•Alta corriente
del colector
•Comparación entre
la ganancia de
corriente calculada
y la ganancia de
corriente medida en
función de la
corriente de
colector.
•Al incrementar
la corriente el
campo eléctrico
pico se
desplaza de A
hasta B
•a-Modelo Básico.
•b-Modelo con resistencia series
adicionales y capacidad de
vaciamiento.
•c-Modelo con fuentes de corrientes
adicionales para el Efecto Early.
Incorpora
automáticamente
el efecto Early y
relaciona las
tensiones
aplicadas con la
corriente del
colector, incluida
la carga
acumulada en la
base
•Coeficiente de reflexión de •Ganancia de
entrada con una carga de transmisión directa
salida acoplada (ZL=ZO con una carga de
haciendo a2=0, donde Z0 es la salida acoplada.
•Red de dos puertos impedancia de referencia.)
donde se muestra la onda
incidente (a1,a2)y onda
reflejada (b1,b2)usadas
en la definición de los
parámetros S.
•Intercalado
•De
•En Base común revestimiento
•De malla
•Estructura de un
Transistor con varillas de
plomo: Esquema
•Estructura de
un Transistor
con varillas de
plomo: b-Vista
superior de un
transistor. •Estructura de transistores
con implantación de la base
Al incrementar la potencia en un transistor de
potencia se incrementa la temperatura Tj de la •Estructura de
unión. transistores
•El máximo de Tj está limitado por la temperatura con electrodos
para la cual la región de la Base se hace intrínseca. reforzados
•Regiones de •Densidades
operación y de portadores
modos de minoritarios en
conmutación de la base para
un transistor las regiones de
conmutador corte, activa y
de saturación.
IBO: Corriente de saturación inversa de la unión de emisor con el
colector en circuito abierto: eqVEB/kT<<1IC=0.
•ICO: Corriente de saturación inversa de la unión de colector con el
emisor en circuito abierto, eqVCB/kT<<1, IE=0.
•αN: Ganancia normal de corriente bajo condiciones de operación
normal, donde el emisor se polariza directamente y el colector se
polariza inversamente, La corriente de colector está dada por: IC=-
αNIE+ICO
•αI: Ganancia de corriente inversa bajo condiciones de operación
inversas. El emisor polarizado inversamente y el colector polarizado
directamente.
•La corriente de emisor está dada por: IE=αIIC+IEO.
•Para la mayoría de los transistores, es válido: αN>αI Debido a que el
área del emisor normalmente es mas pequeña que el área del
colector
•El colector debe ser mas efectivo recolectando portadores que
difunden del emisor al colector o del colector al emisor