Dispositivos de

cuatro capas (PNPN)

SCR (Rectificadores Controlados de
Silicio)
 Dispositivo de 4 capas y 3 terminales
 Manejo de potencias significativas
 I > 5kA
 V > 10kV

 Las junturas externas están polarizadas en

directa y la interna en reversa.
 Una corriente por el gate sirve para
polarizar la juntura intermedia y poner el
disp. en conducción
 El rectificador controlado de silicio o tiristor es uno de los
dispositivos más usados en electrónica industrial por su facilidad
de trabajar en alta potencia y altas corrientes. Ya existen SCR
para controlar potencias tan altas como 10MW con corrientes
del orden de 2000 A y voltajes de 1800V. Está formado por cuatro
capas PNPN y tiene tres terminales: El ánodo, el cátodo y la
puerta.
 Se polariza de tal forma que el ánodo sea siempre positivo con
respecto al cátodo y para que conduzca el tiristor es necesario
aplicar un pulso positivo a la puerta de una amplitud suficiente
que garantice el disparo
ESTRUCTURA
INTERNA
CURVA CARACTERÍSTICA
SCR
The diode model
 Funcionamiento
 Si VG=0, entonces Q2 y Q1 están en corte, luego existe una
alta impedancia entre el A y el K y el tiristor No Conduce. Si se
aplica un pulso positivo de disparo en G, Q2 entre en
conducción y por lo tanto Q1 lo hace también. La impedancia
entre A y K es muy baja y el SCR Conduce, En este estado se
dice comúnmente que el Tiristor se encuentra disparado.
 El SCR no puede ser apagado simplemente retirando la señal
de disparo en G, se apaga interrumpiendo la corriente de
ánodo
Circuito Práctico
 Principio de Funcionamiento: Actúa como un par de
transistores realimentados positivamente.

BJT son intrínsicamente

de baja ganancia (ancho
base comp. a diff. length)
 Curva característica
Video Tutorial
https://www.youtube.com/watch?v=GE74JJFIADU
Ventajas

 Requiere poca corriente de gate para disparar una

gran corriente directa
 Puede bloquear ambas polaridades de una señal de
A.C.
 Bloquea altas tensiones y tiene caídas en directa
pequeñas
Desventajas

 El dispositivo no se apaga con Ig=0

 No pueden operar a altas frecuencias
 Pueden dispararse por ruidos de tensión
 Tienen un rango limitado de operación con respecto
a la temperatura
Triacs
 El dispositivo puede encenderse tanto con
tensión A1-A2 positiva como negativa,
utilizando una tensión del signo adecuado en
el gate.
MAC210A8
DIAC
 No conduce hasta que se
supera la tensión de disparo
 Puede utilizarse para
disparar un triac
 Disipaciones típicas de ½ a
1W
Características Típicas
 Aplicaciones
• Control de iluminación
• Control de motores
• Llaves de protección y conección de circuitos
Opto-SCR
Opto-Triacs
Transistor Unijuntura
 Sobre una determinada tensión Vp exhibe una zona de
resistencia negativa
 Factores: Ip – corriente pico de emisor; Vmax; Rbb –
resistencia de base; Vp
Transitor Unijuntura (2)
 Aplicación típica: Oscilador de relajación
Memristor

  Mq
 v dt  M  i dt
HP Memristor
Referencias

 Robert F. Pierret, Semiconductor Device

Fundamentals, Addison –Wesley, 1996. Capítulo 13.