Presentado por:

DIODO TUNEL Claudia Maritza Quinayás Bermeo

Santiago Realpe Molano

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 ¿QUE ES EL EFECTO TUNEL?
Desde el punto de vista de la mecánica clásica un
electrón no puede superar una barrera de potencial
superior a su energía.

Sin embargo en la mecánica cuántica, los

electrones no están definidos por una posición
precisa, si no por una nube de probabilidad. Esto
provoca que ciertos sistemas esta nube de
probabilidad se extienda hasta el otro lado de una
barrera de potencial. Por tanto el electrón puede
atravesar la barrera y contribuir generar una
intensidad eléctrica.
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 ¿QUE ES UN DIODO TUNEL? Y ¿CÓMO SE
DIFERENCIA DE UN DIODO NORMAL?
El diodo de túnel es un dispositivo de dos
terminales con semiconductor de tipo p que
actúa como ánodo y semiconductor de tipo n
como cátodo. Se muestra el símbolo del circuito
del diodo túnel.

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 CARACTERISTICAS DE
UN DIODO TUNEL
1. Posee una unión tipo P y N de alto dopaje.
2. A mayor dopaje decrece la barrera entre
punto de unión P y N.
3. Debido al efecto túnel se origina una
conductancia diferencial.
4. Puede ser aplicado como elemento
amplificador o como oscilador
esencialmente.
5. Llega alcanzar un dopaje de mil veces mayor
que el de un diodo tradicional.

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 ORIGEN DE CREACIACIÓN Y
APLICACIÓN
El diodo de túnel es un dispositivo semiconductor altamente dopado y se utiliza
principalmente para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia de baja tensión.
Funciona sobre el principio del efecto Tunneling. También se le llama diodo de Esaki que
lleva el nombre de Leo Esaki, quien en 1973 recibió el Premio Nobel de Física por
descubrir el efecto de tunelización de electrones utilizado en estos diodos.

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 SU FUNCIONAMIENTO
Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo túnel empieza a
conducir (la corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta
tensión la corriente aumentará hasta llegar un punto después del
cual la corriente disminuye. La corriente continuará disminuyendo
hasta llegar al punto mínimo de un “valle” y después volverá a
incrementarse.

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 DIODO TUNEL MATERIAL DE
COMPOSICIÓN
MATERIAL TIPO P:
Se forma dopando un cristal de
germanio o silicio puro con átomos de
impureza que tiene tres electrones de
valencia

MATERIAL TIPO N:
Se crea introduciendo elementos de
impureza que contiene cinco electrones
de valencia

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POLARIZACIÓN EN DIRECTA:

Si se aplica una pequeña polarización en directa en la barrera de

potencial, sería muy alta, pues algunos electrones de la banda
de valencia de la región P se creará una corriente de
polarización tunel

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POLARIZACION EN INVERSA:

En caso de polarizar el diodo tunel en inversa el comportamiento que

adquiere es similar al del diodo Zener.

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 APLICACIONES DE DIODO TUNEL
1. Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando están polarizados en reversa.

2. Estos diodos sólo se encuentran en aplicaciones reducidas como en circuitos

osciladores de alta frecuencia.

3. Se utiliza en osciladores de frecuencia baja o para amplificar la potencia de señales.

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 CARACTERISTICAS DE UN DIODO TUNEL
DATOS CURIOSOS
1. El diodo túnel
MATERIAL TIPOtiene
P Y un dopaje
TIPO N 1000 veces más
fuerte que un diodo convencional.
2. Una de las principales razones para el éxito inicial
del diodo túnel fue su alta velocidad de operación y
las altas frecuencias que podía manejar.
3. Los portadores minoritarios ralentizan el
funcionamiento de un dispositivo y como resultado,
su velocidad es más lenta. Así mismo, el efecto
túnel es intrínsecamente muy rápido.

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VIDEO ILUSTRATIVO

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 BIBLIOGRAFIAS
 http://ecetutorials.com/analog-electronics/tunnel-diode/
 https://www.ecured.cu/Diodo_tunel
 http://diodiosingenieriadetelecomunicaciones.blogspot.com/2015/04/diodo-tunel.html
 https://www.youtube.com/watch?v=1HsZfVjtbGg

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