Anda di halaman 1dari 66

JURUSAN KIMIA FMIPA-UB FMIPA2010

Tahapan analisis gravimetri


     

Cuplikan/sampel ditimbang secara teliti Ditambah pelarut yang sesuai Ditambah pereaksi pengendap berlebih Endapan yang terjadi disaring dan dicuci Dikeringkan/dipanaskan Ditimbang teliti, sehingga berat zat yang dicari dapat diketahui Dari berat & komposisi endapan dapat dihitung kadar ion yang dicari di dalamnya

Analisa Gravimetri


Penentuan kuantitatif suatu zat dengan cara pengendapan diikuti dengan isolasi dan penimbangan endapan

Syarat analisis gravimetri




Endapan yang terjadi harus murni (tidak mengandung kotoran dari larutan asalnya) Kelarutan endapan harus sekecil mungkin sehingga kehilangan endapan karena kelarutan dapat diabaikan (e 0,1 mg) (e Endapan yang terjadi harus mudah disaring & dicuci dengan mudah dan cepat Endapan harus mempunyai senyawa yang mempunyai rumus molekul pasti

Proses Pengendapan
   1.

2.

Bila Ksp suatu zat/senyawa terlampaui, maka terjadi larutan lewat jenuh Mulai terjadi pengendapan senyawa dalam larutan Pengendapan dimulai dari : kombinasi ion-ion (10-8 cm) dalam larutan jenuh ionmembentuk kluster Setelah kluster-kluster ini mencapai ukuran tertentu klustermisal: BaSO4 terdiri 7-8 ion; Ag2CrO4 s 6 ion dan 7CaF2 terdiri 6-9 ion-ion) kluster membentuk fasa 6- ionpadat yang disebut kluster nukleasi (10-8-10-7 cm) Prosesnya = nukleasi

Proses Pengendapan


Ukuran kluster nukleasi ini kecil sekali maka tidak dapat dilihat dengan mikroskop Kecepatan pembntukan inti endapan dinyatakan sebagai:


Vnc = K (Q-S)x (Q-

Vnc = kecepatan nukleasi = jumlah inti yang terbentuk/satuan waktu X = konstanta yang harganya tergantung pada macam endapan

   

K = konstanta yang harganya tergantun pada macam pelarut Q = kadar solut pada saat proses pengendapan S = kelarutan makro kristal Q-S = keadaan lewat jenuh 3. nuklei-nulkei tumbuh cepat membentek partikel nukleikoloid (10-7-10-4 cm)(=kristalit) 4. kation dan anion bertumbukan dengan partikel kecil (koloid) dan melekat pada permukaannya secara ikatan kimia membentuk kisi kristal (> 10-4 cm) 105. kisi kristal oleh adanya gaya gravitasi mengendap membentuk partikel endapan

Terlihat pada proses endapan




Pada saat pembentukan nuklei (kluster nukleasi) dipengaruhi oleh :


 

daya tarik antara kation dan anion Tegangan permukaan antara molekul endapan dan larutan induk

Pada saat endapan turun dipengaruhi oleh gaya gravitasi (ukuran diameter partikel > 1 Q)

Proses Pertumbuhan Partikel


ION KLUSTER NUKLEASI 10-8-10-7 cm

10-8 cm

PARTIKEL KOLOID 10-7-10-4 cm

PARTIKEL ENDAPAN > 10-4 cm

Perlu dihindari:


Pembentukan endapan koloid (karena endapan sukar disaring) Terjadinya peptisasi pada saat pencucian endapan Ada 2 sifat penting koloid


Partikel berukuran kecil, akan lebih cepat larut dibandingkan partikel berukuran besar Partikel koloid memiliki muatan listrik secagai hasil adsorpsi ion-ion pada permukaan partikelnya ion-

Contoh :endapan koloid BaSO4


BaCl2 + H2SO4
sedikit H+ ClH+ ClH+ ClH+ ClClH+ H+ H+ H+ ClH+ Ba2+ Ba2+ Ba2+ Ba2+ ClH+ ClClH+ Cl-

BaSO4
Endapan koloid H+

BaSO4
Ba2+ Ba2+ ClH+

Mekanisme Pengendapan


Bila Ksp BaSO4 terlampaui, maka terbentuk partikel koloid BaSO4 Dalam larutan terdapat ion-ion Ba2+, Cl- dan ionH+ Ion Ba2+ ditarik lebih kuat lapisan I adalah Ba2+ Lapisan I menarik anion-anion Clanionlapisan II adalah anion Cl-

