ELT 009 Eletrnica Analgica I

MODELAGEM DO TBJ / ANLISE PARA PEQUENOS SINAIS

Tpicos
MODELAGEM DO TBJ / ANLISE PARA PEQUENOS SINAIS
1. Introduo
2. Amplificao no domnio CA
3. Modelagem do Transistor TBJ
4. Parmetros Importantes


UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
2
3
Introduo





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Neste momento, comear a ser analisada a resposta CA do
amplificador TBJ para pequenos sinais atravs dos modelos
utilizados para tal anlise.
So aplicados dois modelos: o modelo -hbrido e o modelo T.
4
Amplificao no domnio CA





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
O transistor pode ser empregado como um dispositivo amplificador.
Nesse caso, o sinal de sada senoidal maior que o sinal de entrada
ou a potncia ca de sada maior que a potncia ca de entrada.
O que ocorre no caso do TBJ que h uma troca de potncia cc
aplicada para o domnio ca, permitindo uma potncia ca de sada
maior. O rendimento de converso definido, ento, por:



fornecida cc potncia ) (
carga na ca potncia ) (
) (
) (

=
cc P
ca P
cc P
ca P
i
O
i
O
q
A conservao de energia diz que = Po/Pi no pode ser maior que 1.
5
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA

A base para a anlise do transistor para pequenos sinais a
utilizao de circuitos equivalentes (modelos). Estabelecendo o
circuito ca equivalente, o dispositivo substitudo por esse circuito,
e os mtodos bsicos de anlise ca de circuito (anlise de malha,
anlise nodal, e teorema de Thvenin) podem ser aplicados para
determinar a resposta do circuito.

Um amplificador ser linear (ou de alta-fidelidade - Hi-Fi) se no
mudar a forma do sinal na sada. Desde que a amplitude do sinal
de entrada seja pequena, o transistor usar somente uma pequena
parte da reta de carga e a operao ser linear. Por outro lado se o
sinal de entrada for muito grande, as flutuaes ao longo da reta
de carga levaro o transistor saturao e ao corte

6
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA

A Figura acima mostra variaes de tenso e corrente num TBJ
operando em CA. V-se que as variaes esto restritas regio
linear da curva caracterstica, no atingindo os pontos de corte e
saturao, podendo, portanto, ser consideradas lineares.
7
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA

Observaes Importantes

Notao

Para distinguir de forma conveniente os sinais contnuos dos alternados as
variveis com suas letras e ndices devem seguir a seguinte conveno:
- letra e ndices maisculos para as quantidades CC: I
C
, V
E
, V
CC
etc.
- letras e ndices minsculos para as quantidades CA: i
c
, v
e
, v
s
.
- sinal negativo para indicar tenses ou correntes senoidais 180 fora de fase.
Por exemplo, na Figura a seguir, temos v
o
= - v
i
.
v
i
v
o
8
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Linearidade - A Figura a seguir mostra a curva caracterstica de entrada de
um TBJ amplificador de sinal na configurao BC. Note a variao no ponto Q,
que para pequenos sinais, descreve um arco AB aproximadamente linear e as
distncias AQ e BQ so idnticas. A senide de corrente obtida no apresenta
distoro.
9
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Teorema da Superposio no Estudo de
Amplificadores

Num amplificador transistorizado, a
fonte CC estabelece correntes e tenses
quiescentes. A fonte CA produz flutuaes
nessas correntes e tenses, como mostra a
Figura ao lado. A anlise do circuito
dividida em duas partes: uma anlise CC e
uma anlise CA. Em outras palavras, aplica-se
o teorema da superposio, se o
amplificador a TBJ for considerado linear.

O teorema da superposio diz que se
pode calcular os efeitos produzidos nos
diversos pontos de um circuito para cada
fonte de alimentao funcionando
isoladamente. O efeito total ser a soma de
cada efeito individual.
Variao dos sinais de entrada e sada
de um amplificador (config. EC com
emissor aterrado).
10
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Base para o estudo do TBJ em pequenos sinais: circuitos equivalentes (modelos).
Um modelo a combinao de elementos de circuito, apropriadamente
escolhidos, que aproximam melhor o funcionamento real de um dispositivo
semicondutor sob condies de operao especficas.
Modelos adotados: 1. Circuito equivalente pelo Modelo -Hbrido.
2. Circuito equivalente pelo Modelo T.
{
11
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Modelo -Hbrido Modelo T
- Primeiro modelo adotado pelas
instituies industriais e de ensino;
- modela matematicamente o transistor
sem levar em conta os processos fsicos
que ocorrem no mesmo;
- sofre limitaes com relao
preciso para um conjunto particular
de condies de operao.
- Este modelo deriva do modelo hbrido,
podendo ter seus parmetros
determinados para qualquer regio de
operao dentro da regio ativa;
- no so limitados por um simples
conjunto de parmetros fornecidos pela
Folha de Especificaes;
- este modelo falha na justificao do nvel
da impedncia de sada do circuito e nos
efeitos de realimentao da sada para a
entrada.
12
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Circuito equivalente CA -
Seja o circuito com TJB da Figura
7.3
Roteiro:

