1

DIODA IDEAL
Karakteristik arus tegangan
Gambar 1. Dioda ideal: (a) simbol rangkaian dioda; (b) karakteristik i v;
(c) rangkaian ekivalen arah reverse; (d) rangkaian ekivalen arah forward
2
Gambar 1(a) adalah simbol dari dioda; gambar 1(b) adalah
karakteristik arus tegangan.
Terminal positif dari dioda disebut anoda dan terminal negatif
disebut katoda.
Jika tegangan negatif dipasangkan pada dioda, tidak ada arus yang
mengalir; dioda seperti hubung terbuka (gambar 1(c)). Keadaan ini
disebut reverse biased.
Jika tegangan positif dipasangkan pada dioda, tidak ada penurunan
tegangan pada dioda; dioda seperti hubung singkat (gambar 1(d)).
Keadaan ini disebut forward biased.
Untuk membatasi arus pada dioda, diperlukan rangkaian luar seperti
pada gambar 2.
3
Gambar 2. Dua mode operasi dioda ideal dan penggunaan
rangkaian luar untuk membatasi arus (a) dan tegangan reverse (b)
4
Aplikasi sederhana dari dioda.
Penyearah:
Rangkaian terdiri dari sebuah dioda dan sebuah resistor (gambar
3(a)). Tegangan masukan v
i
adalah tegangan sinusoida (gambar
3(b)).
Selama setengah gelombang positif dari sinyal masukan, dioda
dalam keadaan forward biased. Penurunan tegangan pada dioda
kecil sekali, idealnya nol. Rangkaian penggantinya seperti terlihat
pada gambar 3(c). Tegangan keluaran sama dengan tegangan
masukan.
Selama setengah gelombang negatif dari sinyal masukan, dioda
tidak terhubung (reverse biased). Rangkaian penggantinya seperti
terlihat pada gambar 3(d). Tegangan keluaran sama dengan nol.
Tegangan keluaran terlihat pada gambar 3(e).
5
Figure 3 (a) Rangkaian penyearah. (b) Bentuk gelombang masukan. (c) Rangkaian ekivalen
ketika v
I
u 0. (d) Rangkaian ekivalen ketika v
I
0. (e) Bentuk gelombang keluaran.
6
Contoh soal 1:
Gambar 4(a) menunjukkan sebuah rangkaian untuk mengisi sebuah
batere 12 V. Jika v
s
adalah sebuah gelombang sinusoida yang
mempunyai amplitudo 24 V, carilah bagian dari setiap perioda
dimana dioda terkonduksi. Hitung juga harga puncak arus dioda dan
harga maksimum tegangan balik yang muncul pada terminal dioda
Gambar 4. Rangkaian dan bentuk gelombang contoh soal 1
7
Jawab:
Dioda terkonduksi ketika v
s
melebihi 12 V, seperti yang terlihat pada
gambar 4(a). Sudut konduksi = 2, dimana:
24 cos = 12
Jadi = 60 dan sudut konduksi = 120, atau sepertiga dari perioda.
Harga puncak dari arus dioda:
A 12 , 0
100
12 24
!

!
d
I
Harga tegangan balik yang muncul pada terminal dioda terjadi pada
saat v
s
mencapai harga puncak negatif dan sama dengan
24 +12 = 36 V
8
Gerbang logik dioda
Figure 5. Gerbang logik dioda: (a) Gerbang OR; (b) Gerbang AND (dalam
sistem logik positif).
9
Contoh soal 2:
Asumsikan dioda adalah dioda ideal, carilah harga I dan B dari
rangkaian pada gambar 6.
Gambar 4. Rangkaian dan bentuk gelombang contoh soal 2
10
Jawab:
Dalam menyelesaikan soal, pertama buat asumsi, kemudian buat
analisis berdasarkan asumsi ini dan periksa apakah asumsi ini
benar.
Untuk rangkaian pada gambar 6(a), asumsikan kedua dioda
terkonduksi V
B
= 0 dan V = 0, maka arus melalui D
2:
mA 1
10
0 10
2
!

!
D
I
Persamaan simpul pada B:
)
5
10 0
1

! I
Jadi I = 1 mA dan V = 0V
11
Untuk rangkaian pada gambar 6(b), asumsikan kedua dioda
terkonduksi, maka V
B
= 0 dan V = 0. Arus pada D
2:
mA 2
5
0 10
2
!

!
D
I
Persamaan simpul pada B:
)
mA
0
0 0
2
=

= +
I
I
Asumsi awal kita salah.
Ulangi lagi, asumsikan D
1
off dan I
2
on. Arus I
D2
)
mA 33 ,
5
0 0
2
=

=
D
I
12
Dan tegangan pada B:
V
B
= -10 + 10 X 1,33 = +3,3 V
Karakteristik terminal dari dioda
Gambar 7 menunjukkan karakteristik terminal dari dioda.
Kurva karakteristik terbagi dalam tiga daerah:
1. daerah forward-bias, ditentukan oleh v > 0
2. daerah reverse-bias, ditentukan oleh v < 0
3. daerah breakdown, ditentukan oleh v < -V
ZK
13
Gambar 7. Karakteristik arus tegangan sebuah dioda silikon
14
Gambar 8. Hubungan arus tegangan sebuah dioda dengan sebagian
skala diperbesar dan sebagian lainnya diperkecil
15
Daerah forward-bias
Hubungan arus tegangan pada daerah forward bias:
coulomb 10 1,60 elektron muatan
kel in dera at dalam mutlak temperatur
in oule/kel 10 1,38 oltzmann konstanta
(2)
enuh arus
(1) ) 1 (
19 -
23 -
/
v = =
=
v = =
=
=
=
q
T
k
q
kT
V
I
e I i
T
S
nV v
S
T
I
S
disebut juga arus skala yang berbanding lurus dengan luas
permukaan junction dari sebuah dioda. Arus ini merupakan fungsi
dari suhu.
I
S
berlipat dua setiap kenaikan suhu 5C.
Pada suhu kamar, harga V
T
adalah 25,2 mV.
Pada persamaan dioda, harga n berkisar antara 1 dan 2, tergantung
dari bahan dan struktur fisik dari dioda.
16
(4) ln
(3)
Untuk
/
S
T
nV v
S
S
I
i
nV v
I i
I i
T
!
$
""
Hubungan arus tegangan dari dua buah dioda yang berbeda
(5) log 3 , 2
ln
;
1
2
1 2
1
2
1 2
/ ) (
1
2
/
2
/
1
1 2
2 1
I
I
nV V V
I
I
nV V V
e
I
I
e I I e I I
T
T
nV V V
nV V
S
nV V
S
T
T T
!
!
!
! !