Mekanisme Pengendapan


Agar partikel koloid dapat bergabung (membentuk endapan) maka muatan pada lapisan I dihilangkan dengan penambahan H2SO4 sampai [SO42-] mencapai jumlah ekivalen dengan [Ba2+], membentuk koloid berkoagulasi (muatan netral) Selanjutnya partikel tumbuh menjadi partikel lebih besar ( struktur 3 dimensi) , karena gaya gravitasi mengendap pada dasar larutan

Mekanisme Pengendapan
 

Ada 2 proses yang berkompetisi yakni: Nukleasi




Sejumlah kecil ion, atom, molekul mulai bergabung


 

Berlangsung spontan Diinduksi

Pertumbuhan Partikel


Pertumbuhan inti kristal secara tiga dimensi membentuk partikel kristal lebih besar

Mekanisme Pengendapan


 

Bila koloid terkoagulasi, maka ion-ion yang ionmenyebabkannya juga ikut mengendap Koagulasi koloid dapat juga disebabkan oleh ion-ion ionlain dalam larutan Bila endapan dicuci dengan air, sebagian partikel endapan koloid larut (dispersi koloid) Endapan dapat menembus kertas saring (peptisasi) Untuk mencegah peptisasi, pencucian endapan koloid digunakan larutan: NH4Cl; (NH4)2SO4; NH4OH ( mudah diuapkan)

Ukuran partikel endapan


 1. 2. 

Ditentukan oleh 2 proses Nukleasi Pertumbuhan nukleus Bila derajat nukleasi < derajat pertumbuhan nukleus akan dihasilkan
 

Partikel dengan jumlah sedikit Ukuran partikel lebih besar

Sehingga endapan mudah disaring, lebih murni dibandingkan ukuran partikel lebih kecil

Kecepatan Pertumbuhan Inti Endapan


        

Vgr = D A (Q-S) (QL Vgr = kecepatan pertumbuhan nuklei D = koefisien difusi L = lamanya difusi A = luas permukaan endapan Q = konsentrasi solut S = kelarutan makrokristal Q-S = keadaan lewat jenuh

Pada proses pengendapan diupayakan agar derajat nukleasi kecil, sehingga dihasilkan partikel berukuran lebih besar

Oswald : hubungan kelarutankelarutantemperatur L


Q
ENDAPAN

Q*

E A Qj
LARUTAN TIDAK JENUH

T2 T

Keterangan Gambar
     

Q = konsentrasi zat terlarut T = suhu Qj = larutan tepat jenuh Q* = larutan lewat jenuh A-A =kurva kelarutan normal L-L = kurva lewat jenuh, tidak stabil membentuk nukleus secara spontan (tidakmenambah bibit kristal)

Penjelasan Grafik


Bila dalam larutan ditambah reagen pengendap (T), pada titik Qj menunjukkan larutan dalam keadaan tepat jenuh Bila reagen pengendap ditambahkan terus sampai Q* = keadaan lewat jenuh, terjadi nukleasi spontan selanjutnya terbentuk endapan

Van Weimann (1925)


      

Besarnya ukuran partikel endapan berbanding terbalik dengan keadaan lewat jenuh relatif larutan sebagai: Vpr = K Q-Qj QQj Vpr = kecepatan pembentukan endapan Q = konsentrasi zat yang diendapkan Qj = kelarutan kristalendapan Q-Qj/Qj analog dengan Q-S/S = lewat jenuh relatif pada saat Qendapan mulai terbentuk Q-Qj semakin besar, jumlah inti semakin banyak, ukuranpartikel endapan semakin kecil (halus) Qj >>> maka Q-Qj <<<<, jumlah inti sedikit, ukuran partikel Qbesar

Untuk memenuhi endapan kristal maka diupayakan




Harga Q sekecil mungkin dicapai dengan:


 

Pengendapan dalam larutan encer Penambahan pereaksi sedikit demi sedikit sambil dilakukan pengadukan dengan baik untuk mencegah terjadinya keadaan lewat jenuh setempat Pengendapan terjadi dalam larutan panas (kelarutan meningkat dengan kenaikan suhu, jadi peningkatan Qj menyebabkan memperkecil supersaturation

Harga Qj relatif besar dengan jalan:




Memperbesar harga Qj dengan:




Pengasaman (pH n disesuaikan dengan pHpengendapan) Penambahan elektrolit dapat meningkatkan kelarutan pada saat permulaan pengendapan

 

Endapan tdak selalu murni KadangKadang-kadang masih mengandung kontaminan Kontaminan yang ada tergantung pada:
 

Sifat endapan Kondisi pengendapan

Kontaminasi Endapan
Dapat dibagi 2 golongan 1. Kopressipitasi


Pengotoran endapan disebabkan oleh zat-zat lain zatyang mudah larut Terjadinya endapan ke II pada permukaan endapan I setelah beberapa saat setelah terbentunya endapan I dalam bentuk agak murni

2.