1. Fixar todas as fontes DC a um
nvel zero, substituindo-as por um
curto-circuito equivalente;

2. Substituir todos os capacitores
por um curto-circuito equivalente
(baixa impedncia em altas
freqncias) e

3. redesenhar o circuito numa
forma mais conveniente. O
modelo obtido se mostra na
Figura 7.4 e redesenhado na
Figura 7.5.
Figura 7.3 Circuito a ser analisado
13
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Figura 7.4 Circuito aps a remoo da fonte cc e
insero do curto-circuito equivalente para os
capacitores.
Os valores cc foram importantes
apenas para determinar o ponto
Q de operao, que pode ser
ignorado na anlise ca, pois,
determina apenas a componente
cc da tenso de sada e no a
amplitude de oscilao ca de
sada.

Os capacitores de acoplamento
C1 e C2 e o capacitor de
passagem C3 foram selecionados
para uma reatncia muito
pequena nas frequencias de
aplicao. Portanto, eles podem
ser substitudos por um caminho
de baixa resistncia ou um curto.
14
Modelagem do Transistor TBJ





UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Figura 7.5 Circuito redesenhado para a anlise ca
Estabelecendo um ponto comum (terra), e reorganizarmos os elementos, R
1
e R
2

ficaro em paralelo e R
C
aparecer entre o coletor e o emissor
Circuito ca do
transistor para
pequenos sinais

15
Parmetros Importantes de um Amplificador: Z
i
, Z
o
, A
v
e A
i




UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA

Impedncia de Entrada, Z
i

A impedncia de entrada representa um
papel importante, por exemplo, no
casamento de impedncias, na ligao de
amplificadores em cascata, como mostra
a Figura ao lado.
Para a seo de entrada de um sistema de 2 portas (quadriplo, Figura abaixo), Z
i
obtida por:
i
i
i
I
V
Z =
SISTEMA DE
DUAS
PORTAS
16
Impedncia de entrada: Z
i




UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Caractersticas:
- no varia com o sinal de entrada;
- puramente resistiva, para fs 100 kHz, variando de poucos ohms at MO;
- est relacionada com a transferncia de potncia da fonte para o sistema.
Medio de Z
i


No se consegue medir Z
i
e Z
o
com um ohmmetro, que opera em DC somente.
) 3 . 7 ( Z
(7.2)
i
i
i
sensor
i s
i
I
V
R
V V
I
=

=
17
Impedncia de sada: Z
o




UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
determinada nos terminais de sada, com o sinal aplicado desativado (V
i
= 0). Veja
o esquema para a determinao de Z
o
na Figura abaixo.

(7.5) e (7.4)
o
o
o
sensor
o
o
I
V
Z
R
V V
I =

=
Para um amplificador a TBJ, para f s 100 kHz (freqncias baixas e mdias), a
impedncia Z
o
naturalmente resistiva, variando de poucos ohms at cerca de 2
MO.
18
Ganho de Tenso: A
v




UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Ganho de Tenso A
v
:
(7.6)
i
o
V
V
V
A =
NL s s
L
NL
v
s i
i
s
o
v
i
o
s
i
s
o
v
s i
i
s
i
s i
s i
i
R
i
o
v
A
R Z
Z
V
V
A
V
V
V
V
V
V
A
R Z
Z
V
V
R Z
V Z
V
V
V
A
+
= = - = =
+
=
+
=
=
=
: carga sem tenso de Ganho
Para amplificadores a transistor, o
ganho de tenso sem carga maior
que o ganho de tenso com carga.
Dependendo da configurao, o
ganho de tenso pode variar de
pouco mais de um at algumas
centenas.
Um sistema multiestgio,
entretanto, pode ter ganho de
tenso em uma escala de milhares.

19
Ganho de corrente: A
i




UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
Ganho de Corrente A
i
:
(7.9)
i
o
i
I
I
A =
L
i
v i
L i
i o
i i
L o
i
o
i
L
o
o
i
i
i
R
Z
A A
R V
Z V
Z V
R V
I
I
A
R
V
I
Z
V
I
= =

= =
= =
/
/
,
Para amplificadores TBJ o ganho de corrente varia de pouco menos de 1 a um valor
que pode ser maior que 100.
20
UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
CAMPUS ITABIRA
REFERNCIA BIBLIOGRFICA



BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de
circuitos. 8 edio. So Paulo: Prentice Hall, 2004 Captulo 7