)
2 crediti- docente Simona Binetti
simona.binetti@unimib.it, tel. 02-64485177
• Principali proprietà dei solidi e processi determinati dalla presenza dei difetti:
– processi diffusivi
– conducibilità nei conduttori ionici (e semiconduttori)
– proprietà ottiche
• Difetti estesi: Dislocazioni e bordi grano
• Esempi in silicio e tecnologia dei semiconduttori (case study)
self-
distortion interstitial
of planes
N n
G − G* = n∆H + kT ([ N ln + n ln ] − nT ∆Svibr
N +n N +n
∆Gv
X v = exp − T > 0 è diversa da 0 tutti i solidi contengono difetti !!!
kT
La presenza di difetti favorisce
la stabilità del cristallo
Chimica dei materiali I (II mod.) Docente: Simona Binetti
Corso di laurea in Scienza dei materiali
Concentrazione dei difetti
• nv/N = exp (-∆Sv/k) exp (-∆Hv/kT)
sup = superficie
Frenkel defect
2) •A VA + SA ; K equil
C in α-Fe ( 2 %)
OR
sostituzionale Interstiziale
B può essere:
- una vacanza
- un interstiziale intrinseco
• ρ= ρ0 + nρv
ρv è l’incremento alla resistività dovuto alle vacanze.
• nv= ρ-ρo/ρv = ∆ρ/ρv
Se una soluzione solida possiamo applicare la legge di Henry
• aXv=∆ρ
• Al –Ag
• Coefficiente di espansione termica volumetrica :
α= =
termica del cristallo in
termini di ampiezza di
V ∂T l ∂T vibrazioni degli atomi fuori
dall’intorno della vacanza
3∆a r (T) e s(T) nell’intorno
3∆a 3∆l ∆l ∆a
− = 3 − = x(T ) − y (T )
a l l a
nv f Ω
x(T ) = Ω= volume occupato da un atomo
NΩ f= frazione per il rilassamento
nv ( f + 1)Ω N = n° totale di atomi
y (T ) =
NΩ
∆l ∆a
3 − = Xv =
nv
N
l a
∆Sv: trascurabile :
Ag = ∆Sv= 3.0 cal /mol
•N exp (-∆Hv/kT) = Xv
Al = ∆Sv= 4.0 cal /mol
/cm3
ρ = 8.4 g ACu = 63.5g/mol
23 atoms/mole
QV = 0.9eV/atomNA = 6.02 x 10
Conversione :
n∆ H 2
C p = C p0 +
kT
FeO → 2 Fe + 2O + VFe 2+
• Introduzione di Fe 3+:
.
• Infatti in questo caso l’introduzione di Fe3+ distrugge la elettroneutralità del
cristallo introducendo una + 1 carica positiva in eccesso, ma può essere
accomodata mettendo una vacanza di Fe2+ per ogni due Fe3+ atomi
introdotti.
si introducono vacanze
h
1/ 2
8 lπ x mπ x nπ x
φlmn = 3 sin sin sin
a a a a
π 2 h2 ( l 2 + m 2 + n 2 )
Elmn =
2ma 2
3π 2 h2
lmn = da ( 1, 1,1 ) a (2, 1,1)
∆Elmn =
2ma 2
vd 1.84 = cos t
Chimica dei materiali I (II mod.) Docente: Simona Binetti
Corso di laurea in Scienza dei materiali
Transizione elettroniche sono perturbate
ed allargate dal forte accoppiamento
con il moto degli ioni reticolari
•Dosimetri : I l ÷ [V ] ÷ I rad
immagazinamento di informazioni
Laser accordabili nel vicinio infrarosso
Zaffiro
Rubino Smeraldo
Corindone Al2O3 : , zaffiro = corindone + impurezza di titanio
Rubino = corindone + Cromo
Smeraldo: Berillo (Be3Al2Si6O18) con tracce di ioni di cromo e a tracce di vanadio
L’ametista è quarzo (SiO2) con impurità di manganese
Na (s, 298) + ½ Cl2 (g, 1atm, 298) = Na Cl (s, 298) ∆Hf= Σ ∆Hi
• Puramente elettrostatico
• Trascura possibili aggiustamenti della struttura
• Trascura le interazioni tra difetti
• Assume che il raggio delle V sia uguale a quello
degli ioni
• Utilizza un ciclo termodinamico