Postpressipitasi


Misal: Ca dan Mg dipisahkan dengan (NH4)2 oksalat dalam suasana asam Jika Caoksalat dibiarkan kontak dengan larutan induk selama s 3 jam, maka terjadi postpressipitasi Mg oksalat

A. Kopressipitasi
Sumber kopressipitasi ada 4 yakni: a. Adsorpsi permukaan b. Oklusi c. Pembentukan kristal campuran d. Penjebakan secara mekanik

Kopressipitasi
a.

Adsorpsi permukaan  Terjadi pada permukaan kristal yang berada dalam larutan induk  Jumlah zat yang diadsorpsi bertambah besar jika luas permukaan bertambah besar  Misal: endapan koloid  Dapat ditanggulangi dengan :  digestion (untuk mengurangi luas permukaan  Pencucian (ion yang teradsorpsi diganti ion lain , yang hilang pada pemanasan)

Kopressipitasi
b. Oklusi:


Masuknya zat asing dalam kristal pada saat proses pertumbuhan kristal Terjadi pada tempat kosong dalam struktur kristal yang tidak sempurna Bila proses pertumbuhan kristal lambat, maka zat pengotor akan larut lagi dan partikel-partikel partikeltumbuh menjadi kristal yang lebih besar dan lebih murni

c. Pembentukan kristal campuran  Terjadi bila proses pertumbuhan kristal berlangsung cepat, sehingga pengotor masuk diantara kisi kristal sehingga terbentuk kristal campuran  Bila zat pengotor Kristal isomorf atau membentuk larutan padat dengan endapan semula, tidak dapat dihilangkan dengan pencucian , tapi dengan rekristalisasi dengan cara:


endapan dilarutkan kembali dan kemudian diendapkan kembali, sehingga ion yang terkontaminasi dalam konsentrasi lebih rendah, endapan menjadi lebih murni

    

Contoh: Mg(NH4)PO4 dan MgKPO4 = isomorf Penggantian Br- oleh Cl- dalam AgCl Penggantian SO42- oleh CrO42- dalam BaSO4 Penggantian Ba2+ oleh Pb2+ dalam BaSO4

Mekanisme Oklusi

d. Penjebakan secara mekanik

Endapan Murni & Besar




Dilakukan aging yakni:




Endapan dibiarkan kontak dengan larutan induk diatas water bath supaya butir-butir endapan yang butirkurang larut , kemudian mengendap lagi pada kristal, selanjutnya tumbuh menjadi kristal berukuran besar (murni) Aging umumnya dilakukan selama:
 

2-24 jam pada temperatur kamar 2-4 jam pada 60-70 oC 60-

Tujuan aging


Agar partikel-partikel kecil larut lagi,kemudian partikelmengendap lagi pada permukaan partikel besar, sehingga kopresipitasi dicegah atau dikurangi Kristal yang semula bentuknya tidak sempurna (amorf) menjadi lebih teratur dan berukuran lebih besar (bentuk kristal) sehingga mudah disaring

Pencucian & Penyaringan Endapan


Tujuan pencucian:  Untuk menghilangkan kontaminan  Dasar pemilihan air pencuci: 1. Dapat melarutkan kotoran dengan baik, tetapi tidak melarutkan endapan (dilakukan berdasar efek ion sejenis misal: HCl) 2. Untuk endapan koloid terflokulasi (menggumpal) dipilih elektrolit untuk mencegah peptisasi

Elektrolit yang dipilih adalah:




  

Elktrolit yang menyebabkan pertukaran ion yang pada pemanasan dapat menguap Misal: NH4NO3 encer untuk mencuci Fe(OH)3 HNO3 1% untuk mencuci AgCl Ion yang teradsorpsi diganti oleh io lain , yang pada pemanasan dapat menguap

Pertukaran ion


Penambahan larutan pencuci jumlahnya sesedikit mungkin, tetapi frekuensinya sering

Pencucian & Penyaringan Endapan




Misal: lebih baik mencuci dengan 5 mL beberapa kali (10x) dibandingkan 1x 50 mL Kesempurnaan pencucian dirumuskan sebagai:
n.Co Cn = Q v+Q Cn = konsentrasi kontaminan setelah pencucian n x

  

 

Co = konsentrasi kontaminan sebelum pencucian n x Q = volume pelarut yang teradsorpsi oleh endapan V = volume larutan pencuci, tiap kali pencucian Contoh: Q = 1 mL; V = 9 mL , pencucian dilakukan 5x menyebabkan berkurangnya kontaminan sebesar : Cn = (1/(9+1))5 = (10-1)5 = 10-5 dari kontaminan semula (Co)

PENYARINGAN ENDAPAN


 

Penyaringan endapan dilakukan dengan menggunakan kertas saring bebas abu Menggunakan krus Goch Pemilihan penyaringan tergantung pada :
  

Macam endapan Besar partikel endapan Suhu pemanasan yang digunakan

Kertas saring
Macam Filtrat Endapan kasar Endapan sedang Endapan halus Kertas Saring yang digunakan Munktell C001; Whatman 41; 4; H; 540 Munktell OK; OR; Whatman 44;40;540 Munktell OOH; Whatman 42; 542

Krus Penyaring
  

 

1. Krus Gooch (serabut asbes) 2. Krus Munroe ( Platina) 3. Kaca Masir (Sintered Glass Filtering Crucible) 4.Vitreosil Filtering Crucibles ( silika) 5.Porous Porcelain Filtering Crucibles

Ukuran Kertas Saring


 

Ukuran Kertas saring ditentukan oleh banyaknya endapan yang disaring, bukan oleh banyaknya cairan/ besar corong Volume endapan tidak lebih dari volume kertas saring Selama penyaringan ujung corong harus berhubungan dengan udara luar Corong : 5-15 mm lebih banyak dari ukuran kertas 5saring Permukaan cairan minimal berjarak 5 mm berujung atas kertas saring

5-15 mm 5 mm cairan

Pengeringan & Pemanasan Endapan




Endapan setelah disaring, dikeringkan dan dipanaskan Tujuan pengeringan dan pemanasan:
  

Menghilangkan air dari endapan Menguapkan elektrolit pencuci yang teradsorpsi Menghilangkan pengotor lain yang mudah menguap Mengubah endapan ke suatu senyawa kimia yang rumusnya diketahui dengan pasti

Temperatur pemanasan tergantung pada macam endapan yakni:


 

Kestabilan endapan Bentuk endapan yang ditimbang

Pemanas
1. OVEN :  AgCl dipanaskan pada 120oC  MgNH4PO46H2O pada 120oC menjadi MgNH4PO4  Apabila dipanaskan pada 900oC menjadi Mg2P2O7

Pemanas
 

2. Pemijaran dengan pemanas Bunsen Misal :


  

BaSO4 ( 800 - 900oC) CaO ( 900 1200oC ) CaCO3 ( 500oC)

 

3. Muffle Furnice Misal : BaSO4 ( 800 900oC)

Penimbangan Endapan
 

Syarat bentuk yang ditimbang: Komposisi harus sesuai, tepat dengan rumus kimianya Mempunyai stabilitas kimia yang memadai

Neraca Penimbangan Endapan


    

Digunakan neraca analitik kuantitatif misal: Neraca analitik Neraca chainomatik Neraca berperedam (damped balance) Neraca Monopan ( pinggan tunggal)

Penyebab Kesalahan Penimbangan




Perubahan kondisi dari wadah/obyek selama penimbangan Pengaruh pemuaian udar terhadap obyek dan anak timabnag Ketidak akuratan anak timbangan

Perhitungan Gravimetri
  

% X = berat endapan x FG x 100% berat cuplikan FG = faktor gravimetri =  BM zat yang dicari  BM zat yang ditimbang

Contoh:  NaCl ( 0,6025 g) dilarutkan air, Cl- nya Cldiendapkan dengan AgNO3 berlebih, sehingga terbentuk endapan AgCl. Endapan disaring, dicuci, dikeringkan, ditimbang beratnya = 0,7134 g. Hitung % Cl dalam cuplikan  Jawab: % Cl- = 0,7134 x 35,5/143,32 x 100% = 29,29% Cl 0,6025