TRANSISTOR II

BJT dan FET

ID
IC
(kontrol arus)
IB
BJT + FET

VGS
(kontrol tegangan)
-

Bipolar Junction Transistor (BJT) : Field Effect Transisitor (FET) :

-. dikontrol oleh arus -dikontrol oleh tegangan
- IC bergantung pada IB - ID bergantung pada VGS
-. carrier: elekron dan hole (bipolar) - carrier: elektron atau hole (unipolar)
 Tipe FET
• 1. Junction Field Effect Transistor (JFET)
• 2. Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor (MOSFET)
 Kontruksi JFET
• 2 tipe JFET : n channel dan p channel
• Terdapat 3 terminal
- Drain (D)
- Source (S)
- Gate (G)
 Cara Kerja JFET
• Pada junction terjadi lapisan deplesi
(depletion layer) akibat rekombinasi
elektron dan holes
drain

• Ketika elektron mengalir dari source

ke drain, elektron harus melewati gate
channel sempit di antara ke dua
lapisan deplesi. Semakin negatif
tegangan gate, semakin sempit
channel. Semakin kecil arus yang source
mengalir antara souce dan drain

• Tegangan gate mengontrol besar

arus yang mengalir antara source
dan drain
 Karakterisitik Operasi JFET
3 kondisi operasi JFET:

A. VGS = 0, VDS menaik ke

suatu nilai positif
B. VGS < 0, VDS pada suatu nilai
positif
C. Voltage Controlled Resistor
 Kondisi 1
• Kondisi 1: VGS=0 dan VDS naik ke
suatu nilai positif:

- Gate dihubungkan dengan

Source VGS=0

- VGS=0 dan VDS=0 FET tidak aktif

- VDS dinaikkan: Daerah deplesi

antara p gate dan n channel akan
membesar dengan semakin
banyaknya elektron yang
berekombinasi dengan hole

- Memperbesar daerah deplesi

akan memperkecil daerah n dan
memperbesar resistansinya

- Arus dari Source ke Drain (ID)

semakin besar karena VDS semakin
besar
 Pinch Off
• Jika VDS dinaikkan
terus daerah
deplesi semakin
membesar sampai
akhirnya
bersentuhan
(pinchoff)
 Saturasi
• Pada titik pinchoff:

• Kenaikan VDS lebih

lanjut tidak akan
menaikkan ID. VGS
pada pinchoff
dinyatakan
dengan VP

• ID pada saturasi
atau maksimum
dinyatakan
dengan IDSS
 Kondisi 2
• VGS < 0 dan VDS
pada suatu nilai
positif:
• VGS semakin
negatif, maka
daerah deplesi
akan semakin
besar
 ID  IDSS

VGS menjadi lebih negatif:

• JFET akan pinch-off pada tegangan yg lebih rendah (Vp).
• ID berkurang (ID < IDSS) meskipun VDS dinaikkan
• ID pada 0A. VGS pada titik ini disebut Vp or gate source cutt off voltage, V GS(off).
• breakdown VDS > VDSmax.
Kurva Drain JFET
 Kondisi 3
• Voltage Controlled Resistor:
• Daerah disebelah kiri titik pinchoff dinamakan
daerah ohmic. JFET dapat dioperasikan
sebagai variable resistor dimana resistansi drain
source, rd dikontrol oleh VGS.
• VGS lebih negatif, rd naik
• Hubungan rd dengan VGS

ro
rd  rd=resistansi pada suatu nilai VGS tertentu
(1 VGS )2 ro= resistansi pada VGS=0
VP
 JFET p channel
• JFET p channel memiliki
prinsip yang sama dengan
JFETn channel
• Channel adalah
semikonduktor tipe p.

• Polaritas tegangan dan arah

arus berlawanan jika
dibandingkan dengan
transistor JFET n channel.
Simbol rangkaian untuk tipe p
juga sama, hanya saja dengan
arah panah yang berbeda.
 MOSFET
• MOSFET = Metal Oxide Semiconductor FET
• Mempunyai karakterisitik yang mirip dengan FET
• Memiliki drain, source, gate
• Gate terbuat dari bahan metal
• Karena gate yang terisolasi sering disebut juga Insulated
Gate FET ( IGFET)

• Dua jenis MOSFET

- Depletion Mode
- digunakan pada rangkaian linear
- Enhancement Mode
- digunakan pada rangkaian digital
 Depletion Mode MOSFET Construction

Drain (D) dan Source (S) dihubungkan dengan n-doped region

n-doped region dihubungkan melalui n-channel
n-channel dihubungkan dengan Gate (G) melalui insulating layer SiO 2 yang tipis
n-doped material berada pada p-doped substrate yang dapat mempunyai terminal
tambahan yang dihubungkan dengan substrate (SS)
 Depletion Mode MOSFET
• n channel
 Prinsip Kerja
• Elektron bebas
mengalir dari source
ke drain melalui n
region. elektron yang
mengalir harus
melalui channel yang
sempit diantara gate
dan p region
 Tegangan Gate Negatif
• 1. Tegangan gate negatif
- VDD mendorong elektron
mengalir dari source ke drain.
Elektron tersebut mengalir
melalui channel yang sempit
disebelah substrate p.

