■ Sebuah APD (Avalance Photo Diode) adalah perangkat elektronik semikonduktor
yang sangat sensitif yang memanfaatkan efek fotolistrik untuk mengubah cahaya menjadi listrik. Karakteristik APD
■ APD dapat dianggap sebagai photodetectors yang
memberikan tahap awal penguatan melalui perbesaran avalanche. Dari sudut pandang fungsional, mereka dapat dianggap sebagai analog semikonduktor untuk photomultipliers. Dengan menerapkan tegangan bias balik yang tinggi (biasanya 100-200 V pada silikon) Prinsip kerja APD ■ Detektor optik Avalanched Photo Diode (APD) bekerja dengan reverse bias yang besar. Pada medan listrik yang tinggi terjadi avalanche effect yang menghasilkan impact ionization berantai dan terjadi multiplikasi avalanche sehingga terjadi penguatan atau multiplikasi arus. Cahaya datang pada p+, kemudian diserap oleh bahan π yang bertindak sebagai daerah pengumpul untuk carrier cahaya yang dibangkitkan. Pada waktu foton memberikan energinya, pasangan elektron-hole dibangkitkan, yang kemudian dipisahkan oleh medan listrik pada daerah π. Elektron tadi mengalir dari daerah π menuju pn+ junction di mana terjadi medan listrik yang tinggi Keuntungan dan Kekurangan APD dibandingkan PIN Karakteristik PIN APD
Bandwidth Modulasi Puluhan MHz hingga Ratusan MHz hingga
puluhan GHz puluhan GHZ
Gain Iphoto 1 -
Kwbutuhan Rangkaian Sumber tegangan bias
Tambahan - yang tinggi,rangkaian pengkompensasi suhu
linieritas Tinggi Rendah
Biaya Rendah Sedang - Tinggi
Keuntungan dan kelemahan APD dibandingkan PIN ■ APD merupakan detektor optik yang memiliki penguatan dalam (internal gain) yang berfungsi untuk melipatgandakan jumlah elektron. APD memiliki sensitivitas yang lebih baik dibanding PIN diode. APD dapat digunakan pada komunikasi jarak jauh dengan LD (laser diode) sebagai sumber optiknya. APD membutuhkan tegangan sebesar 40 – 400 Volt. APD juga memiliki noise internal yang lebih tinggi dan sangat sensitif terhadap perubahan suhu Jenis Dari APD ■ InGaAs APD dalam aplikasi tertentu sering dibatasi oleh pre-amplifier, oleh karena itu pre-amplifier perlu dipilih dan diimplementasikan dengan hati-hati untuk mencapai rasio signal-to- noise terbaik. ■ InGaAs-APD cocok untuk rentang spektral dari 1100 nm sampai 1700 nm. Dibandingkan dengan APD germanium, mereka memiliki rasio kebisingan yang meningkat, bandwidth yang lebih tinggi dalam kaitannya dengan area aktif, dan keuntungan yang dihasilkan dari peningkatan sensitivitas hingga 1700 nm. Contoh APD yang Ada Di Pasaran