Cap 4 Conceitos de Cristalografia

Jacobus W. Swart CCS e FEEC - UNICAMP

Sumrio
Introduo Clula unitria e sistemas cristalinos Orientao de planos de um cristal Determinao da estrutura de um cristal Defeitos em cristalinos

4.1 Introduo Estrutura da Matria

4.2 Conceitos de Cristalografia

Substncia cristalina: tomos esto dispostos em posies regulares no espao. Descrio: rede + base
Rede = estrutura geomtrica Base = distribuio dos tomos em cada ponto da rede.

 Rede definido por 3 vetores a , b , c tal que:

r ' = r + ua + vb + wc

onde, u, v, w = inteiros Ponto r idntico ao ponto r. Ex. Rede cbica de face centrada com 2 tomos por ponto de rede. (cristal de NaCl)

Clulas Cristalogrficas e Sistemas Cristalinos

Clula unitria: uma clula que transladado n vezes nas direes x, y, z, gera toda a rede. Clula primitiva: a menor clula capaz de gerar a rede. Clulas de Bravais: Bravais demonstrou que s existem 14 tipos de clulas unitrias, agrupados em 7 sistemas.

stema cbico (a=b=c; == =90): cbico simples; b) cbico de corpo ntrado; c) cbco de faces centradas

Sistema tetragonal (a=b c; == =90): a) tetragonal simples; b) tetragonal de corpo centrado.

Sistema ortorrmbico (a b c; == =90): a) ortorrmbico simples; b) ortorrmbico de bases centradas; c) ortorrmbico de corpo centrado; d) ortorrmbico de faces centradas

Sistema monoclnico (a b c; Sistema triclnico (a b c; = =90 ): a) monoclnico simples; 90) b) monoclnico de bases centradas

Sistema rombodrico ou trigonal (a=b=c; == 90)

Sistema hexagonal (a=b c; ==90, =120)

Exemplos: Rede CCC: Cr, Li, Ba, Nb, Cs, W Rede CFC: Al, Cu, Pb, Ni, Ag Rede Cbico Simples: CsCl (base 2) Rede tipo diamante = CFC e base 2. Os 2 tomos da base 2 esto dispostos alinhados na diagonal do cubo e distantes a da diagonal.

Pode ser vista tambm como duas redes CFC simples entrelaadas e deslocadas na diagonal e distantes a da diagonal.

Diamante, Si e Ge tm esta estrutura. GaAs e outros III-V tambm (zincbelnde)

Clula primitiva do diamante rombodrica ou trigonal

4.2 Definio de Planos e Direes Cristalogrficas

ndices de Miller: a) Distncias das interseces b) Tomar inversos dos valores c) Reduzir os resultados a nmeros inteiros com a mesma relao entre si Ex.: 2 x = 1; 2 x = 1; 2 x 1 = 2 plano (1,1,2) ou (112)

Direes cristalogrficas [l,m,n]: So expressos por 3 nos inteiros com a mesma relao de um vetor naquela direo. Os componentes do vetor so dados como mltiplos dos vetores de base. A direo da diagonal em sistema tipo paraleleppedo tem as componentes 1a, 1b, 1c, ou seja: [111] Em cristal cbico, a direo [l,m,n] perpendicular ao plano (l,m,n). Ex. [100] perpendicular ao plano (100)

Direes e Planos Equivalentes: Do ponto de vista cristalogrfico, existem direes e planos equivalentes, dependendo apenas da escolha arbitrria dos eixos de base. Ex. Direes [100], [010] e [001] Direes equivalentes so expressos por < >, no ex. dado temos direes <100> Ex. Planos (100), (010) e (001) Planos equivalentes so expressos por { }, no ex. dado temos os planos {100}.

4.3 Determinao da Estrutura de um Cristal

A estrutura de um cristal pode ser determinado pela anlise de difratograma de raio X. baseado no princpio de interferncia de raios difratados de acordo com a lei de Bragg: n = 2d sen

4.4 Defeitos em Cristais

No existe cristal perfeito. Tipos de defeitos:
Pontuais Lineares Planares Volumtricos

a) Defeitos pontuais

nv = N 0 e Densidade de defeitos pontuais cresce com a temperatura (rel. tipo Arrhenius). Ex. vacncias, onde: N0 a densidade do Si, Eav a energia de ativao.

Eav

kT

b) Defeitos lineares: Discordncia de borda ou de cunha

Discordncia tipo parafuso ou espiral.

c) Defeitos planares
Stacking fault ou falha de empilhamento.

Plano de simetria de cristais gmeos:

Plano de contorno de gro:

d) Defeitos volumtricos Precipitados de tomos,

ex., O, C, N, dopantes, etc.

Revelao de defeitos: Etching: Sirtl Seeco Composio: Cr2O3(5M):FH (1:1) K2Cr2O7(0.15M):HF ou Cr2O3(0.15M):HF (1:2) HF:HNO3:cido actico (1:3:10)

Dash

Discordncias: a) perpendiculares (280 x) b) paralelas superfcie (55x)

Stacking faults: a) 2 min. etch (55x) e b) 25 min etch (280x)

rea de 420m de dimetro, sem defeitos.