MECÁNICA DE MATERIALES

ESTRUCTURA CRISTALINA III

-AGUIRRE VALVERDE, JACK LUT

-HERNÁNDEZ DÍAZ, JULIO CESAR
-JUÁREZ REVILLA, CRISTIAN ALEXANDER
-MONTENEGRO CASTRO, CARLOS PAUL
-RAMIREZ ZAMUDIO, PAUL OSCAR
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DEFECTOS PUNTUALES EN REDES ATÓMICAS
DEFECTOS PUNTUALES INTRÍNSECOS

Vacancia Autointersticial
Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
VACANCIAS

• Se forman durante la solidificación, por perturbaciones

locales durante el crecimiento de los metales.

• La presencia de vacancia tiene una serie de efectos en la red

cristalina. Donde el volumen de la vacante es:

𝑉𝑣𝑎𝑐𝑎𝑛𝑡𝑒 = 𝑉á𝑡𝑜𝑚𝑜 − 𝑉𝑟𝑒𝑙𝑎𝑗𝑎𝑐𝑖ó𝑛

• En equilibrio el número de vacantes depende de la

temperatura

𝑄𝑣
𝑁𝑣 = 𝑁 𝑒𝑥𝑝(− )
𝑘𝑇

𝑁𝐴 𝜌
𝑁=
𝐴
Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
ÁTOMOS AUTOINTERSTICIALES

• De forma ideal, un átomo auto intersticial se crea tomando

un átomo de la superficie del cristal e insertándolo en una
posición intersticial de la red.

• La ecuación también determina el número de átomos

intersticiales, sustituyendo la energía de formación
correspondiente.

𝑄𝑣
𝑁𝑣 = 𝑁 𝑒𝑥𝑝(− )
𝑘𝑇

𝑁𝐴 𝜌
𝑁=
𝐴

• La energía que se refiere para formar un átomo

autointersticial es mucho mayor que la necesaria para
formar una vacante.
Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
IMPUREZAS EN SÓLIDOS

Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
SUSTITUCIONALES

• los átomos de impureza o soluto reemplazan o

sustituyen a los átomos del disolvente.

• Existen varias condiciones entre átomos de

disolvente y de soluto que determinan el grado de
solubilidad.

-Diferencia entre radios atómicos ±15%.

-Factor electroquímico.
-Valencia relativa de los dos tipos de átomos.
-Misma estructura cristalina.

Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
INTERSTICIALES

• los átomos de las impurezas llenan los vacíos o los

intersticios atómicos del disolvente.

• Las posiciones intersticiales son relativamente

pequeñas en los materiales metálicos que tienen
factores de empaquetamiento relativamente
elevados.

• Normalmente, la concentración máxima de átomos

de impurezas intersticiales es bajo (menor del 10%).

Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
UNIDADES DE CONCENTRACIÓN

• Porcentaje en peso

𝑚𝐴
𝐶𝐴 = × 100
𝑚𝐴 + 𝑚𝐵

• Número de moles

𝑚′𝐷
𝑁𝑚 (𝐷) =
𝐴𝐷

• Porcentaje atómico

𝑁𝑚 (𝐷)
𝐶′𝐷 = × 100
𝑁𝑚 𝐷 + 𝑁𝑚 (𝐸)
 2
DEFECTOS PUNTUALES EN CRISTALES IÓNICOS
DEFECTOS PUNTUALES EN CRISTALES IÓNICOS

• En los cristales iónicos existen subredes diferentes (de aniones y cationes), y eso permite que
se formen:

-Vacantes aniónicas y catiónicas (ausencia de un ion en una posición de la red)

-Auto intersticiales aniónicos y catiónicos (las primeras, poco probables por el gran
tamaño del anión)

-Pares Vacante-intersticial aniónicos (un anión deja una posición vacante y se introduce
en un hueco de la red)

-Pares Vacante-intersticial catiónicos.

DEFECTO DE FRENKEL

• Un defecto de Frenkel consiste en la formación

simultánea de una vacante y un ion intersticial.

• Estos defectos no alteran la neutralidad eléctrica del

cristal ni modifican su densidad.

• Dicha concentración en equilibrio también vienen

dada por la ecuación de defectos intrínsecos,
cambiando la energía de formación del defecto.

𝑄𝑣
𝑁𝑣 = 𝑁 𝑒𝑥𝑝(− )
𝑘𝑇

• Al aumentar la temperatura, aumento la

Fuente:
conductividad eléctrica.
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
DEFECTO DE SHOTTKY

• Consiste en la formación simultánea de una pareja

de vacantes de anión y de catión.

• Estos defectos no alteran la neutralidad eléctrica del

cristal, aunque sí hacen disminuir la densidad.

• la generación de defectos de Schottky precisa de

sumideros (bordes de grano, dislocaciones,
superficie del cristal) donde puedan emigrar los
iones.

• A cada temperatura habrá una concentración en

equilibro de defectos de Schottky.