17
Persamaan (5) menunjukkan bahwa untuk perubahan arus 10 kali,
penurunan tegangan pada dioda akan berubah sebesar 2,3nV
T
yang
kira-kira sama dengan 60 mV untuk n = 1 dan 120 mV untuk n = 2.
Pada gambar 8 terlihat, pada daerah forward bias, arus sangat kecil
untuk tegangan lebih kecil dari 0,5 V. Harga ini disebut tegangan cut-
in.
Agar dioda benar-benar terhubung, penurunan tegangan pada dioda
antara 0,6 V 0,8 V. Umumnya penurunan tegangan pada dioda kira-
kira 0,7 V.
Karena I
S
dan V
T
merupakan fungsi dari temperatur, karakteristik arus
tegangan forward akan berubah dengan adanya perubahan suhu.
(lihat gambar 8).
Untuk arus dioda yang tetap, penurunan tegangan pada dioda
menurun kira-kira 2 mV untuk setiap kenaikan suhu 1C.
Perubahan tegangan dioda karena suhu, dapat dipakai dalam
perancangan termometer elektronik.
18
Gambar 9. Pengaruh suhu pada karakteristik arus tegangan pada dioda di
daerah forward bias.
19
Daerah reverse bias
Dari persamaan (1), jika v negatif dan harganya beberapa kali
lebih besar dari V
T
(25 mV), arus dioda menjadi:
i -I
S
Pada kenyataannya besarnya arus pada daerah reverse bias jauh
lebih besar dari arus jenuh. Jika sebuah dioda mempunyai arus
jenuh pada orde antara 10
-15
A 10
-14
A, arus balik pada orde 1
nA. Arus inipun meningkat dengan meningkatnya tegangan balik.
Sebagian besar dari arus balik ini karena efek kebocoran. Arus
kebocoran berbanding lurus dengan luas junction.
Arus menjadi dua kali pada setiap kenaikan suhu 10C.
20
Daerah breakdown
Dioda memasuki daerah breakdown, jika besaran tegangan balik
melebihi tegangan ambang dari sebuah dioda, yang disebut
tegangan breakdown, V
ZK
.
Pada daerah breakdown, arus balik meningkat secara cepat dengan
perubahan tegangan yang sangat kecil.
Tegangan breakdown tidak merusak dioda, jika daya disipasi
dibatasi pada level aman oleh rangkaian luar.
Hubungan arus tegangan pada daerah breakdown hampir
merupakan garis vertikal. Karakteristik ini dapat dipakai dalam
pengatur tegangan.
21
Pemodelan karakteristik dioda pada daerah forward bias
Gambar 10. Rangkaian sederhana yang digunakan untuk menganalisis
dioda dalam keadaan forward bias.
22
Model eksponensial
Ini adalah model yang paling akurat dan merupakan yang paling
sukar digunakan.
Perhatikan gambar 10. Asumsikan V
DD
> 0,5 V, arus dioda >> I
S
,
hubungan arus dan tegangan dinyatakan dalam persamaan (6).
(6)
/
T D
nV V
S D
e I I !
Berdasarkan persamaan loop Kirchhoff:
(7)
R
V V
I
D DD
D

=
Asumsikan parameter dioda n dan I
S
diketahui, persamaan (6) dan
(7) adalah dua persamaan dengan dua nilai yang tidak diketahui, I
D
dan V
D
. Dua cara untuk menyelesaikannya adalah dengan analisis
grafik dan analisis iteratif.
23
Analisis grafik menggunakan model eksponensial
Gambar 11. Analisis grafik dari rangkaian pada gambar 9 menggunakan
model eksponensial
24
Analisis iterative menggunakan model eksponensial
Contoh soal 3:
Tentukan arus I
D
dan tegangan dioda V
D
pada rangkaian di atas
dengan V
DD
= 5 V dan R = 1k.
Asumsikan dioda mempunyai arus 0,1 mA pada tegangan 0,7V dan
tegangan menurun 0,1V setiap kenaikan arus 10 kali.
Jawab:
Asumsikan V
D
= 0,7 V dan gunakan persamaan (7) untuk
menentukan arus:
mA ,3 4
1
7 , 0 5
!

!
R
V V
I
D DD
D
25
Gunakan persamaan (5) untuk mendapatkan harga yang lebih baik
1
2
1 2
log 3 , 2
I
I
nV V V
T
!
Pada kasus ini 2,3nV
T
= 0,1 V, maka
1
2
1 2
log 1 , 0
I
I
V V !
Gantikan V
1
= 0,7 V, I
1
= 1 mA dan I
2
= 4,3 mA menghasilkan V
2
=
0,763 V
Iterasi pertama menghasilkan I
D
= 4,3 mA dan V
D
= 0,763 V.
Iterasi kedua dengan menggunakan cara yang sama menghasilkan:
V 0,762
3 , 4
4,237
l g 1 , 0 763 , 0
mA 237 , 4
1
763 , 0 5
2
=

+ =
=

=
V
I
D
26
Model garis lurus
Kurva eksponensial didekati dengan dua buah garis lurus, garis A
mempunyai kemiringan sama dengan nol dan garis B mempunyai
kemiringan 1/r
D
i
D
= 0, v
D
V
D0
(8)
i
D
= (v
D
V
D0
)/r
D
, v
D
V
D0
Gambar 12. Model garis lurus.
27
Rangkaian pengganti model garis lurus terlihat pada gambar 12.
Model ini dikenal juga dengan model batere-ditambah-resistansi
Gambar 13. Model garis lurus dari karakteristik dioda di daerah forward dan
rangkaian ekivalennya.
28
Contoh soal 4:
Ulangi soal pada contoh soal 3 menggunakan model garis lurus
dengan parameter yang diberikan pada gambar 12: V
D0
= 0,65 V
dan r
D
= 20 .
Jawab:
Rangkaian pengganti terlihat pada gambar 14:
Gambar 14. Rangkaian pengganti dengan model garis lurus.
29
735 , 0 02 , 0 26 , 4 65 , 0
mA 26 , 4
02 , 0
65 , 0 5
0
0
= v + =
+ =
=
+

=
+

=
D D D D
D
D
D DD
D
r I V V
I
r R
V V
I
30
Model Penurunan Tegangan Konstan
Kurva eksponensial didekati dengan dua buah garis lurus, garis A
mempunyai kemiringan sama dengan nol dan garis B yang vertikal.
Gambar 15. Model penurunan tegangan konstan
31
Gambar 16. Model karakteristik dioda dan rangkaian ekivalennya.
32
Untuk rangkaian pada contoh soal 3 dan 4, jika diselesaikan dengan
menggunakan model penurunan tegangan tetap, akan diperoleh:
V
D
= 0,7 V
mA 3 , 4
1
7 , 0 5
7 , 0
!

!
D
DD
D
I
R
V
I
Model dioda ideal
Untuk aplikasi yang melibatkan tegangan jauh lebih besar dari
penurunan tegangan dioda (0,6 0,8 V), dapat digunakan model
dioda ideal. Untuk contoh yang sama akan diperoleh:
V
D
= 0 V
mA 5
0
=

=
R
V
I
DD
D
33
Model sinyal kecil
Gambar 17. Rangkaian pengganti model sinyal kecil dan karakteristik arus -
tegangan
34
Dioda dimodelkan dengan sebuah resistor yang berbanding
terbalik dengan tan
-1
dari sudut pada titik prategangan pada
kurva hubungan arus tegangan.
Lihat gambar 17a. Dioda dicatu dengan sumber tegangan dc,
V
D
, dan sinyal ac, v
d
(t).
Tanpa sinyal v
d
(t), tegangan dioda sama dengan V
D
.
Arus dioda:
(9)
/
T D
nV v
S D
e I I =
Dengan adanya sinyal v
d
(t), tegangan sesaat pada dioda:
v
D
(t) = V
D
+ v
d
(t) (10)
35
Arus dioda sesaat menjadi:
( 2) ) (
) (
) (
( ) ) (
/
/ /
/ ) (
/
T d
T d T D
T d D
T D
nV v
D D
nV v nV v
S D
nV v V
S D
nV v
S
e I t i
e e I t i
e I t i
e I t i
=
=
=
=
+
Jika amplitudo sinyal v
d
(t) cukup kecil:
( 3)
T
d
nV
v
Maka:

( 4) ) (

+ =
d
T
D
D D
v
nV
I
I t i
36
Ini disebut pendekatan sinyal kecil dan berlaku untuk sinyal yang
mempunyai amplitudo kira-kira 10 mV. (Ingat V
T
= 25 mV)
Dari persamaan 10 diperoleh:
(15) ) (
d
T
D
D D
v
nV
I
I t i + =
Jadi penumpangan pada arus dc I
D
, diperoleh komponen arus
sinyal yang proporsional dengan tegangan sinyal v
d
(t):
i
D
= I
D
+ i
d
(16)
Dimana
(17) ) (
d
T
D
d
v
nV
I
t i !
37
Konduktansi sinyal kecil dioda:
T
D
d
nV
I
g !
Resistansi sinyal kecil dioda:
( 8)
D
T
d
I
nV
r =
Resistansi sinyal kecil dioda berbanding terbalik dengan arus
prategangan I
D
. Dan hargai ini merupakan kebalikan harga
kemiringan pada titik kerja Q
( 9) /
D D
I i
D
D
d
v
i
r
=

=
Keuntungan menggunakan model ini: analisis sinyal kecil dapat
dipisahkan dari analisis bias dc.
38
Contoh soal 5:
Pada rangkaian pada gambar 18(a), R = 10k. Catu daya V
+
mempunyai harga dc = 10 V yang ditumpangi sinyal ac 60 Hz
dengan amplitudo = 1 V. (sinyal ini dikenal dengan power-supply
ripple. Hitunglah tegangan dc pada dioda dan amplitudo dari
gelombang sinusoida yang muncul pada dioda. Asumsikan dioda
mempunyai penurunan tegangan 0,7 V pada arus 1 mA dan n = 2.
Jawab:
V 35 , 5
0583 , 0 10
0583 , 0
1
) puncak (
8 , 53
93 , 0
25 2
mA 93 , 0
10
7 , 0 10
=
+
=
+
=
O =
v
= =
=

d D
d
s
d
D
T
d
D
r R
r
V v
I
nV
r
I
39
Gambar 18. (a) Rangkaian contoh soal 5, (b) rangkaian untuk menghitung
titik kerja dc, (c) rangkaian ekivalen sinyal kecil.
40
Penggunaan dioda untuk mengatur tegangan
Pengatur tegangan adalah sebuah rangkaian yang tujuannya
adalah menyediakan tegangan dc yang konstan pada terminal
keluarannya,walaupun:
1. Adanya perubahan arus yang diambil dari terminal keluaran
pengatur tegangan.
2. Adanya perubahan catu daya dc pada rangkaian pengatur
tegangan.
Contoh soal 6:
Perhatikan rangkaian pada gambar 19. 3 buah dioda
dihubungkan seri digunakan untuk mendapatkan tegangan
tetap 2,1 V.
Hitung prosentase perubahan pada pengatur tegangan yang
disebabkan oleh:
a. Perubahan pada catu daya sebesar 10%
b. Terhubung ke beban yang beresistansi 10 k
Asumsikan n=2
41
Gambar 19. Rangkaian untuk contoh soal 6
42
Jawab:
Tanpa beban, harga arus nominal pada dioda:
mA 9 , 7
, 2 10
=

= I
Setiap dioda mempunyai resistansi sinyal kecil:
I
nV
r
T
d
!
Untuk n = 2
; !
v
! 3 , 6
9 , 7
25 2
d
r
Untuk ketiga dioda, resistansi sinyal kecil:
r = 3 r
d
= 18,9
43
1 , 37
1 0189 , 0
0189 , 0
2 2 =
+
=
+
= A
R r
r
v
O
Dengan adanya perubahan 10% pada catu daya, perubahan pada
tegangan keluaran = 18,5% atau 0,9%.
Karena perubahan ini kira-kira = 6,2 mV per dioda, maka
penggunakan model dioda sinyal kecil dapat dibenarkan.
Ketika beban 1 k dihubungkan ke rangkaian dioda, beban ini akan
mengambil arus 2,1mA. Akibatnya akan ada penurunan tegangan
pada dioda sebanyak:
v
O
= -2,1 x r = -2,1 x 18,9 = -39,7 mV
Penurunan pada setiap dioda kira-kira 13,2 mV, pemakaian model
sinyal kecil tidak sepenuhnya valid.
44
Ringkasan:
Model eksponensial
2 n untuk mV 120 3 , 2
1 n untuk mV 60 3 , 2
log 3 , 2
log 3 , 2
1
2
1 2
/
! !
! !

!
!
T
T
D
D
T D D
S
D
T D
nV v
S D
nV
nV
I
i
nV V V
I
i
nV v
e I i
T D
Catatan:
I
S
= 10
-12
A - 10
-15
A
tergantung dari luas
junction
V
T
25 mV
n = 1 sampai 2
Model yang paling akurat
45
Model garis lurus
Untuk v
D
V
D0
:
i
D
= 0
Untuk v
D
V
D0
:
i
D
= (v
D
V
D0
)/r
D
46
Model penurunan tegangan yang konstan
Untuk i
D
> 0 : v
D
= 0,7 V
47
Model Dioda Ideal
Untuk i
D
> 0 : v
D
= 0
48
Model Sinyal Kecil
Untuk sinyal kecil yang
ditumpangkan pada V
D
dan I
D
:
i
d
= v
d
/r
d
r
d
= nV
T
/I
D
(Untuk n=1, v
d
maks = 5 mV
Untuk n=2, v
d
maks = 10 mV)
Catatan:
Berguna untuk
mencari komponen
tegangan dari dioda
Dipakai sebagai
dasar pemodelan
sinyal kecil transistor
49
Dioda Zener
Gambar 20. Simbol rangkaian
Dioda Zener
Gambar 21. Karakteristik i v dioda
pada daerah breakdown
50
Pada grafik karakteristik i v terlihat bahwa pada arus lebih besar dari
knee current, kurva hampir merupakan garis lurus.
Data yang diberikan oleh pabrik biasanya menunjukkan tegangan
dioda zener V
Z
pada arus test I
ZT
. Pada grafik terlihat pada titik Q.
Jika arus bergeser dari arus test I
ZT
, tegangan pada dioda akan sedikit
berubah.
I r V
Z
( ! (
r
Z
adalah kebalikan dari kemiringan garis singgung pada titik Q.
r
Z
dikenal juga dengan incremental resistance atau dynamic
resistance. Harga r
Z
berkisar antara beberapa ohm sampai
beberapa kilo ohm.
Pada data yang diberikan oleh pabrik selain V
Z
, I
ZT
, r
Z
dan I
ZK
, juga
ada data mengenai daya disipasi maksimum.
51
Gambar 22. Model dioda zener
V
Z
= V
Z0
+ r
Z
I
Z
(20)
Berlaku untuk I
Z
> I
ZK
52
Contoh soal 7:
Penggunaan dioda zener sebagai shunt regulator
Sebuah dioda zener mempunyai spesifikasi: V
Z
= 6,8 V pada I
Z
=
5 mA, r
Z
= 20 dan I
ZK
= 0,2 mA. Tegangan sumber V+ = 10 V
dengan penyimpangan 1 V. Carilah:
a. V
O
jika tidak ada beban dan V
+
pada harga nominal
b. Perubahan harga V
O
jika ada perubahan 1 V pada V
+
.
(V
O
/V
+
disebut line regulation)
c. Perubahan pada V
O
jika terhubung pada beban R
L
yang
menghasilkan arus I
L
= 1 mA. (V
O
/I
L
disebut load regulation)
d. Harga V
O
jika R
L
= 2 k
e. Harga V
O
jika R
L
= 0,5 k
f. Harga R
L
minimum agar dioda masih bekerja di daerah
breakdown.
53
Gambar 23. (a) rangkaian contoh soal 7. (b) rangkaian dengan rangkaian
pengganti dioda zener.
54
Jawab:
Tentukan harga V
Z0
dari dioda zener.
V
Z
= V
Z0
+ r
z
I
Z
V
Z0
= 6,8V 20 x 5mA = 6,7 V
a. Tanpa beban:
V 6,83 0,02 6,35 6,7

