VENTAJAS DE LA FIBRA PTICA RESPECTO A CONDUCTORES METLICOS

Por ser un medio de transmisin totalmente dielctrico (aislante), la fibra ptica presenta ciertas caractersticas cuando se compara con los medios de transmisin convencionales, basados en conductores metlicos. 1. Atenuacin de lnea muy escasa. Las fibras pticas comparadas con los cables metlicos poseen unas atenuaciones demasiado bajas. Mientras en un cable multipar, calibre 0.4 mm, se pueden presentar atenuaciones de 1.6 decibelios en un Km, hoy en da se han logrado fibras pticas con atenuaciones de 0.1 decibelios por kilmetro.

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2. Mayor capacidad de transmisin La fibra ptica tiene una capacidad superior de transmisin comparada con los sistemas de cables metlicos ; en stas se puede transmitir en el orden de los Gigabit/seg, mientras que en los cables de cobre se logra trasmitir solamente en los Megabits/seg.

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3. Interferencias electromagnticas Las fibras pticas son inmunes a las interferencias originadas por otros sistemas elctricos. Una fibra ptica puede ser instalada en lneas de alta tensin y no sufrir ninguna influencia de los campos electromagnticos que stas generan. El cable metlico ante la presencia de un campo electromgntico introduce ruidos y diafonas en la comunicacin. 4. Reduccin del peso y tamao del cable Un cable de 6 fibras pticas puede tener un dimetro exterior de 8 a 10 mm y ofrecer la misma capacidad de transmisin de informacin de 10 cables de 2.400 pares de cobre. En cuanto al peso del cable de fibra, se pueden obtener 300 kgr/Km, pudindose as transportar varios kilmetros de cable en una misma bobina. No sucede lo mismo con un cable metlico multipar, donde un solo metro de l puede pesar hasta 8 Kgs o ms.

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5. Materia prima La materia prima fundamental empleada en la fabricacin de la fibra ptica es el Dixido de silicio (SiO2), elemento muy abundante en la naturaleza pues forma una cuarta parte de la corteza terrestre. La principal materia prima de los cables metlicos es el cobre, el cual es muy escaso y mucho ms costoso. 6. Seguridad Puesto que las fibras pticas no irradian energa electromagntica, la seal por ellas transmitida no puede ser captada desde el exterior, por esto algunas aplicaciones militares apoyan en esta propiedad para incrementar la seguridad de las comunicaciones.

EMISORES Y DETECTORES

Para transmitir seales luminosas a travs de fibras pticas se requiere en su inicio un elemento emisor que convierta las seales elctricas en pticas (E/O) y otro en su final que convierta las seales pticas en elctricas nuevamente (O/E). Los conversores electro-pticos se fabrican con base en la combinacin de los elementos de los siguientes elementos: El Indio (In), Glio (Ga), el Germanio (Ge), el Silcio (Si), el Arsnico (As), el Fsforo (P), que han demostrado ser los ms aptos para la fabricacin de stos dispositivos. La tecnologa de los semiconductores posibilit construir emisores y detectores de luz de pequeas dimensiones y bajos costos.

Los emisores y los detectores de luz, deben cumplir con los siguientes requerimientos:
1. Los fotoemisores deben emitir la luz a la misma longitud de onda () que corresponda a la ventana de transmisin de la fibra ptica

EMISORES Y DETECTORES
2. La emisin de luz debe ser en el menor nmero de modos posible; preferiblemente uno slo. 3. Los emisores y receptores deben tener unos tiempos largos de vida til, superiores a 105 horas. 4. Los emisores y receptores deben tener posibilidad de transmisin analgica y digital. 5. Los detectores deben ser de una sensibilidad muy alta. FUENTES O EMISORES PTICOS Existen dos opciones de fuentes semiconductoras para ser utilizadas en fibras pticas como emisores de luz. LED LASER (Light Emiter Diodo) (Light Amplification by Simulated Emission of Radiation) (Amplificacin de luz por emisin estimulada de radiacin)

EMISORES Y DETECTORES
El diodo LED: Es un diodo de material semiconductor, que forma una unin P-N de las mismas caractersticas que un diodo convencional de germanio o silicio. La diferencia principal con los diodos convencionales radica en que ciertos materiales que se utilizan como dopadores en el LED, son elegidos de tal manera que el proceso de recombinacin electrnica sea radiactivo y se genere luz. De acuerdo al material utilizado para construir el LED, se determinar si la luz emitida por ste es visible, y de que color. Debido a la gran dispersin de luz y a la distribucin espectral tan amplia que presenta un diodo LED, figura 39, ste es usado slo cuando se requiere realizar transmisiones a distancias cortas y con poca salida de potencia. Son relativamente baratos y poseen un tiempo de vida til muy largo (107 horas).

