Introduccin: tipos de transistores Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor tipo PNP Transistor tipo NPN Caractersticas elctricas de un transistor bipolar Conclusiones
TRANSISTORES
+ +
+ + +
+ +
P
Concentracin de huecos
+ -
Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda
El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR
Base Emisor
Colector
Transistor PNP
P N P
El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables
Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones. En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
Base Emisor
Colector
Transistor NPN
N P N
La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.
Principio de funcionamiento del transistor bipolar Conclusiones: Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1)La zona de Base debe ser muy estrecha. 2)El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C NP B N+ E
VCB + VBE IB -
+ VBE -
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.
+ VBE -
VCE
La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.
h2
Caudal
Apertura
h1 - h 2
h1
Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IC IB IC (mA)
40 30 20 10
+ VCE -
+ VBE -
Zona de saturacin
Zona de corte
El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del transistor es la ganancia de corriente .
Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
IC IB IB Ideal VCE
+ VCE -
+ VBE -
VBE
La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas anteriormente.
Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC IC + VBE IB + VCE -
Zona activa
VBE
+ -
IB
+ VCE -
IB IC
IC
Zona de saturacin
IB VBE
+ -
IB
VCE
Zona de corte
VBE
+ -
IB
VEB
Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.
VEB +
VEC
La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB.
IB
VCE = 0 V CE1 V CE2
Avalancha Secundaria
VBE
1V
Caracterstica de Entrada
Caracterstica de Salida
Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC IC-MAX VCE-MAX PMAX VCE-SAT HFE Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin Ganancia PMAX ICMAX B E C
SOAR
VCE-MAX VCE
T O S H IB A
Conclusiones
Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos. Recurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es ms rpido que el PNP en igualdad de condiciones. Existen 3 zonas en las que un transistor puede operar, las cuales son: Corte Saturacin Lineal o activa.