Electrnica

Teora de los Transistores

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Un transistor es un dispositivo semiconductor que se construye con tres regiones, formando dos junturas N-P. Dos son las formas en que pueden combinarse estas tres regiones dando a los dos tipos de transistores, NPN y los PNP N
Emisor Base

N
Colector Emisor

N
Base

P
Colector

Electrnica
Construccin de un Transistor

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Electrnica
Polarizacin Directa de la Juntura BASE-EMISOR
E B == C

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>>

h I V + J I J

Polarizacin Directa, Corriente Directa

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Polarizacin Inversa Juntura BASE-COLECTOR

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Polarizacin Inversa, Corriente Inversa

Electrnica
Transistor con Doble Plarizacin

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c -

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Electrnica
Efectos

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a) se produce, una alta corriente de electrones desde la regin de emisor acia la regin de base. b) se mantiene la pequea corriente de uecos desde la regin de colector acia la regin de emisor. c) se mantiene la baja corriente de electrones desde la regin de base acia la regin de colector. d) se produce la pequea corriente de uecos desde la regin de colector acia la regin de base.

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Efectos

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e) y por ltimo, una gran proporcin de los electrones inyectados desde la regin de emisor en la regin de base atraviesan la base y modifican la concentracin de electrones en la Zona de Transicin de la juntura de colector. l gradiente de concentracin que producen, difunden acia la regin de colector y son atrados por el potencial positivo de la regin de colector producindose una alta corriente de electrones desde emisor acia colector atravesando ambas junturas. sta corriente circula por los conductores externos del emisor y del colector. ste fenmeno puede resumirse diciendo que electrones inyectados desde la regin de emisor son recolectados por el terminal del colector.

Electrnica

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Por los antes descrito se puede escribir una ecuacin que relacione las corrientes de emisor con la de colector mediante un factor de proporcionalidad "E"

0,95 e

e 0,999

Electrnica
orriente de electrones por la juntura de emisor
jn ! dn ! d npo
n

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Le

(e

kT

 1)... orriente.de.electrones.
)

L


kT

 1)...

rri

t .

c s

! A(

) * ni

n.
ES

""
n

A n

! A(

Ln

) * ni
A

Electrnica
Corriente por la Juntura de Base-Emisor

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Ibe ! IES * [e
ic ! ic ! i *I

q be ) kT

 ]

KT

 1

Electrnica
Corriente por la Juntura de Base-Colector
( c ) kT 1 ]

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Ic !Ics *[
ie ! ie !

r i cb

* I cs

q cb T

 1

Electrnica
Modelo de Ebers-Moll para un transistor Corriente Juntura Emisor
q ( be) Ie ! Ies(e kT

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1)

q ( bc ) Ics(e kT r

1)

Corriente Juntura de Colector

Ic ! FI s(

kT

1)Ics(

kT

c)

1)

Electrnica

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rIc

!
(

r FI s ( kT
c)

kT

 1)  rIcs (
( kT )

kT

c)

 1)

rIcs (

 1) !

r FI s (

 1) - rIc

Luego la Corriente de Emisor es

I e ! I EO (e I EO ! (1 

q be ) kT

 1)  )I ES

r Ic

I e $ I EO (e

q be ) kT

Electrnica
La corriente de Colector es
( kT S
bc )

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Ic ! I
O

FI  I

O( r

 1)

! (1 

)I

Ic $

Ie  ICO

Electrnica
Modelo de Ebers Moll ErIc E Ie Ib B Ico EFIe C

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Ic

VBE

VCB

Electrnica
Modelo de Ebers Moll Simplificado EFIe E Ie Ib B C Ic

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V BE

V CB
I e ! I EO * (e Ic ! Ib ! I
F Ie

V BE Vt

 Ic

Electrnica
Smbolos de los Transistores en un Circuito

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Electrnica
Voltajes y corrientes por los Transistores

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Electrnica

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Curvas Caractersticas de un Transistor NPN Base Comn

Ic Ic E Ie P Iex Vcb P Vbex Icx

Pendiente Ico

Ie

Vbe

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VCC ! ICRC  VCE

Ic Ic
E Ie

Punto de Operacin Icop Recta de Carga Salida Vcb Vcc- Ic*Rc

Vbb ! Vbe  IeRE

Ie Ieop Vcbop Vbeop Punto de Operacin Recta de Carga Entrada Vbe VBB - Ie*RE V BB Vbe Ie Vcc

Vcb

Ieo [exp(Vbe/Vt) - 1]

Electrnica
Dependencia de la temperatura

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Ie Ie

T1>T2>T3

Ie ! I Vbe !

