Transstor bipolar

O termo Transstor resulta da aglutinao dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR (resistncia de transferncia). O termo bipolar refere-se ao facto dos portadores electres e lacunas participarem no processo do fluxo de corrente.

Constituio
Um transstor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) constitudo por duas junes PN (juno base-emissor e juno base-colector) de material semicondutor (silcio ou germnio) e por trs terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Colector (C).

Altamente dopado

Camada mais fina e menos dopada

Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base

Altamente dopado

Camada mais fina e menos dopada

Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base

N Material semicondutor com excesso de electres livres P Material semicondutor com excesso de lacunas
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Junes PN internas e smbolos

Juno PN base emissor Juno PN base colector Juno PN base emissor Juno PN base colector

Principio de funcionamento que seja aplicada na Para que o transstor bipolar conduza necessrio
Base uma corrente mnima (VBE 0,7 Volt), caso contrrio no haver passagem de corrente entre o Emissor e o Colector.
O transstor no conduz (est ao corte) IB = 0

Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transstor conduz e pode amplificar a corrente que passa do emissor para o colector.
Uma pequena corrente entre a base e o emissor origina uma grande corrente entre o emissor e o colector

Utilizao

O transstor bipolar pode ser utilizado:

como

interruptor electrnico. na amplificao de sinais. como oscilador.

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Polarizao
Para o transstor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como oscilador tem que estar devidamente polarizado atravs de uma fonte DC. Para o transstor estar correctamente polarizado a juno PN base emissor deve ser polarizada directamente e a juno base colector deve ser polarizada inversamente. Regra prtica: O Emissor polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui. A Base polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui. O Colector polarizado com polaridade contrria do semicondutor que o constitui. Emissor Base Colector Emissor Base Colector

+
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Emissor Base Colector

Polarizao
N P

Emissor Base Colector

+
Rc Rb

+
+
Rc

Rb Resistncia de polarizao de base Rc Resistncia de colector ou resistncia de carga

Rb

Representao de tenses e correntes

VCE Tenso colector - emissor VBE Tenso base emissor VCB Tenso colector - base

IC Corrente de colector IB Corrente de base IE Corrente de emissor

VRE Tenso na resistncia de emissor VRC Tenso na resistncia de colector

Relao das correntes

+
Rc Rb

IB

IC

Considerando o sentido convencional da corrente e aplicando a lei dos ns obtemos a seguinte relao das correntes num transstor bipolar

IE = IC + IB
IE

Caractersticas tcnicas Utilizando o cdigo alfanumrico do transstor podem-se obter as suas

caractersticas tcnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do fabricante. IC VCEO VCBO VEBO a mxima corrente de colector que o transstor pode suportar. Se este parmetro for excedido o componente poder queimar. Tenso mxima colector emissor com a base aberta. Tenso mxima colector base com o emissor aberto. Tenso mxima emissor base com o colector aberto.

hFE ou Ganho ou factor de amplificao do transstor. hFE = IC : IB Pd fT Potncia mxima de dissipao. Frequncia de transio (frequncia para a qual o ganho do transstor 1 ou seja, o transstor no amplifica mais a corrente).
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Num circuito no se pode substituir um transstor de silcio por um de germnio ou vice versa. Tambm no se pode trocar directamente um transstor NPN por um PNP ou vice versa. A letra (A, B, C) que pode aparecer no fim do cdigo alfanumrico indica sempre aperfeioamentos ou melhorias em pelo menos um dos parmetros, limites ou caractersticas do transstor. Exemplo: O BC548A substitui o BC548. O BC548A no substitui o BC548B

Substituio de transstores por equivalentes

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Dissipadores de calor
O uso de dissipadores ou radiadores externos de calor so quase que obrigatrios nos transstores que trabalham com potncias elevadas de modo a evitar o sobreaquecimento do componente e a sua possvel destruio.

Jorge Vieira / Everaldo Siqueira

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