Problemas de Diodos Esime

Departamento de Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica
Academia de Electrónica
Problemas
Laboratorio de Electrónica
Problema 1
El voltaje de entrada del circuito de la figura es una señal sinusoidal con voltaje pico de 100 V, Considerando el
diodo ideal ,encontrar el voltaje de salida
V V
𝑣2
R
- +
𝑣1 𝑣2
+
D 10
- t
+ 0 t,s
10V
+ -
-100
Todos los voltajes de entrada menores 10 V , se reflejan en la salida, pero el ciclo positivo es recortado en 10V.
Problema 2
Asumir que los parámetros a gran señal aplicados al diodo real del circuito del problema anterior, son
los siguientes:
Voltaje directo de umbral: 𝑉𝜇 =0.7 V

Resistencia directa CD: 𝑟𝐹 =10 Ω
Resistencia inversa : 𝑟𝑅 =1MΩ
a) Determinar y graficar la característica de transferencia si la resistencia R del circuito es de 100Ω.

b) Si se aplica una señal triangular como se muestra en la figura a la entrada del circuito, 𝑣𝑖 ,
determine el voltaje de salida, 𝑣2 , utilizando la característica de transferencia encontrada en el
punto a).
R
𝑣𝑖 V
𝑣1 𝑣2
30 D
t
t,s +
0 10V
- 30
Solucion: El diodo no conduce cuando 𝑣2 es menor que 10.7 V, por que el voltaje de umbral del diodo es
de 0.7 V . Siempre que la entrada 𝑣1 provoque que 𝑣2 sea menor a 10.7 V el diodo estará operando en la
región inversa y el circuito puede ser remplazado de la manera siguiente
De acuerdo Kirchoff
100Ω 𝑣1 − 10
𝑣2 = 𝑣1 − 100𝐼 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝐼≈
𝑣1 𝑣2 106
1MΩ 100 𝑣1 − 10
𝑣2 = 𝑣1 −
106
+ 𝑣2 = 𝑣1 − 10−4 𝑣1 + 10−3
10V
𝑣2 ≈ 𝑣1 + 0.001
Localizando los dos puntos en la región donde 𝑣2 es menor que 10.7 V, aplicando la ecuación anterior.
Punto 1: 𝑣1 = 0 , 𝑣2 ≈ 0.001 𝑉 Punto 2: 𝑣1 = 10.7 𝑉 , 𝑣2 ≈ 10.7 𝑉
Cuando 𝑣1 provoca que 𝑣2 exceda los 10.7 V , el diodo esta polarizado de manera directa y puede
emplearse el circuito equivalente mostrado en la figura
𝑣1 − 10.7
100Ω 𝑣2 = 𝑣 1 − 100𝐼 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝐼 ≈
110
𝑣1 𝑣2
100 𝑣1 − 10.7 𝑣2 = 0.09𝑣1 + 9.73
10Ω 𝑣2 = 𝑣1 −
110
Localizando los dos puntos en la región donde 𝑣2 es menor que 10.7 V,

0.7 V aplicando la ecuación anterior.
10V
Punto 3: 𝑣1 = 15 𝑉 , 𝑣2 = 0.09 15 + 9.73 = 11.08 𝑉
Punto 4: 𝑣1 = 25 𝑉 , 𝑣2 = 0.09 25 + 9.73 = 11.98 𝑉

Grafica de la función de transferencia

Por lo tanto, muestra la característica de
𝑣2 ,V transferencia completa utilizando los cuatro
Punto 4: 𝑣1 = 25 𝑉 , 𝑣2 = 11.98 𝑉
puntos generados
A partir de la característica de transferencia,
se puede ver que el recorte comienza en 10.7
11.98 v y no en 10 voltios. se puede ajustar a 10 v
10.08 utilizando una fuente de cc de 9,3 V en lugar
10.7 de fuente de 10 v cc. tampoco se puede
obtener el recortador perfecto, ya que
0.001 siempre existe una ligera pendiente en la
0 10.7 15 25 𝑣1 ,V característica debido a la existencia de una
pequeña resistencia en polarización directa
del diodo.
Punto 2: 𝑣1 = 10.7 𝑉 , 𝑣2 ≈ 10.7 𝑉
Punto 1: 𝑣1 = 0 , 𝑣2 ≈ 0.001 𝑉 Punto 3: 𝑣1 = 15 𝑉 , 𝑣2 = 11.08 𝑉 Laboratorio de Electrónica

b) Los voltaje de salida pueden ser obtenidos sustituyendo valores de 𝑣1 en las ecuaciones encontradas,
dependiendo de la región involucrada y graficando los resultados con respecto al tiempo, tenemos:
Anteriormente:
Punto 1: 𝑣1 = 0 , 𝑣2 ≈ 0.001 𝑉 Punto 2: 𝑣1 = 10.7 𝑉 , 𝑣2 ≈ 10.7 𝑉
Ahora:
Para el caso de conducción : 𝑣1 = 30 𝑉 , 𝑣2 = 0.09 30 + 9.73 = 12.43 𝑉
Para el caso de no conducción 𝑣2 ≈ −30𝑉 + 0.001𝑉 ≈ −30𝑉
𝑣𝑖 V
30
t,s
0
- 30
𝑣2 V
12.43
10.7
t,s
0
- 30
Se desea diseñar el circuito de polarización de un diodo emisor de luz (LED) de arseniuro de galio (GaAs) conforme a la
figura 1. La característica I-V del LED se representa en la figura 2, en la que también se ha dibujado la recta de carga del
circuito. Calcule:
a) La tensión de polarización del LED, VL e I en el punto de polarización.
b) Los valores de la resistencia R y de la fuente de tensión VCC .
Figura 1 Laboratorio de Electrónica

Figura 2
Solucion: Academia de Electrónica
a) La intersección de la recta de carga del circuito y la

característica I-V del LED dan el punto de trabajo, cuyos valores
son 𝐼𝑄 = 50 mA y 𝑉𝐿 =1,5 V.
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝑅 − 𝑉𝐿 = 0
𝑉𝐿 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝑅 𝑉𝐿 = 𝑉𝐶𝐶 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝐼 = 0
IR = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐿
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐿 𝑉𝐶𝐶
𝐼= 𝐼= 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑉𝐿 = 0
𝑅 𝑅
b) La intersección de la recta de carga del circuito con: -el eje de tensión da el

valor 𝑉𝐶𝐶 =4 V -el eje de corriente da el valor 𝑉𝐶𝐶ൗ𝑅 = 80 𝑚𝐴. Por tanto, R=50 Ω Laboratorio de Electrónica
La característica en directa del diodo en el circuito de la figura se rige por la ecuación de Shockley (es decir se trata de
un diodo ideal, con n=1). La corriente de saturación es 𝐼𝑂 =2×10-12 A a la temperatura ambiente de 𝑇𝑎 =290 °K
(𝑘𝑇𝑎 =0,025 eV) y se duplica cada 4,83 °C de incremento de la temperatura. Los otros elementos del circuito, R=1 kΩ
y 𝑉𝐴𝐴 =4,5 V, son independientes de la temperatura.
a) Suponiendo 𝑉𝐷 ∼ 0,5 V, en el circuito, obtener la corriente 𝐼𝐷 .
b) Obtener, ahora, un valor más preciso de 𝑉𝐷 para la temperatura 𝑇𝑎 .
c) ¿Cuál es la potencia disipada en el diodo?.
d) Si la temperatura de funcionamiento aumenta en 14,5 °C por encima de la ambiente, deducir cuál será la variación
Δ𝑉𝐷 en magnitud y signo.
Solucion:
Suponiendo que la característica I-V de los diodos Zener Z1 y Z2 es la representada en la figura 1 y que la
característica I-V del diodo D1 es la de la figura 2, se pide, para el circuito de la figura 3:
a) Calcular ID1 y VD1
b) Sabiendo que el diodo Z1 está ON, deducir el estado de Z2
c) Calcular IZ2
DATOS: R = 1,1 MΩ; V1 = 20 V; V2 = 8 V

Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturación

𝐼0 𝑎 300 °𝐾 𝑑𝑒 10 𝜇𝐴.
Calcular:
a.- Valor de la I con una polarización directa de 0.6 V

b.- Valor de I con una polarización inversa de 1V
c.- Resistencia estatica en ambos casos
Calcular, a 50°C de temperatura
d.- Valor de I con una polarización directa de 0.6 V
e.- Valor de I con polarización inversa de 1 V
f.- Resistencia estatica en ambos casos
Solucion:
𝑉ൗ 𝐾𝑇 𝑇
Recordando que : 𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 𝑒 𝜂𝑉𝑇 −1 Donde : 𝑉𝑇 = = 𝑉 𝐼𝑂 = 10𝑥10−6 𝐴
𝑞 11600
Para 300
𝑇 = 300 °𝐾 𝑉𝑇 = ≅ 0.026 𝑉
11600
A temperatura ambiente, 𝑇 = 300 °𝐾 𝑉𝑇 = 0.026 𝑉

Escriba
aquí 𝑉ൗ
a) 𝑉 = 0.6 𝑉 𝑉 ≫ 𝑉𝑇 𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 𝑒 𝜂𝑉𝑇
la
ecuación.
𝜂 = 1 ⟶ 𝐺𝑒
0.6
𝜂 = 2 ⟶ 𝑆𝑖 𝐼= 10𝑥10−6 ∗ 𝑒 2∗0.02 = 1. . 026 𝐴
Si no consideramos 𝑉 ≫ 𝑉𝑇 , obtenemos
𝑉ൗ
𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 𝑒 𝜂𝑉𝑇 − 1 = 1.09097 𝐴 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑖𝑙𝑎𝑟 𝑎𝑙 𝑎𝑛𝑡𝑒𝑟𝑖𝑜𝑟
b) 𝑉 = −1 𝑉 ≪ −𝑉𝑇 ⇒ 𝐼 ≅ −𝐼𝑂 = −10 𝜇𝐴
Si no consideramos 𝑉 ≫ 𝑉𝑇 , obtenemos
1ൗ
𝐼 = 10𝑥1−6 𝑒 − 2𝑥0.026 − 1 = −9.99𝑥10−6 𝐴 ≅ 𝐼𝑂
𝑉𝐹 0.6 𝑉 𝑉𝑅 −1 𝑉 5 Ω = 100 𝑘Ω
c) 𝑅𝐹 = = = 0.585 Ω 𝑅𝑅 = = = 10
𝐼𝐹 1.026 𝐴 𝐼𝑅 −10𝑥10−6 𝐴
𝑇 ′ = 50 °𝐶 ⇒ 𝑇 ′ °𝐾 = 273 + 50 = 323 °𝐾
La temperaura ha cambiado, por lo tanto , hay que recalcuar 𝐼𝑂
𝑇 ′ −𝑇 323−300
𝐼𝑂′ = 𝐼𝑂 𝑥2 10 = 10𝑥10−6 𝑥2 10 = 49.2 𝜇𝐴
Esta es la corriente inversa (perdidas ) del diodo , trabajando a 𝑇 ′ = 323 °𝐾

d) Con este nuevo valor de 𝐼𝑂 podemos calcular la corriente cuando 𝑉 = 0.6 𝑉
𝑇′ 323 °𝐾
El voltaje térmico es 𝑉𝑇 ′ = = ⟹ 𝑉𝑇′ = 0.0278 𝑉
11600 11600 °𝐾
𝑉
𝑉 0.6
′
Considerando que 𝑉≫ 𝑉𝑇′ ⟹ 𝐼′ = 𝐼𝑂′ 𝑒 𝜂𝑉𝑇 = −6
49.2𝑥10 𝑥𝑒 2𝑥0.0278 = 2.39 𝐴
Observamos que a mayor temperatuta 𝑇 ′ = 323°𝐾 > 𝑇 = 300°𝐾 , con la misma tensión 𝑉 = 0.6 𝑉 hemos
obtenido una mayor corriente 𝐼 ′ = 2.34 𝐴 > 𝐼 = 1.026 𝐴 , si no consideramos 𝑉 ≫ 𝑉𝑇 , obtendríamos
𝑉
𝐼′ = 𝐼𝑂′ 𝜂𝑉
𝑒 𝑇 − 1 = 2.35 𝐴 ≅ 2.39 𝐴 resultado similar al anterior
e) 𝑉 = −1 𝑉 como 𝑉 ≪ −𝑉𝑇′ ⟹ 𝐼 ≅ −𝐼𝑂 = −49.2 𝜇𝐴
Si no consideramos 𝑉 ≪ −𝑉𝑇′
Tendriamos 𝑉
′ El mismo valor
𝐼 ′ = 𝐼𝑂 𝑒 𝜂𝑉𝑇 − 1 = 49.2𝑥10 −6 𝑒 2𝑥0.0278 − 1 = −49.2 𝜇𝐴
𝑉𝐹 0.6 𝑉
𝑅𝐹 = = = 0.25 Ω
𝐼𝐹 2.39 𝐴
𝑉𝑅 −1 𝑉
𝑅𝑅 = = = 20325 Ω = 20.35 𝐾Ω
𝐼𝑅 −49.2𝑥10−6 𝐴
Vemos que 𝑅𝑅 ≫ 𝑅𝐹 , como es de esperar puesto que en directo 𝑅𝐹 el diodo tiene una resistencia pequeña
(corto circuito), mientras que en inversa 𝑅𝑅 tiene una resistencia grande (circuito abierto)
Determine los valores de 𝐼, 𝑉1 , 𝑉2 𝑦 𝑉𝑜 del circuito de la figura
Solucion:
Determinacion del estado del diodo
Para determinar la I, se plantea por Ley de Kirchhoff 𝑉1 = 𝐼𝑅1 = 2.072𝑚𝐴 4.7𝑘Ω = 9.74 𝑉
𝐸1 − 𝑉1 − 𝑉𝐷 − 𝑉2 + 𝐸2 = 0 𝑉2 = 𝐼𝑅2 = 2.072𝑚𝐴 2.2𝑘Ω = 4.56 𝑉
𝐸1 − 𝐼𝑅1 − 𝑉𝐷 − 𝐼𝑅2 + 𝐸2 = 0 En la segunda malla

−𝐸2 + 𝑉2 − 𝑉𝑜 = 0
𝐸1 + 𝐸2 − 𝑉𝐷 10 𝑉 + 5𝑉 − 0.7𝑉
𝐼= = = 𝑉𝑜 = 𝑉2 − 𝐸2 = 4.56𝑉 − 5𝑉 = −0.44𝑉
𝑅1 + 𝑅2 4.7 𝑘Ω + 2.2𝑘Ω
14.3𝑉 El signo menos indica que Vo tiene una polaridad
= 2.072𝑚𝐴
6.9𝑘Ω opuesta a la indicada en la figura Laboratorio de Electrónica
En el circuito de la figura, donde los diodos presentan: RF = 10, V = 0V , Rr → ∞,

se pide:
a) Dibujar un periodo completo de la forma de onda correspondiente a iL. Indicar el valor
máximo y el valor del periodo de esta señal.
b) Valor de continua y eficaz de la tensión en RL.
c) Potencia disipada y tensión inversa máxima soportada por cada diodo.
Solución:
a) Dibujar 1T de la forma de onda de iL.
b) Valor de continua y eficaz de la tensión en RL.
c) Potencia disipada y Vinvmaxima soportada por cada diodo.

Problemas de Diodos Esime

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Problemas de Diodos Esime

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Departamento de Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

Voltaje directo de umbral: 𝑉𝜇 =0.7 V

a) Determinar y graficar la característica de transferencia si la resistencia R del circuito es de 100Ω.

Punto 1: 𝑣1 = 0 , 𝑣2 ≈ 0.001 𝑉 Punto 2: 𝑣1 = 10.7 𝑉 , 𝑣2 ≈ 10.7 𝑉

Localizando los dos puntos en la región donde 𝑣2 es menor que 10.7 V,

Punto 4: 𝑣1 = 25 𝑉 , 𝑣2 = 0.09 25 + 9.73 = 11.98 𝑉

Grafica de la función de transferencia

Punto 1: 𝑣1 = 0 , 𝑣2 ≈ 0.001 𝑉 Punto 3: 𝑣1 = 15 𝑉 , 𝑣2 = 11.08 𝑉 Laboratorio de Electrónica

Punto 1: 𝑣1 = 0 , 𝑣2 ≈ 0.001 𝑉 Punto 2: 𝑣1 = 10.7 𝑉 , 𝑣2 ≈ 10.7 𝑉

Para el caso de conducción : 𝑣1 = 30 𝑉 , 𝑣2 = 0.09 30 + 9.73 = 12.43 𝑉

Para el caso de no conducción 𝑣2 ≈ −30𝑉 + 0.001𝑉 ≈ −30𝑉

Figura 1 Laboratorio de Electrónica

a) La intersección de la recta de carga del circuito y la

𝑉𝐿 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝑅 𝑉𝐿 = 𝑉𝐶𝐶 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝐼 = 0

b) La intersección de la recta de carga del circuito con: -el eje de tensión da el

DATOS: R = 1,1 MΩ; V1 = 20 V; V2 = 8 V

Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturación

a.- Valor de la I con una polarización directa de 0.6 V

A temperatura ambiente, 𝑇 = 300 °𝐾 𝑉𝑇 = 0.026 𝑉

b) 𝑉 = −1 𝑉 ≪ −𝑉𝑇 ⇒ 𝐼 ≅ −𝐼𝑂 = −10 𝜇𝐴

La temperaura ha cambiado, por lo tanto , hay que recalcuar 𝐼𝑂

Esta es la corriente inversa (perdidas ) del diodo , trabajando a 𝑇 ′ = 323 °𝐾

d) Con este nuevo valor de 𝐼𝑂 podemos calcular la corriente cuando 𝑉 = 0.6 𝑉

Determine los valores de 𝐼, 𝑉1 , 𝑉2 𝑦 𝑉𝑜 del circuito de la figura

𝐸1 − 𝑉1 − 𝑉𝐷 − 𝑉2 + 𝐸2 = 0 𝑉2 = 𝐼𝑅2 = 2.072𝑚𝐴 2.2𝑘Ω = 4.56 𝑉

𝐸1 − 𝐼𝑅1 − 𝑉𝐷 − 𝐼𝑅2 + 𝐸2 = 0 En la segunda malla

En el circuito de la figura, donde los diodos presentan: RF = 10, V = 0V , Rr → ∞,

b) Valor de continua y eficaz de la tensión en RL.

c) Potencia disipada y Vinvmaxima soportada por cada diodo.

Anda mungkin juga menyukai