- Tegangan gate mengontrol

lebarnya channel. Semakin
negative tegangan gate,
semakin kecil arus drain. Ketika
tegangan gate sudah cukup
negatif, arus drain akan cut off.

- Operasi MOSFET sama

dengan JFET ketika VGS negatif
 Tegangan Gate Positif
• Karena gate terisolasi dari
channel, tegangan positif
dapat diberikan pada gate.
Tegangan gate positif
menaikkan banyaknya
elektron bebas yang
mengalir melalui channel.

• Semakin positif tegangan

gate, semakin besar arus
dari source ke drain
Kurva Drain
Depletion
MOSFET

ketika VGS = 0V, ID = IDSS

Ketika VGS < 0V, ID < IDSS

n channel p channel
 Enhancement Mode MOSFET Construction

Drain (D) dan Source (S) dihubungkan dengan n-doped region

n-doped regions tidak berhubugan melalui n-channel
Gate (G) berhubungan dengan p-doped substrate melalui insulating layer SiO 2 yang tipis
 Enhancement Mode MOSFET
• N Channel
 Enhancement Mode MOSFET
• Ketika VGS =0, VDD akan mendorong elektron bebas dari source ke drain, tetapi
substrat p hanya mempunyai sedikit elektron bebas. Tidak ada arus mengalir anatra
source dan drain, MOSFET dalam keadaan Off

• VGS >0 elektron tertarik kearah substrat p dan berekombinasi dengan hole. Karena
potensial gate lebih positif, elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi
substrat yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak
dapat mengalir menuju gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO 2.

• Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan
terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus drain dan
source dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion
layer. Di sini karena subtratnya tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah
bermuatan negatif atau tipe n.

• Tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk disebut tegangan

threshold, VGS(th). Pada tegangan ini transistor mulai on
Kurva Drain
Enhancement
MOSFET
 Thyristor (1)
• Kontruksi : terdiri dari 4 lapisan semikonduktor (pnpn)

• Seperti saklar mekanis thyristor mempunyai 2 keadaan : ON (menghantarkan) dan

OFF (tidak menghantarkan)

• Sekali dipicu (triggered) akan tetap ON

• Jenis a.l:
- SCR (Silicon Controlled Rectifier)
- TRIAC

• Aplikasi: kontrol kecepatan dan frekuensi, penyearahan dan pengubahan daya

- pengendali motor
- manipulasi robot
- kontrol panas dan cahaya
Thyristor (2)

Collector Q1 tersambung pada

base Q2 dan sebaliknya collector
Q2 tersambung pada base Q1
 Thyristor (3)
• Jika arus base Q1 naik, arus
collector Q2 naik, akibatnya arus
base Q1 bertambah besar dan arus
collector pada Q2 akan semakin
besar juga. Demikian seterusnya
sampai thyristor menjadi jenuh.
Pada saat tersebut thyristor dalam
keadaan ON atau seperti switch
yang tertutup

• Jika arus base Q2 menurun, arus

collector Q2 akan menurun
sehingga arus base Q1 akan
mengecil yang akan mengurangi
arus collector Q2. Demikian
seterusnya sampai thryristor cutoff.
Pada saat demikian thyristor dalam
keadaan OFF atau seperti switch
terbuka. closed open
switch switch
 SCR (1)
• Terdiri dari 4 lapisan pnpn
• Mempunyai 3 terminal: anoda, katoda, gate
• Tidak memperkuat sinyal, digunakan sebagai
saklar (switch)
 SCR (2)
• Kurva karakteristik

Vbo= tegangan break over, tegangan minimum agar SCR ON

IG = arus gate
IGT = arus trigger gate
Ih = arus holding, arus yang mempertahankan SCR tetap ON
 TRIAC
• TRIAC (Triode for Alternating Current)

• Disebut thyristor bi directional.

• TRIAC merupakan dua buah SCR yang

dihubungkan secara paralel berkebalikan
dengan terminal gate bersama.

• TRIAC dapat dipicu dengan tegangan

polaritas positif dan negatif, serta dapat
dihidupkan dengan menggunakan
tegangan bolak-balik pada Gate.

• Banyak digunakan pada rangkaian kontrol

dan pensaklaran (light dimmer, electric
heating control, dll)