mA 35 , 6
02 , 0 5 , 0
7 , 6 10

0
0
! v !
! @
!

! !

z Z Z O
z
Z
Z
r I V V
r R
V V
I I
55
b. Untuk perubahan 1V pada V
+
, perubahan pada tegangan keluaran:
mV 5 , 38
20 500
20
1 s !

v s !

( ! (

z
z
O
r R
r
V V
Line regulation = 38,5 mV
c. Terhubung dengan beban R
L
yang menarik arus I
L
= 1 mA, arus
pada zener menurun 1 mA.
mV/mA 20 regulation Load
mV 20 1 20
=
A
A

= v =
A = A
L
O
Z z O
I
V
I r V
56
d. Ketika dihubungkan dengan beban 2 k

mV 68 4 , 3 20
mA 4 , 3
mA 4 , 3
k 2
V 8 , 6
= v = A = A
= A
=
O
=
Z z O
Z
L
I r V
I
I
Perhitungan ini hanya pendekatan, karena tidak mengabaikan
perubahan arus I. untuk mendapatkan hasil yang lebih akurat
dapat menggunakan rangkaian pengganti pada gambar 23(b).
Analisis ini menghasilkan V
O
= 70 mV
57
e. Untuk R
L
= 0,5 k
mA 6 , 13
5 , 0
8 , 6
= =
L
I
Hal ini tidak mungkin karena arus I yang melalui R hanya 6,4 mA
(V
+
=10 V), akibatnya zener cut off. Maka tegangan V
O
akan
ditentukan dengan menggunakan pembagian tegangan antara R
dan R
L
.
V 5
5 , 0 5 , 0
5 , 0
10 !

!

R R
R
V V
L
L
O
Tegangan ini lebih kecil dari tegangan breakdown, artinya dioda
tidak bekerja pada daerah breakdown
58
f. Agar zener tetap bekerja pada daerah breakdown.
)
; } ! @
!
!

!
} }
! !
k 5 , 1
4,4
6,7

mA 4 , 4 2 , 0 6 , 4 : beban pada arus
mA 6 , 4
5 , 0
7 6 9
pada arus
mV 7 , 6
mA 2 , 0
L
ZK Z
ZK Z
R
,
R
V V
I I
59
Efek suhu
Ketergantungan tegangan zener pada suhu ditentukan dengan
koefisien suhu atau TC atau temco yang dinyatakan dengan mV/C.
Harga TC tergantung dari:
Tegangan zener
Arus operasi
V
Z
< 5 V TC yang negatif,
V
Z
> 5 V TC yang positif.
TC dari sebuah dioda zener yang mempunyai V
Z
= 5 V dapat dibuat
0 dengan mengoperasikan dioda pada arus tertentu.
Untuk mendapatkan tegangan rujukan yang mempunyai TC rendah
adalah dengan menghubungkan dioda zener yang mempunyai TC
positif kira-kira 2 mV/C secara seri dengan dioda yang bekerja di
daerah forward. Dioda yang bekerja di daerah forward mempunyai
penurunan tegangan 0,7 V dan mempunyai TC -2 mV/C.
Hubungan ini mempunyai tegangan (V
Z
+ 0,7) dengan TC = 0
60
Rangkaian penyearah
Gambar 24. Diagram blok sebuah catu daya dc
Diagram blok terdiri dari:
1. Trafo daya.
2. Rangkaian penyearah dioda
3. Filter
4. Pengatur tegangan
Gambar di atas adalah diagram blok dari rangkaian penyearah dari
tegangan jala-jala 120-V (rms) dengan frekuensi 60 Hz menjadi
tegangan dc (biasanya antara 5 20 V) yang digunakan untuk
mencatu beban. Tegangan keluaran V
O
yang dihasilkan harus tetap
konstan walaupun ada variasi pada catu ac dan pada arus yang
diperlukan oleh beban.
61
Penyearah setengah gelombang
Pada rangkaian ekivalen digunakan model dioda garis lurus.
V 0,8 atau V 7 , 0
(22)
(21b) ,
(21a) , 0
0
0
0 0
0
=
<
>
+

