Realizado por:
• Vera C. Jackson E.
C.I : 18.257.523
# 36
Factor de calidad
Anchura de la región
de vaciamiento
Sensibilidad
Capacidad Variable – Varactor:
Tensión de ruptura
Símbolo
Diodo pin:
Distribución de impurezas,
densidad de carga espacial y
distribución de campo en las
uniones p-i-n y p-π-n.
Curva característica en
polarización directa
Corriente-Tensión, a-Solo
recombinación, b-Incluyendo
dispersión de portadores, c-
Incluyendo recombinaciones
de Auger.
Diodo pin:
Caída de tensión en la
región intrínseca de la unión
p-i-n en función de W/La,
donde W es la anchura de la
región i y La es la longitud
ambipolar de difusión.
Heterounión o Heterojuntura:
Se trata de dos semiconductores diferentes a ambos lados
de la juntura. Las herojunturas pueden cambiar de tipo de dopante
en la interfaz (de igual o de distinto tipo) y también se las clasifica
en abruptas y graduales.
Diagrama de Banda de
Energía de dos
semiconductores aislados
asumiendo neutralidad de
carga espacial en cada
región.
Diagrama de Bandas de
Energía de una Heterounión
anisótropa n-p ideal en
equilibrio térmico.
Heterounión o Heterojuntura:
Diagrama de Bandas de
Energía para una
Heterounión isótropa n-n
ideal.
Diagrama de Banda de
Energía de una Heterounión
p-n.
Diagrama de Banda de
Energía de una Heterounión
p-p.