- g * e kT g

* (e

Vbe kT

 1)

kT I * ln( e ) q Iq

0,

V(To)

Vbe

Electrnica
Modelo de Pequea Sea en Base Comn
Ic

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$1
Punto de Trabajo o Polarizacin

Ie
Recta de carga

Recta de carga

Vcb DV be Vbe D Vcb

tiempo

Correr simulacin en base comn

tiempo

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I e ! IE 0 * e V BE ! V D

V BE Vt

 v eac
VBE VT

Seal continua + alterna

Ie ! IE0 * e

VD  v eac VT

! IE0 * e

v eac * e VT

v eac ! I * e VT eq

Polarizacin Valor Medio punto de trabajo

Parte alterna

como. !! e ! 1  x  con....x

  ...... ! ! 1, se..tiene !!! e x ! (1  x )

v v Ie ! Ieq* (1  eac ) ! Ieq  Ieq * eac Vt Vt ieac ! Ieq * v eac Vt

re !

Vt Ieq

veac ! re * ie ac

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Ic !

* Ie

v ac Ic ! F * (Ieq  Ieq * ) ! Icq  icac Vt

! Ic * R c ! (Icq  icac ) * R c ! icac * R c !

F

sac

* ieac * R c

v sac ! v eac

Rc re

v sac 5000 $ 1* ! v eac 11,50 dB ! 5 dB

Electrnica

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Base Comn R bb V bb (a) E ie r e + v -be B (b) E ie r e + v be B ( ) i c C r V e = t Ieq g

mb

c Vc E

C ve

ie r e + v be B (c)

C R

E ie

E ie

g mb v be

! E r e

Electrnica
Transistor en configuracin Emisor - Comn
Rc

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I e ! I c  Ib
Rb Ib Vbb Vbe Ie Vcb Ic Vce Vcc

Ic !
Ic ! Ic ! (

F Ie

 IC 0

F (Ic F

 Ib )  IC0

1

)Ib 
F

1 1

IC0
F

Ic ! Ib  (  1)IC0

Electrnica

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Ic I co B Ib E Ie
EIe

Ie ! Ieo * e

V ( be ) VT

Ib ! (1  )Ie  Ico Ib ! Ib 1 * Ie  Ico 1 1 * (Ieo * e 1

V ( be ) VT

Electrnica
Rc

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Rb Ib Vbb

Vcb

Ic Vce

Vcc

Vbe

Ie

Ic Vcc Rc Curva de Transferancia Ic=F *Ib Ib1>0 Vbb Rb Ib Vbeq Recta e Carga Entrada Puntos de Trabajo. Polarizaci n Vbb Vbe Ibq Vceq Ib=0 Vcc Vce Recta de carga Salida Ib3>Ib2 Ib2>Ib1

Icq

Electrnica
Zona Saturacin Zona Activa
Recta de car a alida I I I Ibq Vceq Vbeq Recta de Carga Entrada Puntos de Trabajo. Polarizacin Vbb Vbe I Vcc Vce I I

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Ic Vcc Rc Curva de Transferancia Ic   *Ib

Icq

Ib

Vbb Rb

Zona Corte

Electrnica
Amplificador Transistorizado

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Electrnica
Modelo de pequea seal
Emisor Comn Rb V bb (a) B i b rT v be E (b) B i ic v be E (d) gm v be (c) C gm r T ic
Fi

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v sac Rc ! vbac r r !
t

Rc

cc

! (  1) *

Ieq
C Rc

r ! (  1)re

Vt ! 0.025 V
B C ve i b rT v be E ic
Fi b

b rT

Electrnica

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Ic
2,85 V Transistor NPN -0,7 V

Ie

Veb ! 0,7

0,7 V Transistor PNP

Ie

Vbe ! 0,7
Ie !

Ic

-0,7 V

5  0,7 4,3 Ie ! ! ! 2,15 m 2k 2k

5  0,7 4,3 ! ! 2,15 m 2k 2k

Ic ! Ie ! 2,15 mA

Ic ! Ie ! 2,15 mA

Electrnica
Transistor como conmutador

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