+
=
=
D
D S O D
D S
D
D S
D
O
D S O
V
V v v R r
V v
r R
R
V v
r R
R
v
V v v
Dalam memilih dioda untuk penyearah ada dua parameter
penting yang harus diperhatikan:
a. Kemampuan dioda membawa arus, ditentukan oleh arus
maksimum yang mungkin di saat dioda terhubung.
b. Peak inverse voltage (PIV), ditentukan oleh tegangan terbalik
maksimum yang mungkin ada di antara terminal dioda.
PIV = V
s
Biasanya dipilih dioda yang mempunyai tegangan breakdown
50% lebih besar dari PIV
62
Gambar 25. (a) penyearah setengah gelombang, (b) rangkaian ekivalen
penyearah setengah gelombang, (c) karakteristik transfer rangkaian penyearah,
(d) bentuk gelombang masukan dan keluaran, asumsikan r
o
<< R
63
Penyearah gelombang penuh
Gambar 26 Penyearah gelombang penuh menggunakan trafo yang di-tap di tengah.
64
Cara kerja:
Jika tegangan jala-jala pada lilitan primer positif, kedua sinyal yang
berlabel v
S
akan positif. D
1
akan terhubung dan D
2
akan reverse
biased. Arus mengalir pada D
1
akan mengalir melalui R dan kembali
ke tengah-tengah lilitan sekunder. Rangkaian merupakan penyearah
setengah gelombang.
Ketika tegangan jala-jala negatif, kedua sinyal yang berlabel v
S
akan
negatif. D
1
akan cut off dan D
2
akan terhubung. Arus mengalir pada
D
2
akan mengalir melalui R dan kembali ke tengah-tengah lilitan
sekunder. Rangkaian merupakan penyearah setengah gelombang.
Catatan: arus yang mengalir melalui R selalu mempunyai arah yang
sama, jadi v
O
akan unipolar.
Untuk menghitung PIV:
Pada saat setengah siklus positif, D
1
terhubung dan D
2
cut off.
Tegangan pada katoda D
2
adalah v
O
dan pada anoda v
S
. Jadi
tegangan balik pada dioda D
2
akan menjadi (v
O
+ v
S
), yang akan
mencapai nilai maksimum pada harga (V
s
V
D
) dan v
S
akan
mencapai puncak pada V
s
, jadi:
PIV = 2 V
s
V
D
65
Penyearah Jembatan
Gambar 27. Penyearah jembatan (a) rangkaian (b) bentuk gelombang
masukan dan keluaran
66
Cara kerja:
Pada setengah siklus positif sinyal masukan, v
S
positif, dan arus
mengalir melalui D
1
, resistor R, dan dioda D
2
, sedangkan D
3
dan D
4
dalam keadaan reverse biased. Dalam jalur ini ada dua dioda yang
terhubung seri sehingga v
O
akan lebih rendah dari v
S
sebanyak dua
penurunan tegangan dioda.
Pada setengah siklus negatif sinyal masukan, v
S
akan negatif,
sehingga v
S
akan positif, dan arus mengalir melalui D
3
, R, dan D
4
,
sedangkan D
1
dan D
2
dalam keadaan reverse biased.
Catatan: pada kedua kondisi, arus mengalir dengan arah yang sama,
sehingga v
O
selalu positif.
Untuk menghitung PIV, perhatikan rangkaian pada setengah siklus
positif. Tegangan balik pada dioda D
3
dapat ditentukan pada loop
yang dibentuk oleh D
3
, R, dan D
2
:
v
D3
(reverse) = v
O
+ v
D2
(forward)
Harga maksimum dari v
D3
terjadi pada puncak v
O
, jadi:
PIV = V
s
2 V
D
+ V
D
= V
s
V
D
67
Penyearah dengan sebuah kapasitor filter Penyearah Puncak
Gambar 28. (a) rangkaian sederhana yang menunjukkan efek dari kapasitor
filter (b) bentuk gelombang masukan dan keluaran
68
Cara kerja:
Sinyal masukan v
i
adalah sinyal sinusoida dengan amplitudo V
p
dan
asumsikan dioda adalah dioda ideal.
v
i
positif dioda terhubung dan kapasitor terisi dan v
O
= v
I
.
Keadaan ini berlangsung terus sampai v
I
mencapai V
p
. Setelah
sinyal masukan mencapai puncak, v
I
menurun, dioda dalam
keadaan reverse biased, dan tegangan keluaran tetap pada V
p
.
Harga ini akan tetap konstan, karena tidak ada jalur untuk
pengosongan kapasitor.
Jadi rangkaian menghasilkan tegangan keluaran sama dengan
amplitudo sinyal masukan sinusoida.
Pada keadaan praktis, rangkaian dihubungkan dengan beban R
paralel dengan C seperti yang terlihat pada gambar 29
69
Gambar 29 Bentuk gelombang arus dan tegangan pada rangkaian penyearah
puncak dengan CR >> T
70
Cara kerja:
Asumsikan dioda adalah dioda ideal.
Dengan sinyal masukan sinusoida, kapasitor akan terisi sampai
tegangan mencapai V
p
. Kemudian dioda menjadi cut off, kapasitor
akan dikosongkan melalui resistansi beban R. Pengosongan
kapasitor akan berlangsung sampai v
I
lebih tinggi dari tegangan
pada kapasitor. Dioda akan terhubung lagi dan mengisi kapasitor
sampai V
p
. Proses ini akan berulang.
Agar penurunan tegangan keluaran tidak terlalu besar selama
pengosongan kapasitor, harga CR jauh lebih besar dari interval
pengosongan.
Gambar 29(b) adalah bentuk gelombang masukan dan keluaran
dengan asumsi CR >> T, di mana T adalah perioda dari sinyal
masukan sinusoida.
71
Arus pada beban:
i
L
= v
O
/R (23)
Arus pada dioda:
(25)
(24)
L
I
L C D
i
dt
dv
C
i i i
+ =
+ =
Catatan:
1. Dioda terhubung pada interval yang singkat, t.
2. Asumsikan dioda ideal, dioda mulai terhubung pada t1, pada
saat v
I
= v
O
. Dioda off pada t
2
. Harga t
2
dapat dicari dari
persamaan di atas dengan i
D
= 0
3. Selama dioda off, kapasitor C discharge melalui R, dan v
O
berkurang secara eksponensial dengan konstanta waktu CR.
Selang discharge mulai beberapa saat setelah amplitudo v
I
.
Pada akhir selang discharge, v
O
= V
p
V
r
, V
r
adalah tegangan
ripple puncak-ke-puncak. Ketika CR >> T, V
r
kecil.
72
4. Jika V
r
kecil, v
O
v
I
, sehingga tegangan keluaran dc hampir
sama dengan V
p
dan i
L
hampir konstant, dan I
L
akan sama
dengan:
(26)
R
V
I
P
L
=
Untuk mendapatkan tegangan keluaran dc yang lebih akurat, dapat
diperoleh dengan mencari harga rata-rata dari v
O
V
O
= V
p
V
r
(27)
Selama selang pengosongan kapasitor:
CR t
p O
e V v
/
!
Pada akhir selang pengosongan:
CR T
p r p
e V V V
/
<
73
(29 )
(29 )
(28)
1 t k
/
fC
I
V
fCR
V
V
CR
T
V V
CR
T
e T CR
L
r
p
r
p r
CR t
=
=
<
< >>

