UNIVERSIDAD NACIONAL

EXPERIMENTAL DEL TACHIRA

DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
ELECTRONICA DEL ESTADO SÓLIDO

Realizado por:
Johan Romero
Nº de lista: 32
Relaciones básicas de Corriente-Tensión
Configuraciones básicas
Relaciones básicas de Corriente-Tensión

I B = I E − IC
Ganancia de Corriente
Ganancia de Corriente
 Características de Salida

Las tensiones aplicadas

controlan las densidades de
frontera a través del
término: exp(qV/kT)
Las corrientes de emisor y
colector están dadas para los
gradientes de las densidades
de portadores minoritarios
(Huecos) en las fronteras de
las uniones, tales como: x=0
y x=W
La corriente de Base es la
diferencia entre las
corrientes de emisor y
colector
Características de Salida
Características de Salida
El modelo de Ebers-Moll
BJT de Microondas. La Frecuencia de Corte
BJT de Microondas. Características de Análisis
BJT de Microondas. Características de Análisis
BJT de Microondas. Características de Análisis
Transistor de Potencia. Resistencia de Estabilización del
Emisor

Al incrementar la potencia en un transistor de potencia se incrementa la

temperatura Tj de la unión
El máximo de Tj está limitado por la temperatura para la cual la región de la Base se
hace intrínseca
Por encima de Tj cesa la operación del transistor, debido a que el colector se
cortocircuita efectivamente con el emisor
Para mejorar el funcionamiento del transistor se debe desarrollar encapsulados que
proporcionen una adecuada disipación del calor
Una técnica usual para distribuir la corriente uniformemente en Transistores de
tecnología interdigitated o overlay, es la de agregar una resistencia de emisor
distribuido RE
Un incremento indeseado de la corriente a través de un emisor particular será
limitado por el resistor
Este tipo de resistores series se describen normalmente como resistores de
estabilización o resistores de carga de emisor
Transistor de Potencia. Comportamiento de la Temperatura
Transistor de Potencia. Fenómenos de Ruptura Secundaria
Transistor de Potencia. Fenómenos de Ruptura Secundaria
 El Transistor como Conmutador

Región I:

Región de corte, corriente de
colector apagado (Off), uniones
de emisor y colector polarizadas
inversamente
Región II:
 Región activa, emisor polarizado
directamente y el colector
polarizado inversamente
Región III:
 Región de saturación, emisor y
colector polarizados
directamente
 El Transistor como Conmutador

IBO:
 Corriente de saturación inversa de la unión de emisor con el colector en
circuito abierto
 eqVEB/kT<<1, IC=0
ICO:
 Corriente de saturación inversa de la unión de colector con el emisor en
circuito abierto,
 eqVCB/kT<<1, IE=0
αN:
 Ganancia normal de corriente bajo condiciones de operación normal, donde
el emisor se polariza directamente y el colector se polariza inversamente
 La corriente de colector está dada por: IC=-αNIE+ICO
αI:
 Ganancia de corriente inversa bajo condiciones de operación inversas. El
emisor polarizado inversamente y el colector polarizado directamente
 La corriente de emisor está dada por: IE=αIIC+IEO
Para la mayoría de los transistores, es válido: αN>αI

Debido a que el área del emisor normalmente es mas pequeña que el área del
colector

El colector debe ser mas efectivo recolectando portadores que difunden del
emisor al colector o del colector al emisor