Progam Studi Fisika

Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam

Universitas Sebelas Maret
Surakarta

MOS
CAPACIT
OR Oleh : Latifah Firdhaus ‘Aini
 PENGERTIAN

Metal-Oxide Semiconductor Capacitor (MOS Capacitor) adalah perangkat dua

terminal yang terdiri dari tiga lapisan : elektroda metal gate, insulator film
(SiO2), dan lapisan semikonduktor (substrat). Metal merupakan lapisan
polisilikon n+ yang didoping berat. Metal bertindak sebagai salah satu pelat
kapasitor dan lapisan semikonduktor yang mungkin tipe-n atau tipe-p bertindak
sebagai pelat lain.
Kapasitansi MOS Capasitor tergantung pada tegangan yang diberikan di terminal
gate. Biasanya body (substrat) mengalami ground ketika tegangan gate diterapkan.

Gambar 1
Struktur MOS Capacitor
 Kondisi Flat Band

Kondisi flat-band adalah kondisi bias khusus dimana pita energi (Ec dan Ev) substrat
datar pada antarmuka Si-SiO2 pada gambar 2. Kondisi ini dicapai dengan
menerapkan tegangan negatif ke gerbang pada Gambar 3b

Gambar 2 Gambar 3
 Tegangan Flat Band

Tegangan flat-band adalah tegangan dimana tidak muatan pada pelat kapasitor dan
karenanya tidak ada medan listrik statis melintasi oksida. Tegangan gate positif yang
diterapkan lebih besar dari tegangan pita datar (Vgb > Vfb) maka muatan positif
diiduksi pada metal gate (polisilikon) dan muatan negatif.

Gambar 4
 Surface Accumulation
Surface Accumulation adalah satu-satunya elektron bermuatan negatif tersedia
sebagai muatan negatif dan terakumulasi dipermukaan. Jika tegangan gate yang
diterapkan lebih rendah dari tegangan flat band (Vgb < Vfb) maka muatan negatif
diinduksi pada antarmuka antara gerbang poli-silikon dan oksida dan muatan positif
dalam semikonduktor

Gambar 5
Surface Accumulation
 MOS Capacitor
Accumulation Mod
Play the video
 Surface Depletion

Surface Depletion hanya mungkin terjadi dengan mendorong eleyron bermuatan

negatif menjauh dari permukaan yang memperlihatkan mauatan positif tetap dari
donors.

Gambar 6
Surface Depletion
 MOS Capacitor
Depletion Mode
Play the video
 Threshold Condition

Threshold seringkali didefiniskan sebagai kondisi ketika permukaan konsentrasi

elektron ns sama dengan konsentrasi dopping massal Na

Gambar 7
Threshold Condition
 Threshold Voltage

Tegangan Threshold adalah salah satu parameter penting yang ditunjukan dalam
perangkat semikonduktor isolator logam. Tgangan Threshold diubah jika kondisi
permukaan pada antarmuka oksida semikonduktor dan berbeda dalam lapisan
berinsulasi. Dengan ini sub-threshold batas tumpang tindih dengan tegangan
threshold dan pembawa yang dapat dipindahkan secara eksponensial dengan
kenaikan tegangan yang diterapkan

Gambar 8
Threshold Voltage
 Inversion Beyond Threshold

Inversion adalah tegangan gate positif di atas tegangan threshold, lapisan inversion
permukaan elektron terbentuk di lapisan sempit di dekat antarmuka. Lapisan
inversion konduktor ini dipisahkan dari curah netral tipe-p oleh lapisan insulting
depletion dari muatan accepptor yang tidak bergerak.

Gambar 8
Threshold Voltage
Inversion adalah tegangan gate positif di atas tegangan threshold, lapisan inversion
permukaan elektron terbentuk di lapisan sempit di dekat antarmuka. Lapisan
inversion konduktor ini dipisahkan dari curah netral tipe-p oleh lapisan insulting
depletion dari muatan accepptor yang tidak bergerak.

Gambar 8
Threshold Voltage
 MOS Capacitor
Inversion Mode
Play the video
Kapasitor MOS sendiri bukanlah perangkat yang banyak digunakan. Namun, ini
adalah bagian dari transistor MOS yang sejauh ini merupakan perangkat
semikonduktor yang paling banyak digunakan. Karakteristik tegangan kapasitansi
khas dari kapasitor MOS dengan bodi tipe-n diberikan di bawah ini,

Kapasitansi vs. Diagram Tegangan Gate (CV) dari MOS Capacitor Tegangan flat-
band (Vfb) memisahkan wilayah Akumulation dari wilayah Depletion. Tegangan
threshold (Vth) memisahkan daerah depletion dari daerah inversi.
TERIMA KASIH
latifahfirdha53@student.uns.ac.id