Dengan menggunakan persamaan 29b dan asumsi bahwa dioda
berhenti terkonduksi pada saat mendekati puncak v
I
, maka t dapat
diperoleh dari:
)
T f
V V t V
r p p
/ 2 2
c s
T T [
[
= =
= A
74
) ) )
(30) / 2
1 cos sekali kecil
2
2
1
p r
V V t
t t t
} (
( } ( p (
Untuk menentukan arus dioda rata-rata selama konduksi, i
Dav
:
) (31) / 2 1
sup
r p L Dav
r lost
L Dav Cav
Cav plied
V V I i
CV Q
I I i
t i Q
T !
!
!
( !
75
Arus dioda maksimum dapat diperoleh dari persamaan 25 pada
awal konduksi, yaitu pada t = t
1
= -t. Asumsikan bahwa arus I
L
hampir konstan pada harga yang diberikan pada persamaan 26,
diperoleh:
) (32) / 2 2 1
ma r p L D
V V I i T + =
Dari persamaan 31 dan 32 diperoleh: untuk V
r
<< V
p
, I
Dmax
2 I
Dav
.
76
Penyearah gelombang penuh dapat diubah menjadi penyearah
puncak dengan menambahkan kapasitor paralel dengan beban.
Dalam hal ini frekuensi sinyal ripple akan dua kali frekuensi sinyal
masukan.
Gambar 30. Bentuk gelombang pada penyearah puncak gelombang penuh
77
Frekuensi ripple akan dua kali frekuensi masukan.
Tegangan ripple puncak-ke-puncak, dapat diperoleh dengan cara
yang sama, tetapi perioda pengosongan T diganti dengan T/2,
sehingga:
(33)
2fCR
V
V
p
r
=
Dan arus rata-rata dan arus maksimum dioda:
)
) (35) 2 / 2 1
(34) 2 / 1
max r p L D
r p L Dav
V V I i
V V I i
T
T
!
!
Jadi untuk V
p
, f, R dan V
r
yang sama, diperlukan kapasitor yang
berukuran setengah dari kapasitor pada penyearah setengah
gelombang.
78
Penyearah setengah gelombang yang presisi Dioda super
Gambar 31. Dioda super dan karakteristik transfer ideal.
79
Dioda super digunakan untuk menyearahkan sinyal yang kecil (pada
orde 100 mV) atau yang memerlukan presisi yang tinggi.
Dioda super terdiri dari op-amp dengan dioda ditempatkan pada jalur
umpan balik negatif dan R merupakan resistansi beban.
Cara kerja:
Jika v
I
positif, tegangan keluaran op-amp v
A
akan positif dan dioda
akan terhubung, sehingga membentuk jalur umpan balik tertutup
antara terminal keluaran op-amp dengan terminal masukan negatif.
Jalur umpan balik negatif ini akan menyebabkan hubung singkat
semu di antara kedua terminal masukan. Jadi tegangan pada
terminal masukan negatif yang sama dengan tegangan keluaran
akan sama dengan tegangan masukan pada terminal masukan
positif.
v
O
= v
I
v
I
0
Op-amp dapat beroperasi dengan v
I
hanya sedikit lebih besar dari
penurunan tegangan dioda dibagi dengan penguatan op-amp loop
terbuka.
80
Jadi transfer karakteristik v
O
v
I
yang berupa garis lurus hampir
melalui titik nol, sehingga rangkaian ini cocok digunakan untuk
sinyal yang sangat kecil.
Ketika tegangan v
I
negatif, tegangan keluaran op-amp v
A
akan
menjadi negatif. Hal ini akan menyebabkan dioda dalam keadaan
reverse biased, tidak ada arus yang melalui R, sehingga v
O
sama
dengan nol. Jadi untuk v
I
< 0, v
O
= 0, dan op-amp bekerja dalam
mode loop terbuka.
81
Rangkaian Pembatas dan Penjepit Limiting and Clamping Circuits
Rangkaian Pembatas
Gambar 32. Karakteristik transfer rangkaian pembatas
82
L
-
/K v
i
L
+
/K rangkaian pembatas beroperasi seperti
rangkaian linier
v
o
= K v
i
K 1 : pembatas pasif
Jika v
i
L
+
/K, keluaran akan dibatasi oleh pembatas atas L
+
.
Jika v
i
L
-
/K, keluaran akan dibatasi oleh pembatas bawah L
-
Karakteristik transfer pada gambar 33 menunjukkan sebuah
pembatas ganda atau double limiter yaitu yang membatasi kedua
puncak, positif dan negatif. Karakteristik seperti ini juga dikenal
sebagai karakteristik pembatas keras atau hard limiter.
Sebuah masukan sinusoida dipasangkan ke sebuah pembatas
ganda, kedua puncaknya akan terpotong. Oleh sebab itu
rangkaian pembatas disebut juga rangkaian pemotong atau
clipper.
83
Gambar 33. Sinyal sinusoida dipasangkan pada rangkaian pembatas.
Gambar 34. Soft limiting
84
Macam-macam rangkaian pembatas
Gambar 35. Macam-macam rangkaian pembatas
85
Pada rangkaian ini dipakai model dioda penurunan tegangan tetap
(V
D
= 0,7).
Untuk rangkaian pada gambar 35(a):
v
I
< 0,5 V, dioda cut off, penurunan tegangan pada R = 0 v
O
= v
I
.
v
I
> 0,5 V, dioda on, v
O
= penurunan tegangan satu dioda (0,7 V).
Untuk rangkaian pada gambar 35(b):
Sama seperti rangkaian pada gambar 35(a) hanya diodanya
kebalikannya.
Rangkaian pembatas dobel dapat diimplementasikan dengan
menggunakan dua dioda yang mempunyai polaritas berlawanan
seperti pada gambar 35(c).
Pada rangkaian ini daerah linier dari karakteristik diperoleh untuk
-0,5V v
I
0,5V. Pada selang ini kedua dioda off dan v
O
= v
I
. Jika v
I
melebihi 0,5V, D
1
on, dan membatasi tegangan v
O
+0,7V, dan jika v
I
kurang dari -0,5V, D
2
dan membatasi tegangan v
O
-0,7V.
86
Tegangan ambang dan tingkat kejenuhan dari dioda dapat diatur
dengan menggunakan rantai dioda atau dengan menghubungkan
seri dioda dengan sumber tegangan dc seperti pada gambar 35(d).
Cara lain dengan menggunakan dua buah dioda zener yang
dihubungkan seri, seperti pada gambar 35(e).
Jika v
I
positif, v
O
akan dibatasi oleh tegangan (V
Z2
+ 0,7). Pada
kondisi ini Z
2
bertindak sebagai zener dan Z
1
forward bias.
Jika v
I
negatif, v
O
akan dibatasi oleh tegangan (V
Z1
+ 0,7). Pada
kondisi ini Z
1
bertindak sebagai zener dan Z
2
forward bias.
Rangkaian ini dikenal dengan nama double-anode zener.
87
Clamped Capacitor atau DC Restorer
Jika pada rangkaian penyearah puncak, keluaran diambil pada
terminal dioda maka akan menghasilkan aplikasi penting yang
disebut dc restorer seperti yang terlihat pada gambar 36.
Gambar 36. Clamped Capacitor atau dc restorer.
88
Cara kerja:
Karena polaritas dioda terhubung sedemikian rupa maka kapasitor
akan terisi sampai tegangan v
C
seperti yang terlihat pada gambar 36
dan besarnya sama dengan amplitudo negatif dari sinyal masukan.
Selanjutnya dioda off dan tegangan pada kapasitor akan konstan.
Jika masukan sinyal segiempat mempunyai tegangan maksimum
-6V dan +4V, maka v
C
akan sama dengan 6V. Tegangan keluaran v
O
:
v
O
= v
I
+ v
C
Bentuk gelombangnya akan sama hanya tergeser ke atas sebanyak
v
C
.
Cara lain melihat cara kerja rangkaian ini adalah, karena dioda
terhubung sedemikian, maka akan mencegah tegangan keluaran
lebih rendah dari 0V. Jadi bentuk gelombang keluaran mempunyai
harga terendah 0V atau terjepit pada tegangan 0V. Itulah sebabnya
rangkaian disebut rangkaian kapasitor penjepit.
89
Jika polaritas dioda dibalik, maka tegangan keluaran mempunyai
tegangan maksimum 0V.
Salah satu aplikasi dari rangkaian ini adalah untuk mengembalikan
komponen dc dari pulsa yang ditransmisikan lewat sistem ac-
coupled atau capacitively-couple. Kopling kapasitif akan
menyebabkan pulsa kehilangan komponen dc. Dengan
memasukkan pulsa ini ke rangkaian penjepit akan memberikan
kembali komponen dc yang hilang. Oleh sebab itulah rangkaian ini
disebut rangkaian dc-restorer.
Jika sebuah resistansi beban R terhubung paralel dengan dioda
pada rangkaian penjepit, tegangan keluaran akan berubah.
Ketika keluaran lebih tinggi dari ground, arus dc akan mengalir
melalui R. Karena pada saat itu dioda dalam keadaan off, arus
berasal dari kapasitor, sehingga terjadi pengosongan kapasitor dan
tegangan keluaran menurun. Hal ini terlihat pada gambar 37
90
Gambar 37 Clamped capacitor dengan resistansi beban R
91
Selama selang t
0
t
1
, tegangan keluaran turun secara eksponensial
dengan konstanta waktu CR. Pada t
1
masukan turun sebanyak V
a
volt, dan keluaran berusaha untuk mengikutinya. Hal ini
menyebabkan dioda terhubung dan mengisi kapasitor. Pada akhir
selang t
1
t
2
, tegangan keluaran akan beberapa persepuluh volt
negatif ( -0,5V). Kemudian tegangan masukan meningkat sebanyak
V
a
volt yang akan diikuti oleh keluaran dan seterusnya akan
berulang.
Pada keadaan mantap, muatan kapasitor yang hilang selama selang
t
0
t
1
akan diperoleh kembali selama selang t
1
t
2
.
92
Voltage Doubler
Gambar 38 Voltage doubler (a) rangkaian (b) bentuk gelombang keluaran
93
Gambar 38 menunjukkan sebuah rangkaian yang terdiri dari dua
bagian yang dihubungkan secara cascade: sebuah penjepit yang
dibentuk oleh C
1
dan D
1
, dan sebuah penyearah puncak yang
dibentuk oleh D
2
dan C
2
.
Jika diberi masukan sinyal sinusoida dengan amplitudo V
p
, bagian
penjepit akan menghasilkan bentuk gelombang seperti pada gambar
38(b).
Puncak positif akan dijepit pada tegangan 0 V dan puncak positif
pada tegangan -2V
p
.
Respons terhadap bentuk gelombang ini, bagian penyearah puncak
akan menghasilkan tegangan dc 2V
p
pada kapasitor. Karena
besaran tegangan keluaran dua kali tegangan masukan maka
rangkaian disebut voltage doubler
94
Operasi fisik dari dioda
Konsep dasar semikonduktor
Dioda semikonduktor adalah sebuah pn junction yang terdiri dari
semikonduktor jenis n dan semikonduktor jenis p.
Daerah p dan n adalah bagian dari kristal silikon yang sama
yang mempunyai doping yang berbeda.
pn junction juga merupakan elemen dasar dari transistor bipolar
dan transistor efek medan (FET)
Gambar 39. Struktur fisik sederhana dari dioda junction
95
Gambar 40. Two-dimensional representation of the silicon crystal. The circles
represent the inner core of silicon atoms, with +4 indicating its positive charge
of +4q, which is neutralized by the charge of the four valence electrons.
Observe how the covalent bonds are formed by sharing of the valence
electrons. At 0 K, all bonds are intact and no free electrons are available for
current conduction.
96
Gambar 41 At room temperature, some of the covalent bonds are broken
by thermal ionization. Each broken bond gives rise to a free electron and a
hole, both of which become available for current conduction.
97
Gambar 42. A silicon crystal doped by a pentavalent element. Each dopant
atom donates a free electron and is thus called a donor. The doped
semiconductor becomes n type.
98
Gambar 43. A silicon crystal doped with a trivalent impurity. Each dopant atom
gives rise to a hole, and the semiconductor becomes p type.
99
pn junction dalam kondisi hubung terbuka

