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•Símbolo y nomenclatura del •Símbolo y nomenclatura del

transistor pnp. transistor npn.


•Tensiones y corrientes •Tensiones y corrientes •Tensiones y corrientes
dadas para condiciones dadas para condiciones dadas para condiciones
normales de polarización. normales de polarización. normales de polarización.
•Relación de corrientes
del transistor
•Transistor p-n-p conectado •Perfil de dopado de un
en la configuración Base transistor con una
común para aplicaciones •Diagrama de Banda de
distribución abrupta de
como amplificador Energía bajo un régimen de
impurezas.
operación normal.
•Perfil de dopado de un transistor
con un gradiente de impurezas en la •Corriente de colector y base en
región de la Base. función de la tensión emisor-base.
• αo:
Ganancia
de
corriente
de base
común

•Alta corriente
del colector

•Tiempo de •Tiempo de vida de


vida de Auger recombinación
Shockley
•Ganancia de •m (pendiente):
corriente en depende del
tipo de dopado
función de la
de la base
corriente del
colector

•Comparación entre
la ganancia de
corriente calculada
y la ganancia de
corriente medida en
función de la
corriente de
colector.
•Al incrementar
la corriente el
campo eléctrico
pico se
desplaza de A
hasta B

Distribución del campo


•Perfil de dopado de un eléctrico en función de la
transistor n-p-n con colector de distancia para varias
capa epitaxial. densidades de corrientes
de colector.
RESUMEN DE LAS RELACIONES MAS IMPORTANTES DEL
TRANSISTOR
•Las tensiones aplicadas controlan las densidades de frontera a
través del término: e(qV/kT)
•Las corrientes de emisor y colector están dadas para los
gradientes de las densidades de portadores minoritarios (Huecos)
en las fronteras de las uniones, tales como: x=0 y x=W.
•La corriente de Base es la diferencia entre las corrientes de
emisor y colector.

•Polaridades •Polaridades •Ambas


normales: •Ambas
normales: •VEB •Condiciones uniones
uniones
VCB=constante, VEB=constante, positiva, con corrientes polarizadas
polarizadas
VEB= variable VCB=variable VCB=0 ICO y I´CO inversamente
directamente
Es aquel que se basa en el hecho de que
un transistor TBJ se compone de dos
uniones PN, la unión base-emisor y la
unión base-colector. Por lo tanto se
pueden expresar las corrientes del
transistor como la superposición de las
corrientes en la dos uniones PN

•a-Modelo Básico.
•b-Modelo con resistencia series
adicionales y capacidad de
vaciamiento.
•c-Modelo con fuentes de corrientes
adicionales para el Efecto Early.
Incorpora
automáticamente
el efecto Early y
relaciona las
tensiones
aplicadas con la
corriente del
colector, incluida
la carga
acumulada en la
base
•Coeficiente de reflexión de •Ganancia de
entrada con una carga de transmisión directa
salida acoplada (ZL=ZO con una carga de
haciendo a2=0, donde Z0 es la salida acoplada.
•Red de dos puertos impedancia de referencia.)
donde se muestra la onda
incidente (a1,a2)y onda
reflejada (b1,b2)usadas
en la definición de los
parámetros S.

•Coeficiente de reflexión de •Ganancia de


salida con una carga de transmisión inversa
salida acoplada con una carga de
(ZS=Z0haciendo a1=0) salida acoplada.
Circuito equivalente
simplificado de microondas
para las configuraciones:

•Intercalado

•De
•En Base común revestimiento

•De malla

•En Emisor común


•Estructura
de
transistores
con
electrodos
reforzados

•Estructura de un
Transistor con varillas de
plomo: Esquema

•Estructura de
un Transistor
con varillas de
plomo: b-Vista
superior de un
transistor. •Estructura de transistores
con implantación de la base
Al incrementar la potencia en un transistor de
potencia se incrementa la temperatura Tj de la •Estructura de
unión. transistores
•El máximo de Tj está limitado por la temperatura con electrodos
para la cual la región de la Base se hace intrínseca. reforzados

•Por encima de Tj cesa la operación del transistor,


debido a que el colector se cortocircuita
efectivamente con el emisor.
•Para mejorar el funcionamiento del transistor se
debe desarrollar encapsulados que proporcionen
una adecuada disipación del calor.
•Una técnica usual para distribuir la corriente •Distribución de
uniformemente en Transistores de tecnología la temperatura a
interdigitated o overlay, es la de agregar una lo largo del
resistencia de emisor distribuido RE. centro de la
• Un incremento indeseado de la corriente a través unión base-
de un emisor particular será limitado por el resistor emisor

•Este tipo de resistores series se describen


normalmente como resistores de estabilización o
resistores de carga de emisor.
Región I : Región de corte, corriente de colector
apagado (Off), uniones de emisor y colector
polarizadas inversamente.
Región II: Región activa, emisor polarizado
directamente y el colector polarizado
inversamente.•

Región III: Región de saturación, emisor y colector


polarizados directamente.

•Regiones de •Densidades
operación y de portadores
modos de minoritarios en
conmutación de la base para
un transistor las regiones de
conmutador corte, activa y
de saturación.
IBO: Corriente de saturación inversa de la unión de emisor con el
colector en circuito abierto: eqVEB/kT<<1IC=0.
•ICO: Corriente de saturación inversa de la unión de colector con el
emisor en circuito abierto, eqVCB/kT<<1, IE=0.
•αN: Ganancia normal de corriente bajo condiciones de operación
normal, donde el emisor se polariza directamente y el colector se
polariza inversamente, La corriente de colector está dada por: IC=-
αNIE+ICO
•αI: Ganancia de corriente inversa bajo condiciones de operación
inversas. El emisor polarizado inversamente y el colector polarizado
directamente.
•La corriente de emisor está dada por: IE=αIIC+IEO.
•Para la mayoría de los transistores, es válido: αN>αI Debido a que el
área del emisor normalmente es mas pequeña que el área del
colector
•El colector debe ser mas efectivo recolectando portadores que
difunden del emisor al colector o del colector al emisor

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