Bipolar Junction Transistor

ET2006 - Elektronika Komunikasi

Program Studi Teknik Telekomunikasi

Sekolah Teknik Elektro dan Informatika
Institut Teknologi Bandung
 Silabus
• Materi yang akan dipelajari dalam bab Bipolar Junction Transistor :
– Transistor dan Pencatuan
• Transistor Tanpa Pencatuan
• Pencatuan Transistor
• Hubungan CE (Common Emitter)
– Kurva pada Transistor
• Kurva Basis
• Kurva Kolektor
– Pendekatan Transistor
– Membaca Data Sheet Transitor
– Surface Mount Transistor

2
 Transistor Tanpa Pencatuan
• Struktur transistor

N kolektor N

depletion
layer

P basis P

depletion
layer

N emitor N

sebelum difusi setelah difusi

3
 Pencatuan Transistor
• Aliran elekton pada transistor tercatu

RC RC
n n
RB RB
p VCE p VCE

VBE n VCC VBE n VCC

VBB VBB

Elektron bebas dari emitor akan mengalir

ke basis. Jika VBB lebih besar dari RC
tegangan barrier emitor-basis, elektron n
dari daerah emitor masuk ke daerah RB
basis. Kemudian elektron tersebut akan p VCE
mengalir ke daerah kolektor untuk VBE n VCC
menuju ke terminal positif VCC.
IC
Penguatan arus transistor  dc  
IB 4
 Hubungan CE (Common Emitter)
• Jenis hubungan yang terdapat pada suatu transistor:
•CE  Common Emitter VBE  VB  VE
•CB  Common Base
VCE  VC  VE
•CC  Common Collector
VCB  VC  VB
RC RC
+VC
RB RB
VCE
+VB
VBE VCC VCC
+VE
VBB VBB

VBB adalah sumber tegangan DC pada basis

VBE  VB
VCC adalah sumber tegangan DC pada kolektor
VCE  VC
VBE adalah tegangan DC antara basis dan emitor
VCB  VC  VB
VCE adalah tegangan DC antara kolektor dan emitor
5
 Kurva Basis dan Kolektor
• Kurva Basis
IB VBB  VBE
IB 
100k RB
100k IB  ?

IB 10V

0.7V 2V VCE  VCC  I C RC

VBE
PD  VCE I C
• Kurva Kolektor IC
IB = 30A
daerah IC 3mA
saturasi daerah aktif IB = 20A
daerah 2mA
IB = 10A breakdown IB = 10A
1mA 1mA
VCE IB = 0 VCE

1V 40V 1V 40V 6
 Pendekatan Transistor
• Rangkaian pengganti transistor 3k6
dc = 100
470k
VCE rangkaian
VBE dasar
15V
15V

 dc I B Contoh:
pendekatan Hitung IB, IC, VCE dan IE
VBE= 0V VCE ideal untuk pendekatan ideal
ideal dan pendekatan kedua.
VBB  VBE
IB 
RB
 dc I B I C   dc I B
pendekatan
VBE= 0.7V VCE kedua VCE  VCC  I C RC
kedua
I E  I B  IC
7
 Membaca Data Sheet Transistor
• Data sheet http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/fairchild/2N3904.pdf

8
 Membaca Data Sheet Transistor
• Data sheet http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/fairchild/2N3904.pdf

9
 Surface Mount Transistor
• Beberapa contoh surface mount transistor

10
 Latihan Soal
1. Untuk rangkaian di samping:
– jika dc turun menjadi 100, berapa arus basis? 820
– Jika resistor 470k mempunyai toleransi 5%,
dc = 200
berapa maksimum arus basis yang mengalir? 470k
– berapa VCE jika sumber tegangan kolektor
diganti menjadi 20V, resistor kolektor diganti
menjadi 1k dan IC = 6mA? 10V
– berapa daya yang didisipasikan transistor, jika 10V
IC = 100mA dan VCE = 3,5V?
2. Dengan menggunakan pendekatan ideal dan kedua, +5V +15V
berapa VCE dan daya yang didisipasikan oleh
330k 1k2
transistor pada rangkaian di samping.
3. Rancang suatu rangkaian CE dengan sebuah
transistor untuk memenuhi spesifikasi berikut: VBB =
5V, VCC = 15V, hFE = 120, IC = 10mA, dan VCE = 7,5V.

dc = 150

11