=
2
0
ln
i
D A
T
n
N N
V V
Gambar 44 (a) Dioda dalam keadaan hubung terbuka (b) Distribusi
potensial sepanjang sumbu tegak lurus dengan junction
100
Tanda + pada bahan jenis p menunjukkan pembawa mayoritas
holes.
Muatan holes dinetralkan oleh muatan negatif dari atom akseptor.
Tanda - pada bahan jenis n menunjukkan pembawa mayoritas
elektron.
Muatan elektron dinetralkan oleh muatan positif.
Arus difusi I
D
Konsentrasi holes yang tinggi di daerah p dan yang rendah di
daerah n menyebabkan holes merembas melalui junction dari
sisi p ke sisi n.
Sebaliknya, elektron merembas dari sisi n ke sisi p.
Jumlah kedua arus ini membentuk arus difusi I
D
dengan arah
dari sisi p ke sisi n.
101
Daerah deplesi
Holes yang merembas melalui junction ke daerah n akan ber-
rekombinasi dengan mayoritas elektron di daerah n, sehingga
holes ini menghilang demikian juga sebagian elektron bebas
pada daerah n juga menghilang.
Sebagian dari muatan positif tidak lagi dinetralkan oleh elektron
bebas. Muatan ini disebut uncovered
Rekombinasi terjadi di dekat junction, sehingga ada daerah
dekat junction yang kekurangan elektron bebas (depleted of free
electrons) dan mengandung muatan positif yang uncovered
Elektron yang merembas melalui junction ke daerah p akan ber-
rekombinasi dengan mayoritas holes di daerah p, sehingga
elektron ini menghilang demikian juga sebagian holes bebas
pada daerah p juga menghilang.
Sebagian dari muatan negatif tidak lagi dinetralkan oleh holes.
Muatan ini disebut uncovered
Rekombinasi terjadi di dekat junction, sehingga ada daerah
dekat junction pada daerah p yang kekurangan holes (depleted
of holes) dan mengandung muatan negatif yang uncovered
102
Dari penjelasan di atas, daerah deplesi pembawa (carrier-
depletion region) atau daerah deplesi akan terdapat di kedua sisi
junction, pada sisi n bermuatan positif dan di sisi p bermuatan
negatif.
Muatan pada ke dua sisi daerah deplesi akan menyebabkan
adanya medan listrik pada daerah deplesi, sehingga ada
perbedaan tegangan pada daerah deplesi, dengan tegangan
positif pada sisi n dan tegangan negatif pada sisi p.
Perbedaan tegangan pada daerah deplesi merupakan
penghalang (barrier) yang harus diatasi oleh holes untuk
berdifusi ke daerah n dan elektron berdifusi ke daerah p.
Makin besar tegangan penghalang, makin kecil jumlah pembawa
yang dapat mengatasi barrier sehingga makin kecil arus difusi.
Arus difusi tergantung pada perbedaan tegangan V
0
pada
daerah deplesi.
103
Arus drift I
S
dan keseimbangan
Selain komponen arus difusi I
D
, terdapat juga komponen arus
drift yang disebabkan oleh pembawa minoritas.
Ada dua komponen arus drift, yaitu elektron yang bergerak dari
bahan p ke bahan n dan holes yang bergerak dari bahan n ke
bahan p.
Arah arus drift I
S
dari sisi n ke sisi p pada junction.
Karena arus drift disebabkan oleh pembawa minoritas yang
dihasilkan secara termal, harganya sangat tergantung pada
suhu, tetapi tidak tergantung pada harga tegangan pada daerah
deplesi.
Pada kondisi hubung terbuka: I
D
= I
S
104
Tegangan pada junction

=
2
0
ln
i
D A
T
n
N N
V V
N
A
= konsentrasi doping pada sisi p
N
D
= konsentrasi doping pada sisi n
V
T
= tegangan termal
Jadi tegangan pada junction tergantung dari konsentrasi doping
dan suhu.
Pada suhu kamar, biasanya tegangan ini antara 0,6 V 0,8 V.
105
Lebar daerah deplesi
Daerah deplesi pada kedua sisi junction tergantung pada
jumlah muatan (konsentrasi doping) pada kedua sisi.
Daerah deplesi akan lebih lebar pada sisi yang mempunyai
doping lebih kecil.
qx
p
AN
A
= qx
n
AN
D
0
1 1 2
V
N N q
x x W
N
N
x
x
D A
s
p n dep
D
A
p
n

