KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR

Teori Pita (Band Theory) Kerusakan Dalam Struktur Kristal (Crystal Defect)

Model lautan elektron Ikatan Logam

2

TEORI PITA

Teori pita (Band Theory) ; untuk menjelaskan mengapa suatu zat dapat bersifat konduktor, semikonduktor atau insulator Landasan teori pita ; teori orbital molekul

3

dan 2p tetap terlokalisasi di sekeliling inti.Teori pita dapat menjelaskan mengapa logam “kehilangan” elektron valensinya ketika membentuk padatan Pita orbital 1s. 2s. Pita valensi 3s (berisi elektron valensi) terdelokalisasi berbatasan dengan orbital 3p yang kosong 4 .

Pita tersebut dipisahkan oleh pita kesenjangan (band gap). Orbital-orbital molekul tersebut saling berdekatan dan hampir kontinu.  Sejumlah orbital atom yang berasal dari sub kulit yang sama dan mempunyai tingkat energi hampir sama membentuk orbital molekul. yaitu pada tingkat energi di mana tak ada orbital (non bonding) 5 . Kelompok orbital molekul yang kontinu disebut pita (band).

6 .Teori Pita . Penerapan untuk Na Orbital-orbital s dari atom-atom Na dapat berinteraksi menghasilkan sejumlah N orbital molekul yang saling bertumpang tindih (overlapping) membentuk pita.

Diagram orbital Na Pita konduksi: 3s antibonding (kosong) Tak ada gap Pita valensi: 3s bonding (penuh) 7 .

Diagram Orbital Mg berdasarkan Teori Pita Pita konduksi: kosong Tak ada gap: konduktor Pita valensi: penuh Pita 3s saling bertumpangtindih dengan pita 3p yang kosong Konduktor 8 .

2s. Tingkat fermi juga merupakan lapisan batas dimana tak ada satupun elektron yang dapat melampaui lapisan. sehingga seluruh pita orbital molekul yang berenergi lebih rendah akan terisi penuh.Penjelasan       Magnesium mempunyai konfigurasi elektron 1s2 2s2 2p6 3s2 Orbital 1s. kecuali bila ada aliran energi yang cukup hingga elektron dapat mencapai pita konduksi. Pita valensi 3s (berisi elektron valensi) terdelokalisasi berbatasan dengan orbital 3p yang kosong Orbital 3p yang kosong disebut pita konduksi 9 . Pita 3s yang berisi penuh dengan 2 elektron disebut pita valensi Tingkat energi tertinggi dari pita valensi disebut tingkat fermi (energi fermi). Orbital atom 3s dari tiap atom Mg terisi 2 elektron. dan 2p tetap terlokalisasi di sekeliling inti.

10 .

Elektron dalam pita valensi bergerak ke segala arah secara acak. sehingga meningkat energi kinetiknya dan dapat pindah ke pita konduksi. jika dihubungkan dengan sumber arus. Terjadilah arus elektron melalui pita konduksi Hal yang sama terjadi pada Li dan Na. Namun. karena tidak ada arus elektron mengalir. serta logam lain yang bersifat konduktor 11 .Bagaimana Mg dapat menjadi konduktor yang baik ??? Pada magnesium : pita kosong 3p over lapping dengan pita valensi 3s yang penuh. elektronelektron yang berada di dekat tingkat Fermi mendapat gangguan medan listrik.

Insulator    Tak dapat menghantarkan listrik Kesenjangan (gap) energi yang besar antara pita valensi (yang berisi elektron valensi) dengan pita konduksi (kosong) mencegah insulator menghantarkan listrik. Kesenjangan (gap) itu disebut juga zona terlarang (forbidden zone) 12 .

13 .

67 eV Band gap Semiconductor 14 .5 eV 1.1 eV 0.Perbandingan Pita gap semikonduktor dan insulator Pita gap Intan Si Ge 5.

Contoh Non logam yang bersifat konduktor dan Insulator Grafit Intan Tak ada gap Pita gap = 5.5 eV ≈ 530 kJ/mol Konduktor Insulator 15 .

Semikonduktor   Konduktivitas rendah pada suhu kamar. karena eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi dapat terjadi setelah diberi energi Konduktivitas semikonduktor konduktor Suhu 16 . Konduktivitas listrik bertambah sesuai dengan kenaikan suhu. Hal ini karena adanya gap energi yang kecil antara pita valensi dan pita konduksi.

Contoh Semikonduktor : Si    Pada semua suhu di atas titik nol mutlak . semakin banyak elektron yang dapat tereksitasi ke pita konduksi. Kisi kristal akan mengalami perubahan karena ada perpindahan itu. sehingga meninggalkan lubang yang kekurangan elektron Pita energi Si 17 . beberapa elektron valensi kristal silikon memiliki probabilitas menyebrangi gap menuju pita konduksi (300 K) Pada suhu tinggi.

namun dengan jumlah elektron valensi yang berbeda.Doping Semikonduktor   Sifat listrik semikonduktor dapat diubah dengan menambahkan sejumlah atom yang berukuran hampir sama. 18 . yaitu semikonduktor tipe p dan semikonduktor tipe n. Ada dua jenis semikonduktor hasil doping. Pengubahan itu disebut doping.