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Para aplicaciones prcticas en telecomunicaciones y por razones de velocidad y capacidad de transmisin, se desarrollaron los siguientes tipos de LED: LED de emisin superficial. Este diodo emite la luz en muchas direcciones, pero segn la forma fsica de la unin, puede concentrarse en un rea muy pequea denominada pozo. Con la ayuda de lentes pticos que se colocan en su superficie, se pueden lograr mayores concentraciones de luz. Figura 40

LED emisor de orilla Este diodo emite un patrn de luz en forma elptica, ms direccional que el emitido por los diodos de emisin superficial. Figura 41.

Los diodos emisores superficiales son ms utilizados que los diodos emisores de orilla, porque emiten ms luz; sin embargo, sus prdidas de luz por conexin son mayores y su ancho de banda muy angosto.

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El diodo LASER:
El LASER es bsicamente un diodo semiconductor que cuando se polariza directamente emite una luz coherente, monocromtica y muy estrecha en su ancho espectral, de 1 a 5 mm. Figura 42. Esta luz debido a su espectro tan estrecho, no se dispersa tanto como la luz producida por diodo LED, por lo que se puede emplear eficientemente para transmisiones a mucha distancia y a frecuencias muy superiores a los 300 Mhz.

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Consta bsicamente de una estructura (p - n) y contactos metlicos, figura 43. Inicialmente se fabric de GaAs, luego pas a ser fabricado de GaAIas, logrando as emisiones en la franja de 800 a 900 nm, que es donde est la primera ventana de transmisin de las fibras pticas.

EMISORES Y DETECTORES
El Diodo LASER produce una salida de 5 mw, con una corriente de 200 mA y una tensin de 1,5 voltios. Existen dos tipos de diodos LASER: 1. Diodos Laser de franjas de xido (DL) GaAIas/GaAs. 2. Diodos Laser con control por ndice (ILD) GalnAs/ InP.

DETECTORES O RECEPTORES PTICOS

En sistema con fibra ptica se utilizan bsicamente dos tipos de semiconductores detectores de luz: fototransistores y fotodiodos. Fototransistores A pesar de poseer buena sensibilidad, no posibilitan altas velocidades de transmisin, lo que limita su aplicacin.

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Fotodiodos: Los fotodiodos son diodos semiconductores que operan polarizados inversamente. Durante la absorcin de la luz, cuando un fotodiodo es iluminado, las partculas de energa luminosa, tambin llamadas fotones, son absorbidas generando pares electrn - hueco, que en presencia de un campo elctrico producen una corriente elctrica. Estos dispositivos son muy rpidos, de alta sensibilidad y pequeas dimensiones. La corriente elctrica generada por ellos es del orden de los nanoamperios (10-9 A) y por lo tanto se requiere de una amplificacin para manipular adecuadamente la seal. Los fotodiodos utilizados actualmente son: PIN (Positivo - Intrnseco - Negativo APD (Fotodiodo de Avalancha)

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Diodo PIN. Entre los diodos APD y PIN, este ltimo es el ms utilizado como detector de luz en los sistemas de comunicaciones por fibra ptica. Este diodo est conformado por una capa intrnseca, casi pura, de material semiconductor, introducida entre la unin de dos capas de materiales semiconductores tipo n y p. Figura 44

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La luz entra al diodo por una ventana muy pequea y es absorbida por el material intrnseco, el cual agrega la energa suficiente para lograr que los electrones se muevan de la banda de valencia la banda de conduccin y se generen portadores de carga elctrica que permiten que una corriente fluya a travs del diodo. Los elementos ms utilizados en la fabricacin de este tipo de detectores son el Germanio y ltimamente se utiliza el GaAs, GalnAs, InP, con resultados muy buenos. Los diodos PIN requieren bajas tensiones para su funcionamiento, pero deben utilizar buenos amplificadores. Presentan tiempos de vida relativamente altos, que podran reducirse nicamente por factores externos y son los ms indicados para el uso en la segunda y tercera ventana de transmisin (1.300 y 1.550 nm).

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Diodo A.P.D. Los fotodiodos de avalancha son una estructura de materiales semiconductores, ordenados en forma p-i-p-n. Figura 45

Los fotodiodos APD son 10 veces ms sensibles que los diodos PIN y requieren de menos amplificacin adicional. Su desventaja radica en los tiempo de transicin son muy largos y su vida til es muy corta

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Caractersticas comparativas entre los diodos PIN Y APD Costo: Los diodos APD son ms complejos y por ende ms caros Vida: Los diodos PIN presentan tiempos de vida til superiores Temperatura Los diodos APD son ms sensibles a las variaciones de temperatura Velocidad Los diodos APD poseen velocidades de respuesta mayores, por lo tanto permiten la transmisin de mayores tasas de informacin. Circuitos de polarizacin: Los diodos PIN requieren circuitos de polarizacin ms simples, pues trabajan a menores tensiones