+ = + =
=
e
xp dan xn: lebar deplesi pada sisi p dan n
A: luas penampang junction
N
A
dan N
D
: konsentrasi doping pada sisi p dan n

s
= permivity elektrik dari silicon = 11,7
0
= 1,04 x 10
-12
F/cm
Harga W
dep
berkisar antara 0,1 m 1 m
106
pn junction di bawah kondisi reverse bias
Gambar 45 The pn junction excited by a constant-current source I in the
reverse direction. To avoid breakdown, I is kept smaller than I
S
. Note that the
depletion layer widens and the barrier voltage increases by V
R
volts, which
appears between the terminals as a reverse voltage.
107
Arus luar I mengalir dari bahan n ke bahan p
Elektron meninggalkan bahan n dan holes meninggalkan bahan
p.
Elektron bebas yang meninggalkan bahan n menyebabkan
meningkatnya uncovered muatan positif.
Holes yang meninggalkan bahan p menyebabkan meningkatnya
uncovered muatan negatif.
Arus balik I akan menyebabkan meningkatnya lebar daerah
deplesi dan juga muatan pada daerah deplesi.
Akibatnya tegangan pada junction meningkat artinya tegangan
penghalang meningkat arus I
D
menurun.
Arus I
S
tidak tergantung dari tegangan penghalang, jadi arus I
S
tetap.
Pada keadaan seimbang: I
S
I
D
= I, dan tegangan sama V
0
sama dengan tegangan V
R
Pada keadaan steady I
D
kecil sekali sehingga I I
S
108
pn junction pada daerah breakdown
Gambar 46 The pn junction excited by a reverse-current source I, where I > I
S
.
The junction breaks down, and a voltage V
Z
, with the polarity indicated,
develops across the junction.
109
Arus I > I
S
pada arah balik.
Melalui jalur luar, sumber arus akan memindahkan holes pada
bahan p ke bahan n, dan memindahkan elektron dari bahan n ke
bahan p.
Akibatnya makin banyak muatan bound yang uncovered,
sehingga daerah deplesi makin lebar dan tegangan penghalang
makin tinggi yang mengakibatkan arus difusi makin kecil atau
mendekati nol.
Keadaan steady tidak tercapai karena arus I > I
S
Proses ini akan menyebabkan daerah deplesi makin lebar sampai
terbentuk tegangan junction yang cukup tinggi.
Ada mekanisme baru diperlukan untuk mencatu muatan pembawa
yang diperlukan untuk menunjang arus I.
110
Ada 2 mekanisme breakdown
Effect Zener, V
Z
< 5 V.
Terjadi bila medan listrik pada lapisan deplesi meninggat
pada titik di mana medan ini akan mematahkan ikatan
kovalen dan menghasilkan pasangan elektron holes.
Elektron akan tertarik pada sisi n dan holes akan tertarik ke
sisi p.
Elektron dan holes ini menyebabkan arus balik pada junction
yang menunjang arus luar.
Jika efek Zener terjadi, banyak muatan pembawa akan
dihasilkan, tanpa ada penambahan tegangan junction.
Jadi arus balik pada daerah breakdown akan ditentukan oleh
rangkaian luar, sedangkan tegangan pada terminal dioda
akan tetap mendekati tegangan breakdown V
Z
111
Efek avalanche
Terjadi ketika pembawa minoritas yang melewati daerah
deplesi karena pengaruh medan listrik mempunyai energi
kinetik yang dapat memecahkan ikatan kovalen pada atom
yang ditabraknya.
Pembawa yang terbentuk pada proses ini mempunyai energi
yang tinggi yang dapat menyebabkan proses ionisasi
berlanjut.
Proses avalanche disebabkan oleh rangkaian luar, dengan
perubahan penurunan tegangan junction yang bisa
diabaikan.
Breakdown pada pn junction tidak bersifat merusak dengan
syarat disipasi daya tidak melebihi dari batas yang ditentukan.
Disipasi daya maksimum menentukan harga maksimum arus
balik.
112
pn junction dalam kondisi forward bias
Gambar 47. The pn junction excited by a constant-current source supplying a
current I in the forward direction. The depletion layer narrows and the barrier
voltage decreases by V volts, which appears as an external voltage in the
forward direction.
113
Arus luar mencatu pembawa mayoritas pada ke dua sisi; holes
ke bahan p dan elektron ke bahan n.
Pembawa mayoritas ini menetralkan muatan uncovered,
sehingga jumlah muatan di daerah deplesi berkurang, akibatnya
daerah deplesi menjadi lebih sempit dan tegangan penghalang
menurun
Makin banyak holes yang mengalir dari bahan p ke bahan n dan
makin banyak elektron mengalir dari bahan n ke bahan p
Arus difusi meningkat sampai mencapai keseimbangan:
I
D
I
S
= I
114
Gambar 48. Minority-carrier distribution in a forward-biased pn junction. It is
assumed that the p region is more heavily doped than the n region; N
A
@ N
D
.
115
Jenis dioda khusus
1. Schottky-Barrier Diode (SBD)
Terdiri dari metal yang ditempelkan ke semikonduktor yang
mempunyai dopping jenis n. Metal semiconductor junction
mempunyai sifat seperti dioda dengan metal sebagai anoda dan
semikonduktor sebagai katoda. Karakteristik i v SBD sama
dengan karakteristik dioda biasa dengan beberapa pengecualian;
SBD dapat di-switch (on off) lebih cepat dari dioda biasa.
SBD mempunyai penurunan tegangan lebih kecil daripada
dioda biasa (0,3 0,5 V)
SBD dapat dibuat dari gallium arsenide (GaAs) dan banyak
ditemukan dalam rancangan TTL (transistor-transistor logic)
2. Varactor yaitu dioda khusus yang dipakai sebagai kapasitor
dengan tegangan yang bervariasi.
116
3. Photodiodes adalah sebuah dioda yang bagian junctionnya
dibuka, Jika dalam keadaan reverse-biased junction ini disinari
akan menghasilkan arus yang disebut photocurrent. Arus ini
sebanding dengan intensitas cahaya. Dioda ini digunakan untuk
mengubah sinyal optik ke sinyal listrik.
Dioda ini merupakan komponen yang penting dalam rangkaian
optoelektronik atau photonic.
Bila tidak diberi reverse bias, photodiode berfungsi sebagai solar
cell.
117
4. Light-Emitting Diode (LED) mengubah arus forward menjadi
cahaya. Proses rekombinasi di pn junction mengeluarkan
cahaya yang sebanding dengan arus forward.
LED banyak sekali dipakai sebagai alat peraga pada peralatan
laboratorium dan peralatan elektronik. Selain itu LED dapat juga
dirancang untuk menghasilkan cahaya yang koheren dengan
lebar bidang yang sangat sempit. Dioda seperti ini disebut dioda
laser.
Kombinasi antara LED dan photodiode disebut optoisolator.
Penggunaan optoisolator memberikan isolasi antara rangkaian
listrik yang terhubung dengan masukannya dan rangkaian yang
terhubung dengan keluarannya, sehingga dapat mengurangi
interferensi pada transmisi sinyal dalam sistem.