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SEMICONDUCTORES

INTRODUCCIÓN
. MATERIALES CONDUCTORES
Todos los cuerpos o elementos químicos existentes en la naturaleza poseen
características diferentes, agrupadas todas en la denominada “Tabla de
Elementos Químicos”. Desde el punto de vista eléctrico, todos los cuerpos
simples o compuestos formados por estos elementos se pueden dividir en tres
amplias categorías:

- Conductores

- Aislantes

Semiconductores
. MATERIALES AISLANTES O DIELECTRICOS

A diferencia de los cuerpos metálicos buenos conductores de la


corriente eléctrica, existen otros como el aire, la porcelana, el cristal,
la mica, la ebonita, las resinas sintéticas, los plásticos, etc., que
ofrecen una alta resistencia a su paso. Esos materiales se conocen
como aislantes o dieléctricos.

Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente eléctrica. En la foto izquierda. se
pueden observar diferentes materiales aislantes de plástico utilizados comúnmente en las cajas de. conexión
y en otros elementos propios de las instalaciones eléctricas domésticas de baja tensión, así. como el PVC
(PolyVinyl Chloride – Policloruro de Vinilo) empleado como revestimiento en los cables. conductores. En la
foto de la derecha aparece, señalado con una flecha roja, un aislante de vidrio. utilizado en las torres
externas de distribución eléctrica de alta tensión.
Al contrario de lo que ocurre con los átomos de los metales, que ceden sus
electrones con facilidad y conducen bien la corriente eléctrica, los de los elementos
aislantes poseen entre cinco y siete electrones fuertemente ligados a su última
órbita, lo que les impide cederlos. Esa característica los convierte en malos
conductores de la electricidad, o no la conducen en absoluto.

En los materiales aislantes, la banda de conducción se


encuentra prácticamente vacía de portadores de
cargas eléctricas o electrones, mientras que la banda
de valencia está completamente llena de estos.

Como ya conocemos, en medio de esas dos bandas


se encuentra la “banda prohibida”, cuya misión es
impedir que los electrones de valencia, situados en la
última órbita del átomo, se exciten y salten a la banda
de conducción.

La energía propia de los electrones de valencia equivale a unos 0,03 eV


(electronvolt) aproximadamente, cifra muy por debajo de los 6 a 10 eV de energía
de salto de banda (Eg) que requerirían poseer los electrones para atravesar el
ancho de la banda prohibida en los materiales aislantes.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los primeros semiconductores utilizados para fines técnicos fueron pequeños detectores diodos
empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocían como “de
galena”. Ese nombre lo tomó el radiorreceptor de la pequeña piedra de galena o sulfuro de plomo
(PbS) que hacía la función de diodo y que tenían instalado para sintonizar las emisoras de radio. La
sintonización se obtenía moviendo una aguja que tenía dispuesta sobre la superficie de la piedra.
Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad
auditiva, en realidad nadie conocía que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubrió que si a ciertos cristales se le
añadía una pequeña cantidad de impurezas su conductividad eléctrica variaba cuando el material
se exponía a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas
fotoeléctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador también de los
Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo
semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron “transistor” y que se convertiría en la base
del desarrollo de la electrónica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo,
constituyen elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos conductores y los
aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas
condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido,
pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar
señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o
compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.
Lugar que ocupan en la Tabla Periódica los trece elementos con. características de semiconductores,
identificados con su correspondiente. número atómico y grupo al que pertenecen. Los que aparecen
con fondo.
gris corresponden a “metales”, los de fondo verde a “metaloides” y los de. fondo azul a “no metales”.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Periódica


constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos
detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y
microprocesadores.

Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que
pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica,
como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última
órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular
cristalina característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar
electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen
formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de
sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En
esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de
forma similar a un material aislante.
TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor


La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran
medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia
al paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los
elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad también aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes
métodos:
- Elevación de su temperatura
- Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
- Incrementando la iluminación.
SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS"
Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma:
- Intrínsecos
- Extrínsecos
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad
de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será
igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco,
algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones
libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”,
pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina,
siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.

Como se puede observar en la ilustración, en el caso de los


semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es
mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La
energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar
de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente.
En los semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de banda
requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de
germanio (Ge) es de 0,785 eV.
Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta
solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. Como
se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo
poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia),
se unen formando enlaces covalente para completar ocho
electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un
cuerpo aislante.

• Cristales sin impurezas ni defectos en la red (idealmente, claro)


• Conforme la temperatura aumenta, hay generación de pares electrón-
hueco
• Obviamente, n = p = ni
• ni varía exponencialmente con la temperatura
SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS"
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta
alteración, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por
su cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del
semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas
cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas".
Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos
semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita [como
el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones también en su última órbita
[como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se
convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente
eléctrica.
En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la
industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato
de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es
la arena, uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial
primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y
0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.
A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o
cristal semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo,
destinada a la fabricación de transistores y circuitos. integrados. A
la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos
de. minúsculos dados o “chips”, que se pueden obtener de cada
una. Esos chips son los. que después de pasar por un proceso
tecnológico apropiado se convertirán en. transistores o circuitos
integrados. Una vez que los chips se han convertido en.
transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea
y colocados dentro. de una cápsula protectora con sus
correspondientes conectores externos.
El segundo elemento también utilizado como semiconductor, pero en menor proporción que
el silicio, es el cristal de germanio (Ge).
Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar
diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas
y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente
alterna y convertirla en directa. Hoy en día, además del silicio y el germanio,
se emplean también combinaciones de otros elementos semiconductores
presentes en la Tabla Periódica.

Placa individual de 2 x 2 cm de área, correspondiente a un antiguo diodo de


selenio.
Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As)
utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricación de
diodos láser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un diodo


láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto,
presentaciones multimedia o música grabada en un CD. En esta ilustración el. CD se
ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como elementos
intrínsecos, los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar una
estructura cristalina. Los átomos de cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que
contengan en su última órbita, tratan siempre de completarla con un máximo de ocho, ya sea donándolos o
aceptándolos, según el número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico.

Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita, sus
átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre sí los cuatro electrones que cada
uno posee, según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un
cuerpo sólido, los átomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una
celosía. En su estado puro, como ya se mencionó anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo
que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.
SEMICONDUCTOR DOPADO
Si aplicamos una tensión al cristal de
silicio, el positivo de la pila intentará
atraer los electrones y el negativo los
huecos favoreciendo así la aparición de
una corriente a través del circuito

Sentido del movimiento de un electrón y un


hueco en el silicio
Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones
que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha
corriente tenemos dos posiblidades:
- Aplicar una tensión de valor superior
- Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión aplicada, la
corriente que aparece no es de suficiente valor. La solución elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos
últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que
se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores.
- Semiconductor tipo P
- Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del
semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del
semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo
tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de
valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina
en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido
que se encontrará en condición de aceptar un electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón
del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta
carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la
excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los
electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera
natural.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos
al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o
electrones).
Cuando se añade el material dopante aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del
semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de
sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a
entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una
valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio
adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica (ej.
fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio,
entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como
resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el
número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son
llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion
dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.
http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor#Semiconductor_tipo_P
http://www.ifent.org/Lecciones/semiconductor/tipo-P.asp
http://www.profisica.cl/comofuncionan/como.php?id=41
http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/tipos.html
http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts