DETECTOR SEMIKONDUKTOR

KELOMPOK 5
Fajar Akmal ( 16034007 )
Yulia Maulina ( 16034043 )
Vriska Dwinanda F ( 16034071 )
Content
1 Sifat listrik Zat Padat

2 Cara Kerja Semikonduktor

3 Type-type Detektor Semikonduktor

Bahaya Radiasi pada Detektor

4 Semikonduktor
PENGERTIAN DETEKTOR SEMIKONDUKTOR

Detektor semikonduktor adalah benda padat yang beroperasi secara

esensial seperti kamar ionisasi. Muatan yang di bawa oleh
semikonduktor bukanlah elektron dan ion sebagaimana yang ada pada
kamar gas tapi juga hole/lubang.
 A. SIFAT – SIFAT LISTRIK ZAT PADAT

Bentuk dan volume zat padat adalah tetap. Hal ini disebabkan oleh
susunan molekul dari zat padat yang teratur dan saling berdekatan dan gaya tarik
antar molekulnya sangat kuat. Namun, hal di atas tidak berarti bentuk zat padat
tidak dapat berubah. Setiap jenis zat padat mempunyai karakteristik tertentu.

Karakteristik yang dimaksud antara lain meliputi tingkat kekerasan,

kemampuan menghantarkan kalor (panas), dan kemampuan menghantarkan
listrik. Padatan dibagi sesuai dengan konduktivitas listrik menjadi tiga kelompok:
konduktor, isolator, dan semikonduktor.
Konduktivitas dan listrik bergerak saat ada Jadi, dari semua paparan di atas dapat
electron dan menurut hasil percobaan
kita simpulkan bahwa Sifat-sifat atau ciri-
sederhana dijelaskan bahwa :
ciri dari zat padat adalah:
1. Dalam konduktor, elektron dapat bergerak
bebas pada setiap tegangan yang berbeda 1.Jika zat padat dipindahkan ke mana
dari nol. atau materi yang dapat melewati pun, bentuknya akan selalu tetap
muatan listrik. Contoh : Cu, Zn,Pb,Fe,Al.
2.Volume zat padat akan selalu tetap
2. Dalam isolator, elektron tidak bisa bergerak
di bawah tegangan dan tidak ada elektron 3.Susunan molekul zat padat saling
Bebas. misalnya kayu, ebonit, plastik dan berdekatan dan teratur
fiberglas.
4.Gaya tarik antar molekulnya sangat kuat
3. Dalam semikonduktor, elektron tidak dapat
bergerak pada suhu rendah (mendekati nol
mutlak) di bawah tegangan apapun. 5.Gerakan molekul terbatas.
 a) Keadaan Kelistrikan Zat Padat Dalam Fungsi Fermi

Dalam atom bebas elektron dibolehkan hanya ada

dalam keadaan energi diskrit (Gambar 1). Dalam zat
padat, keadaan
Clickenergi melebar
to edit title menjadi Pita energi.
sebuah Elektron ada hanya di pita 1, 3, dan 5, tapi
tidak di pita 2Click
danto4 edit
(Gambar.
title .lb). Sebuah elektron
dapat bergerak dari pita 1 ke pita 3. jika:
Click to edit title
1)elektron memperoleh energi E, dibutuhkan untuk
menyeberangiClick
celahtoterlarang
edit title

Click to
2)Ada keadaan edit titledi pita 3,
kosong dimana
Gambar 1. (a) Tingkat energi atom berupa
melompatnya elektron yang di tempati.
garis diskrit. (b) Dalam benda padat, keadaan
energi diperbolehkan menjadi pita energi.
Energi Fermi E f adalah konstanta yang tidak tergantung pada suhu tapi ini tergantung pada
kemurnian zat padat. Fungsi P(E) adalah Fungsi universal yang berlaku untuk semua benda
padat dan memiliki sifat-sifat ini (Gambar 7.2.):
1)Jika T=0

P( E )  1 E  E f
P( E )  0 E  E f

Gambar 2. Fungsi Distribusi Fermi

2)Jika sedikit T
1
P( E f ) 
2
3)Untuk T>0 Fungsi P(E) melampaui E jika E  E f  kT , P( E ) maka memberikan bentuk
f
persamaan
1 1  E  Ef 
P( E )  ( E  E f ) / kT
~ ( E  E f ) / kT
 exp   
1 e e  kT 

yang menyerupai distribusi Boltzmann klasik.

Perhatikan bahwa pada T = 0 (Gambar. 2), semua keadaan yang diduduki untuk E <Ef tetapi
semua keadaan yang kosong untuk E> Ef.
 b) Isolator
Dalam isolator, yang memungkinkan
pita tertinggi, yang disebut pita valensi,
benar-benar diduduki Pita diperbolehkan
berikutnya, yang disebut pita konduksi,
benar-benar kosong. Sebagaimana Gambar 3
menunjukkan, kesenjangan yang begitu luas
bahwa jumlah keadaan yang diduduki di pita
konduksi selalu nol.
Ti dak ada medan li stri k atau
Gambar 3. Semua keadaan energi dalam
Kenaikan suhu dapat memberikan energi
pita konduksi isolator kosong. Karena
yang cukup untuk elektron untuk
tidak ada pembawa muatan, konduktivitas
menyeberangi kesenjangan dan mencapai
bernilai nol.
pita konduksi.
 c)Konduktor

Pada konduktor, pita konduksi sebagian

diduduki (Gambar..4). elektron dekat dengan
bagian atas bagian diisi pita ini (titik A,
Gambar 4) akan dapat pindah ke bagian yang
kosong (bagian B) di bawah pengaruh medan
listrik lainnya dari nol. Gambar 4. Dalam konduktor, pita
konduksi sebagian ditempati. Jika medan
listrik diterapkan, elektron bergerak dan
konduktivitas tidak nol.
Bahan yang akan digunakan untuk pembangunan detektor harus memiliki sifat tertentu, yaitu
sebagai berikut:

• resistivitas tinggi. Hal ini penting, karena jika tidak arus akan mengalir di bawah pengaruh
medan listrik, dan energi yang dihasilkan oleh partikel akan menghasilkan pulsa yang dapat
tertutup karena arus mengalir sesaat.
• mobilitas pembawa tinggi. Elektron dan lubang harus mampu bergerak cepat dan
dikumpulkan sebelum mereka memiliki kesempatan untuk bergabung kembali atau terjebak.
• Kemampuan mendukung medan listrik yang kuat. Properti ini terkait dengan Properti (1).
pentingnya berasal dari fakta bahwa kuat lapangan, lebih baik dan lebih cepat koleksi
menjadi energi.
• kisi kristal yang sempurna. Terlepas dari kotoran disuntikkan eksternal, bahan detektor
semikonduktor harus terdiri dari kisi kristal yang sempurna tanpa cacat, atom yang hilang,
atau atom interstitial.
 B. CARA KERJA SEMIKONDUKTOR SAMBUNGAN P-N

• Detektor semikonduktor adalah benda padat yang beroperasi secara esensial seperti
kamarionisasi.
• Pengoperasian detektor semikonduktor berdasarkan hubungan p-n dengan bias mundur.
• Tumbukan radiasi pada hubungan p-n menghasilkan sepasang elektron dan hole. Elektron
dan hole digerakkan oleh medan listrik dan nilainya dapat direkam berupa pulsa dengan
bantuan slat elektronik.
• Waktu yang dioperlukan untuk memproduksi semua muatan adalah dalam milisekon.
Cara kerja detektor berdasarkan pada sifat
sambungan antara tipe n dan tipe p.
• Pembawa arus utama dalam
semikonduktor tipe p adalah hole dan
dalam semikonduktor tipe n adalah I.
• Jika dipakai tegangan posotif untk tipe p
dan negatif pada tipe n, maka sambungan
p-n adalah bias maju,
Gambar 5. Proses bahan semikonduktor
• Jika dipakai tegangan positif untuk tipe n
dan bahan isolator
dan tegangan negatif untuk tipe p maka
akan menjadi bias mundur,
 C.TIPE-TIPE DETEKTOR SEMIKONDUKTOR

1.Detektor Surface Barrier

• Detektor Surface barrier digunakan untuk
mengukur radiasi alfa dan beta.
• Detektor ini memiliki lapisan jenis–p yang
sangat tipis, yang diletakan di atas lapisan
jenis–n.
• Detektor ini sangat efektif dalam pendeteksian
partikel bermuatan dan pemisahan tingkat
energi yang berbeda-beda (resolusi energi)
• Detektor surface barrier dapat memisahkan
tiga kelompok partikel alfa dengan energi
5,486 MeV, 5,443 MeV, dan 5,389 MeV
2.Detektor Diffused-Junction
• Detektor ini merupakan silicon dengan
kemurnian tinggi yang material dasarnya
adalah tipe p.
• Detektor ini sama dengan detector surface
barrier yang memiliki bentuk lapisan yang
tipis.
• Digunakan untuk mendeteksi partikel
bermuatan.
• Lapisan tipis silikon tipe-n terbentuk pada
bagian depan dari lapisan dengan
menerapkan senyawa fosfor ke permukaan,
lalu dipanaskan pada suhu sebesar dalam
Gambar 7. Detektor diffused-junction
waktu kurang dari satu jam.
2.Detektor Diffused-Junction
a.Detektor PIPS (Passivate Implant Planar Silicon) berguna untuk mengukur radiasi alfa
dan beta.
b.Detektor HPGe (High Purity Germanium) berguna untuk mengukur radiasi gamma.
c.Detektor LEGe (Low Energy Germanium Detektor) berguna untuk mengukur radiasi
Sinar-X dan gamma
3.Detektor SiLi (Silicon Lithium-Drifted)
• Detektor ini berguna untuk mengukur radiasi Sinar-X.
• Detektor jenis ini sama dengan detektor semikonduktor Ge(Li), namun memiliki kelebihan
yaitu detektor ini dapat disimpan pada temperature kamar tanpa menimbulkan kerusakan
pada kristal, dan dapat dioperasikan pada temperatur kamar.
• Sangat efisien untuk mengukur radiasi gamma yang memiliki energy yang rendah (kira-kira
kurang dari 150 keV) atau Sinar-X dan partikel beta atau elektron.
3.Detektor SiLi (Silicon Lithium-Drifted)
a. Detektor Germanium Lithium-Drifted [Ge (Li)] Detektor semikonduktor yang terbuat
dari bahan-bahan seperti silikon dan germanium, dapat ditambahkan ke dalamnya bahan
lithium.Detektor Ge(Li) merupakan detektor yang efisien dalam pengukuran radiasi gamma dan
memiliki resolusi energi yang baik.

b. Detektor CdTe dan Hgl2 membutuhkan volume detektor yang kecil. Meskipun volume
detektor kecil, akan tetapi efisiensinya cukup karena jumlah atomnya tinggi dari unsur-unsur
yang terlibat. Energi yang dibutuhkan untuk produksi pasangan elektron-hole lebih besar untuk
CdTe dan Hgl2 daripada SiLi dan Ge.
 D. BAHAYA RADIASI PADA DETEKTOR SEMIKONDUKTOR

Detektor semikonduktor akan mengalami kerusakan

setelah terkena radiasi. Jenis utama kerusakan
radiasi disebabkan oleh tumbukan partikel kejadian
dengan atom. Sebagai akibat dari tumbukan, atom
dapat dipindahkan ke posisi interstisial, sehingga
menciptakan pasangan pengantara yang dikenal
sebagai cacat Frenkel.
THANKS FOR YOUR LISTENING