𝑄𝑣
𝑁𝑣 = 𝑁 𝑒𝑥𝑝(− )
𝑘𝑇
Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
 3
DEFECTOS LINEALES
DISLOCACIONES

Semiplano extra
• Defecto lineal alrededor del cual el
cristal se halla distorsionado y que, al
avanzar por un plano de la red, hace
saltar los átomos del plano situados a
su alrededor, siempre en el mismo
sentido y la misma cantidad.
• Debido a que la longitud del defecto es
mucho mayor que su sección
transversal, se habla de defectos Frente de la dislocación
lineales.
(Línea de la dislocación)

Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
 VECTOR DE BURGERS
• Cada dislocación se caracteriza por su
Ԧ que indica cuál es
vector de Burgers, 𝑏,
el salto (en dirección, y en cantidad)
que da cada átomo del plano cuando
es alcanzado por la línea de
dislocación.
• El vector de Burgers es constante y
único para toda la dislocación, aunque
el vector de Burgers es distinto en las
diferentes redes, y también depende
del tipo de dislocación.
• Para definir el vector de Burgers hay
que indicar tanto el módulo como la
dirección (a través de sus índices de
Miller)
TIPOS DE DISLOCACIONES

DE HÉLICE
El vector de Burgers, 𝑏, es paralelo
a la línea de dislocación.

DE ARISTA
El vector de Burgers, 𝑏, es
perpendicular a la línea de
dislocación.
MIXTO
el vector de Burgers, 𝑏 ,
forma un ángulo cualquiera
con la línea de dislocación
TIPOS DE DISLOCACIONES

Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
TIPOS DE DISLOCACIONES

Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
ENERGÍA ASOCIADA

• La energía interna de un cristal aumenta 𝐸𝑇 = 𝐸𝑁 + 𝐸𝐸𝐿

con la deformación elástica de su red. y
por tanto con la presencia de
dislocaciones.
• La energía total asociada a una 𝐺𝑏 2 𝑟
dislocación, por unidad de longitud, es (𝐸𝐸𝑙 )𝐻𝐸𝐿𝐼𝐶𝑂𝐼𝐷𝐴𝐿 = 𝑙𝑛
la suma de la energía acumulada en el 4𝜋 𝑟0
núcleo (que se estima es del orden de 1
eV) y la energía acumulada en forma de
deformación elástica fuera del núcleo 𝐺𝑏2 𝑟
de la dislocación. (𝐸𝐸𝑙 )𝐴𝑅𝐼𝑆𝑇𝐴 = 𝑙𝑛
4𝜋 1 − 𝑣 𝑟0
 4
MOVIMIENTO DE DISLOCACIONES
MOVIMIENTO DE DISLOCACIONES

• Las dislocaciones se mueven

por el interior del material
bajo la acción de tensiones
de cizalladura aplicadas en
la dirección del vector de
Burgers.
• el movimiento de las
dislocaciones a través de la
red cristalina produce una
deformación plástica
permanente.

Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
MOVIMIENTOS CONSERVATIVO Y NO CONSERVATIVO

• Para que el movimiento sea conservativo la dislocación debe moverse a lo largo de

su plano de deslizamiento.
• Para que el movimiento sea no conservativo la dislocación debe salir de su plano de
deslizamiento

Fuente:
Güemes Gordo & Martín Gordo, 2012
SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO

• Es la combinación de plano de
deslizamiento y una dirección de
deslizamiento
• Plano de deslizamiento: es el plano que
tiene la distribución más densa de átomos
(mayor densidad planar de átomos).
• Dirección de deslizamiento: es la dirección
perteneciente al plano más compacta
(tiene la mayor densidad lineal).

Fuente:
William D. Callister Jr, 2012
 Plano de Dirección de Número de sistemas de
Metales
deslizamiento deslizamiento deslizamiento
Cúbico centrado en las caras
Cu, Al, Ni, Ag,
{111} <110> 12
Au
Cúbico centrado en el cuerpo
Fe-α, W, Mo {110} <111> 12
Fe-α, W {211} <111> 12
Fe-α, K {321} <111> 24
Hexagonal compacto
Cd, Zn, Mg, Ti,
{001} <1120> 3
Be
{1010} <1120> 3
Ti, Mg, Zr
{1011} <1120> 6
Ti, Mg

Fuente:
William D. Callister Jr, 2012
DESLIZAMIENTO EN MONOCRISTALES

El deslizamiento ocurre sobre una gran cantidad de planos y

direcciones de deslizamientos equivalentes, y con la
orientación más favorable.
Este deslizamiento provoca pequeños escalones sobre la
superficie de la probeta, paralelos entre sí y dan la vuelta a la
probeta.
Cada escalón es el movimiento de un gran número de
dislocaciones a lo largo del mismo plano de deslizamiento.
Estos escalones de llaman líneas de deslizamiento

Deslizamiento en un
monocristal de cinc

Fuente:
William D. Callister Jr, 2012