproximación.

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• La tercera aproximación contiene la resistencia de los
materiales p y n, y se le denomina rB
• En polarización directa, esta aproximación incluye, además de la
resistencia rB, el voltaje de la barrera de potencial
• El valor de rB depende del nivel de doping y del tamaño de los
materiales.
• En esta aproximación, la caída de voltaje VF , en polarización
directa se calcula:

De la ecuación podemos observar que, en polarización directa, la resistencia rB causa un pequeño

incremento en el voltaje VF cuando se incrementa la corriente IF

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• La figura b) muestra la tercera
aproximación del diodo en
polarización inversa, en la cual
se observa un interruptor
abierto en paralelo, con una
resistencia de un valor muy
grande, la cual, en
consecuencia, permite el paso
de una corriente de fuga IR,
muy pequeña

Curva característica de polarización directa e inversa de esta

aproximación.

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Ejemplo de Uso de las Aproximaciones

• Para ilustrar el uso de las

tres aproximaciones del
diodo, resolveremos el
circuito de la figura
mostrado a) para obtener
el voltaje y la corriente de
carga.
Ejemplo de Uso de las Aproximaciones
1ra aproximación

• La figura b) muestra
el circuito para la
primera
aproximación,
donde:
Ejemplo de Uso de las Aproximaciones
2da aproximación
2da aproximación

• Para la segunda
aproximación, se
tiene el circuito de la
figura c), donde:

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Ejemplo de Uso de las Aproximaciones
3era aproximación

• La figura d) muestra
el circuito para la
tercera
aproximación.
 Comparación de las 3 Aproximaciones

Aproximación IL (mA) VL (volt)

1era 100 10
2da 93 9.3
3era 90.73 9.07

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Todo dispositivo electrónico o eléctrico es sensible a la frecuencia.
En la región de polarización en inversa tenemos la capacitancia de
transición o de región de empobrecimiento (CT ) en tanto que en la región
de polarización en directa tenemos la capacitancia de almacenamiento o
difusión (CD ).

Los efectos de capacitancia

antes descritos se representan
por medio de capacitores en
paralelo con el diodo ideal. Sin
embargo, en aplicaciones de baja
a media frecuencia (excepto en
el área de potencia),
normalmente el capacitor no se
incluye en el símbolo de diodo.
- El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura
especificadas)
- La corriente máxima en directa IF (a una temperatura
especificada)
- La corriente de saturación en inversa IR (a un voltaje y
temperatura especificados)
- El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR
proviene del término “breakdown” (ruptura) (a una
temperatura especificada)]
- El nivel de disipación de potencia máximo a una temperatura
particular
- Niveles de capacitancia
- Tiempo de recuperación en inversa trr
- Intervalo de temperatura de operación