Al atau Ga (akseptor elektron) ke dalam semikonduktor intrinsik (Si) menghasilkan defesiensi elektron valensi yang disebut ‘lubang’ (bermuatan positif) Defesiensi elektron atau lubang tersebut berada pada tingkat fermi.. Elektron pada pita valensi akan mengisi rongga tersebut. sehingga aliran elektron dapat mencapai pita konduksi 19 .Semikonduktor Tipe p    Semikonduktor tipe p diperoleh dengan cara mendoping atomatom yang bervalensi lebih rendah ke dalam semikonduktor Penambahan pengotor bervalensi tiga seperti B.

sehingga terjadi aliran elektron. 20 . Penambahan pengotor bervalensi lima seperti Sb. As atau P menyumbangkan elektron bebas (donor free elektron). Kekosongannya digantikan oleh elektron dari pita valensi. Akibatnya konduktifitas semikonduktor instrinsik bertambah. Elektron bebas itu berada pada tingkat fermi dan dapat masuk ke pita konduksi.Semikonduktor Tipe n    Semikonduktor tipe n diperoleh dengan cara mendoping atomatom bervalensi lebih tinggi ke dalam semikonduktor.

21 .

karena arus listrik dibawa oleh rongga bermuatan positif 22 . maka terjadi semiconductor tipe-n. maka terjadi semikonduktor jenis p. karena arus listrik dibawa oleh elektron Jika silikon didoping oleh boron.Efek Doping Silikon Oleh Posfor dan Boron Jika silikon didoping oleh Fosfor.

Rectifier adalah alat yang dapat mengalirkan arus listrik ke satu arah. Semikonduktor seperti itu dapat dibentuk langsung pada chip silikon dan banyak digunakan pada peralatan seperti komputer dan kalkulator Penggabungan semikonduktor tipe p dengan tipe-n menghasilkan gabungan p-n yang berfungsi sebagai rectifier. namun tidak ke arah sebaliknya 23 .Penggunaan Semikonduktor     Transistor dibuat dari semikonduktor jenis n dan p.

Gabungan p-n sebagai suatu rectifier. 24 .

25 . Elektron-elektron yang mengabsorpsi energi surya dapat bergerak melalui sambungan p-n sehingga menghasilkan arus listrik yang melalui kawat penghantar ((label “+” dan “-”).Batere silikon bertenaga sel surya atau solar sel adalah semikonduktor jenis p dan n yang ditumpuk bersama-sama.

Sel Photovoltaic 26 .

2.Kerusakan/Cacat Kisi (Lattice Defects)    Kerusakan/cacat kisi adalah penyimpangan kristal zat padat dari kisi sempurna Cacat kisi berpengaruh terhadap konduktivitas zat Cacat kisi dapat terjadi akibat : 1. 3. Pengotoran : Adanya ion atau atom asing di dalam bagian kisi. Frenkel defect: Adanya atom atau ion dalam ruang atau celah di antara bagian-bagian kisi (intersisi) akibat bermigrasi ke posisi tidak normal. Pengotoran dapat disengaja karena doping 27 . Schottky defects: Adanya bagian kisi yang tidak diisi atau dihuni.

Kerusakan Schottky Kerusakan Frenkel 28 .

Hampir semua elektrolit adalah larutan atau lelehan garam. tetapi beberapa elektrolit berupa zat padat dan zat padat kristalin.Pengaruh kerusakan kisi terhadap konduktivitas zat padat Elektrolit – suatu substansi yang menghantarkan listrik melalui gerakan ion. Nama yang diberikan untuk zat padat bersifat demikian adalah : -Elektrolit padat (solid elektrolytes) -Fast Ion conductor -Superionic conductor 29 .

Kerusakan Schottky Kerusakan Frenkel 30 .Cacat Kristal (Defects) Konduktivitas ionik hanya dapat terjadi jika ada cacat kristal. Dua jenis cacat (defect) adalah Schottky defect dan Frenkel defect.

Elektronik Marilah kita bandingkan sifat-sifat konduktor ion dengan konduktifitas elektronik pada logam Logam Rentang konduktivitas = 10 S/cm < σ < 105 S/cm Electron-elektron yang membawa arus listrik  Solid Electrolytes Rentang konduktivitas = 10-3 S/cm < σ < 10 S/cm Ion-ion yang membawa arus listrik  31 .Konduktivitas Ionik vs.

Migrasi Ion pada Schottky Defects Na Cl Cl Na Cl Na Cl 32 .

Ag Cl Ag1 Cl Ag Cl Ag Cl Cl Ag2 Ag Ag Cl Cl Ag Ag Ag Cl Ag1 Cl Ag Cl Cl Ag2 Ag Cl Direct Interstitial Jump Ag Cl Ag1 Cl Ag Cl Ag2 Ag Cl Ag Ag Cl Cl Ag Cl Cl Cl Ag Ag Ag2 Ag1 Ag 33 Cl Cl Ag Cl Interstitialcy Mechanism .Migrasi ion pada Frenkel Defect Frenkel defects pada AgCl dapat berpindah melalui dua mekanisme.

Penerapan Konduktor Ionik Ada sejumlah aplikasi praktis dari konduktor ionik yang semuanya berdasarkan sele. konduktor ionik diperlukan untuk elektrolit atau elektrode atau Anode untuk kedua-duanya. antara lain : Power Batere Sel Bahan Bakar Electrolyte Pada sel tersebut. Cathode 34 .→ Useful elektrokimia.

Diagram Sel Bahan bakar oksida padat 35 .

ulang Li 36 .

LiNiO2  LiMnO 2   Konduktor ion Li+ : Konduktor ion O2. Sr.:  PbF2 & AF2 (A = Ba. CaxZr1-x O2-x )  δ -Bi O 2 3  Perovskites (Ba In O . …) -x -y    Konduktor ion F.: Kristal kubus ZrO2 (YxZr1-x O2-x/2 . Na2Al16 O25 )  NASICON (Na Zr PSi O ) 3 2 2 1 2 LiCoO2. La 2 2 5 1 CaxMnO3 .Contoh Elektrolit Padat  Konduktor ion Ag+:  AgI & RbAg4I5  Konduktor ion Na+ :  natrium β -Alumina (contoh : NaAl11 O17 . Ca) 37 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful