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•Árbol de la •De un canal

familia de •Ranurado en V

los •Multicanal

transistores •Difuso
de efecto de •De crecimiento
campo. •De Heterounión

•De una compuerta


•De doble compuerta
•De estructura interdigital

D
G NMOS, PMOS
HMOS

JFET (canal N) S DMOS, DIMOS


VMOS
Símbolo
SOS, SOI
Curva característica
básica I-V del JFET. Se
muestra las regiones
Modelo Schockley de una lineal, de saturación y de
unión del transistor de efecto ruptura
de campo
D
G
S
Ecuaciones del efecto de
campo para una
distribución de carga
específica en una
estructura rectangular de
un JFET de tipo reflexión.

Factor de multiplicación para una distribución específica

A: Todas C: Todas
Parámetros Factor las cargas B: las cargas
Común para y=2a uniforme para y=0

gmáx 2Zμρa/L 1 1 1

Vp 4ρa2/Єs 1/4 1/8 0

Ip 8Zμρ2a3/ 1/8 1/24 0


Єs L
gmáxVp / Ip
1 2 3 4
•Vt: tensión umbral
•Vbi: barrera de potencial de la
unión
•Vp: tensión de estrangulamiento

Símbolo un
JFET y
MESFET tipo n
y tipo p
normalmente
ON y
normalmente
OFF
Comparación de las Comparación de las
curvas curvas
características I-V, características I-V,
MESFET MESFET
Normalmente Normalmente
ON OFF
Velocidad de arrastre en
función del campo eléctrico
para Si, GaAs y InP
Gráfico de la corriente de drenaje
normada en función de la tensión
de drenaje con la tensión de
compuerta como parámetro para
movilidad dependiente del campo
Gráfico de la z=3.
corriente de drenaje
normada en función
de la tensión de
drenaje con la
tensión de
compuerta como
parámetro para el
caso de movilidad
constante

Tensión
VDsat
de drenaje de
Saturación normada normado
Um en función de en función
(VG+Vbi) / V, usando de
el valor absoluto (VG+Vbi)/VP.
de VG,
Dependencia de la
apertura del canal de la
corriente de drenaje
Modelo de dos regiones. La Región I normada
muestra Constante movilidad y la para z=10 y VD/VP=1,
región II muestra velocidad
saturada. La velocidad inicia la
saturación para la anchura de la
región de vaciamiento YC.
D
G
S

Característica de
transferencia de
diferentes
distribuciones de
carga
Capa de silicio Se agrega una
tipo n sobre un unión o
sustrato aislante. compuerta
metal-
semiconductor

•Campo eléctrico
•Єs: campo crítico. más intenso.
•X1: se alcanza la •Se aceleran los
velocidad de portadores.
saturación •La corriente
permanece
constante

•Tensión negativa
de compuerta. •Alta
•Alta resistencia concentración
debida a pequeña •Se forman
b2 dipolos.
P+
Fuente
(S)
N- Drenador
(D)

•Campo eléctrico
P+
Puerta (G)

•Velocidad de
arrastre

Incremento pico de
la velocidad del
electrón al entrar en
la región de alta
•Distribución de
intensidad
carga de campo (E>EP)
bajo la compuerta
•Modelo en pequeña
señal MESFET •Donde:
•Ig: corriente inversa de compuerta.
•Ri: alta resistencia de entrada
•Τ: tiempo de tránsito (tiempo para atravesar el canal).
•Μ: movimiento constante.
•V: velocidad saturada constante.
•Fmáx: fecuencia máxima de oscilación.
•U: ganancia unilateral.
•R1: resistencia entrada/resistencia salida.
•Circuito equivalente para el análisis de ruido
•es: voltaje de la fuente de señal.
•Zs: impedancia de la fuente.
•Io: figura de ruido óptimo para MESFET de
GaAs.
•Ing: ruido inducido en compuerta.
•Ind: ruido del circuito de drenaje. Figura de ruido opcional teórica y experimental
•ens: ruido térmico de la resistencia serie de la en función de la frecuencia en MESFETS de GaAs
con diferentes longitudes y anchuras de canal
fuente.