Dosen :
Mukhammad Ramdlan Kirom (MRK)
Ruang :
P-4
Telepon :
022-70640641
Penilaian :
UTS (35 %), Paper Review (45 %), Tugas (20 %),
Rujukan :
Handout TEKNOLOGI SEL SURYA (FTG4K)
foton
Proses Celah energi
eksitasi
Pita Valensi
lubang Ev
Handout TEKNOLOGI SEL SURYA (FTG4K)
Daerah Deplesi
- - - - - + + + + +
- - - - - + + + + +
- - - - - + + + + +
hole elektron
V deplesi
Akibat proses serapan foton ini, elektron dan hole bebas akan
terbentuk. Pada bagian permukaan depan sel surya (persambungan
p-i-n), pasangan electron-hole akanlebih banyak dibangkitkan. Hal ini
terjadi karena foton lebih sukar menembus lapisan belakang sel surya
yang jaraknya jauh dari permukaan depan sel surya. Electron dan
hole mengalir dalam arah yang berlawanan dan menyebabkan
munculnya arus Jph. Selain itu pada sambungan pn (daerah deplesi)
akan muncul arus akibat adanya medan listrik internal (JD) yang
arahnya berlawanan dengan arus yang disebabkan oleh foton.
J J ph J D
qV
J D J 0 [exp 1]
nkT
Handout TEKNOLOGI SEL SURYA (FTG4K)
dengan daya input PIN adalah besar intensitas radiasi dikali luas
panel surya dan A luas permukaan sel surya.
Handout TEKNOLOGI SEL SURYA (FTG4K)